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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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盡管MOSFET在開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)控制等一些電子系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用,但是許多電子工程師并沒(méi)有十分清楚的理解MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程,以及MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)...
MOS管的工作原理(以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)它是利用VGS來(lái)控制“感應(yīng)電荷”的多少,以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,然后達(dá)到控制漏極...
平板電腦電源芯片方案TB6806:10W系列 5V2A能效六級(jí)方案,內(nèi)部集成了600V的高壓功率MOS管,輸出電壓紋波及噪音最大120mVp-p,通過(guò)C...
關(guān)于CMOS電路兩個(gè)普遍的特點(diǎn)
【1】直流工作點(diǎn)的確定依據(jù)其輸入的靜態(tài)電壓或靜態(tài)電流確定,換句話說(shuō),電路中各點(diǎn)的靜態(tài)電壓和電流都是可以計(jì)算出來(lái)的,因?yàn)槠潇o態(tài)電路各點(diǎn)的IV關(guān)系滿足基本的...
用指針式萬(wàn)用表對(duì)MOS管進(jìn)行判別
將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1k檔上,任選兩個(gè)電極,分別測(cè)出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時(shí),則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因...
MOS管驅(qū)動(dòng)電路_單片機(jī)如何驅(qū)動(dòng)MOS管
MOS管相比三極管來(lái)講,具有更低的導(dǎo)通內(nèi)阻,在驅(qū)動(dòng)大功率的負(fù)載時(shí),發(fā)熱量就會(huì)小很多。MOS管的驅(qū)動(dòng)與三極管有一個(gè)比較大的區(qū)別,MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型的元件...
IGSS對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)漏電流的影響
dV/dt反映的是器件承受電壓變化速率的能力,越大越好。對(duì)系統(tǒng)來(lái)說(shuō),過(guò)高的dv/dt必然會(huì)帶來(lái)高的電壓尖峰,較差的EMI特性,不過(guò)該變化速率通過(guò)系統(tǒng)電路...
器件正常運(yùn)行時(shí)不發(fā)生的負(fù)載短路等引起的過(guò)電流,造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導(dǎo)致破壞。另外,由于熱量不相配或開(kāi)關(guān)頻率太高使芯片不能正常散熱時(shí),持續(xù)的發(fā)熱使溫度超出溝...
是什么原因?qū)е驴刂菩」β薀o(wú)刷直流電機(jī)的MOS管被燒壞
控制小功率無(wú)刷直流電機(jī)的MOS管被燒壞,可能是什么原因呢?
2020-04-19 標(biāo)簽:MOS管無(wú)刷直流電機(jī) 8792 0
在完成MOS管芯片在制作之后,需要給MOS管芯片加上一個(gè)外殼,這就是MOS管封裝。該封裝外殼主要起著支撐、保護(hù)和冷卻的作用,同時(shí)還可為芯片提供電氣連接和...
經(jīng)過(guò)對(duì)顯卡整體的評(píng)估,索泰意識(shí)到圍繞著顯示核心和顯存動(dòng)腦筋是不會(huì)有理想結(jié)果的。因?yàn)檫@部分的設(shè)計(jì)只能按照芯片廠商的要求設(shè)計(jì),比如需要多少伏和多少安的供電。...
MOS管屬于帶膠芯片。撬下來(lái)時(shí)需要對(duì)主板進(jìn)行除膠。除膠的時(shí)候要小心不能太大力度。不然會(huì)掉點(diǎn)。除膠用鑷子尖去輕輕刮就好了?;蛘哂眯笨诘哆M(jìn)行刮膠。把主板焊盤(pán)...
MOS管是電壓控制器件,也就是需要使用電壓控制G腳來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)管子電流的控制。市面上最常見(jiàn)的是增強(qiáng)型N溝通MOS管,廠家可以用一個(gè)電壓來(lái)控制G的電壓,MOS...
分析MOS管驅(qū)動(dòng)電流的三個(gè)竅門(mén)
以一個(gè)實(shí)際MOS管為例,看DATASHEET里有條TotalGateCharge曲線。該曲線先上升然后幾乎水平再上升。水平那段是管子開(kāi)通(密勒效應(yīng))假定...
2020-04-04 標(biāo)簽:MOS管算法驅(qū)動(dòng)電流 9250 0
選用管子型號(hào)為IRF640,如上圖所示,一般在判斷好壞的時(shí)候先對(duì)MOS管放電(三極管就不需要,之所以需要放電是和他的工作原理有關(guān),這里就不多說(shuō)了),放電...
這個(gè)觸摸燈電路如下,圖的右下角也說(shuō)明了這個(gè)電路操作過(guò)程,如果用手同時(shí)觸摸MOS管的G極(柵極)和電源正極,那么LED燈就會(huì)發(fā)光,即使手松開(kāi)燈也繼續(xù)亮,至...
而MOS管就不一樣了,MOS管是電壓型驅(qū)動(dòng),其驅(qū)動(dòng)電壓必須高于其死區(qū)電壓Ugs的最小值才能導(dǎo)通,不同型號(hào)的MOS管其導(dǎo)通的Ugs最小值是不同的,一般為3...
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