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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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關(guān)于MOS管/三極管/IGBT之間的關(guān)系解析
PN結(jié):從PN結(jié)說起 PN結(jié)是半導(dǎo)體的基礎(chǔ),摻雜是半導(dǎo)體的靈魂,先明確幾點: 1、P型和N型半導(dǎo)體:本征半導(dǎo)體摻雜三價元素,根據(jù)高中學(xué)的化學(xué)鍵穩(wěn)定性原理...
隨現(xiàn)代科技的發(fā)展,電動車窗在汽車的應(yīng)用領(lǐng)域幾乎成為了必備之物。而mos管在電動車窗的關(guān)鍵部位——開關(guān),占據(jù)了非常重要的位置。電動車窗開關(guān)分為功率型和信號...
選擇到一款正確的MOS管,可以很好地控制生產(chǎn)制造成本,最為重要的是,為產(chǎn)品匹配了一款最恰當(dāng)?shù)脑骷@在產(chǎn)品未來的使用過程中,將會充分發(fā)揮其“螺絲釘”的...
型號:HC080N06LS 參數(shù):60V 6A 類型:N溝道場效應(yīng)管 溝槽型 內(nèi)阻72mR 低結(jié)電容435pF 封裝:SOT23-3 低開啟電壓1.8V...
近年,無論是股市趨勢還是政策偏向,都將焦點聚焦在了新能源領(lǐng)域上。電動汽車作為新能源領(lǐng)域最被看中的產(chǎn)業(yè),正在時代機(jī)遇的風(fēng)口上,連剛上任的拜登都推翻前任特朗...
快充專用60V低壓mos 40A封裝DFN3*3低結(jié)電容低Qg
★MOS管主要參數(shù)★ MOS管型號:HG5511D 參數(shù):60V 40A 封裝:DFN3333 內(nèi)阻:11mR(Vgs=10V)??14mR(Vgs=4...
惠海半導(dǎo)體中低壓場效率管(MOSFET)的應(yīng)用領(lǐng)域
應(yīng)用領(lǐng)域:LED驅(qū)動電源,舞臺燈、帕燈、車燈等LED照明應(yīng)用;無線充、快充、移動電源、太陽能電源、POE電源;電子點煙器、無刷電機(jī);美容儀、香薰機(jī)、補(bǔ)水...
HG5511D參數(shù)特性 60V低壓MOS 40A結(jié)電容低 手機(jī)快充專用MOS管
MOS管型號:HG5511D 參數(shù):60V 40A? 封裝:DFN3333 內(nèi)阻:11mR(Vgs=10V) ? ? ? ? ? 14mR(Vgs=4....
2021-01-23 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管MOS 3730 0
MOS管參數(shù)的熱阻、輸入輸出電容及開關(guān)時間
我們打開一個MOS管的SPEC,會有很多電氣參數(shù),今天說一說熱阻、電容和開關(guān)時間這三個。 熱阻,英文Thermal resistance,指的是當(dāng)有熱...
2022-02-09 標(biāo)簽:MOS管 1.1萬 0
相對于耗盡型,增強(qiáng)型是通過“加厚”導(dǎo)電溝道的厚度來導(dǎo)通,如圖。柵極電壓越低,則p型源、漏極的正離子就越靠近中間,n襯底的負(fù)離子就越遠(yuǎn)離柵極,柵極電壓達(dá)到...
MOS管為什么會被靜電擊穿?靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎?擊穿就一定短路了嗎?JFET管靜電擊穿又是怎么回事?
H012N06L參數(shù)特性 替代PAO4264E 貼片MOS管SOP-8
MOS管參數(shù):60V50A 內(nèi)阻:14mR(VGS=4.5V) 結(jié)電容:550pF 類型:SGT工藝NMOS 開啟電壓:1.8V 封裝:TO-252 H...
2021-01-19 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 3327 0
MOS管構(gòu)成的二極管等效于一個低阻器件,作為共源級的負(fù)載,代替了電阻實現(xiàn)小信號的放大,但是,電路的增益受到了限制??偟膩碚f,利用電阻或者M(jìn)OS管構(gòu)成的有...
詳解MOS管和IGBT管區(qū)別及結(jié)構(gòu)特點
MOS管和IGBT管都可以作為開關(guān)元件使用,它們在外形、特性參數(shù)上也比較相似,那它們到底有什么區(qū)別呢? 什么是MOS管? MOS管是MOSFET管的簡稱...
100v低壓MOS管HG1006D參數(shù) DFN3X3
參數(shù):100V 25A? 封裝:DFN3333 內(nèi)阻:25mR(Vgs=10V) 30mR(Vgs=4.5V) 結(jié)電容:839pF 開啟電壓:1.7V ...
2021-01-15 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管MOS 3457 0
HC085N10L-B特性 100V貼片MOS管15N10低壓MOS 低結(jié)電容低內(nèi)阻
型號:HC085N10L 參數(shù):100V 15A? 類型:N溝道場效應(yīng)管 內(nèi)阻71mR 低結(jié)電容436pF? 封裝:貼片(SOT89-3) 低開啟電壓1...
2021-01-15 標(biāo)簽:led場效應(yīng)管MOS管 3501 0
60VMOS管30N06 30A 低結(jié)電容場效應(yīng)管SOP-8封裝
型號:HC037N06LS 參數(shù):60V 8A? 類型:N溝道場效應(yīng)管 內(nèi)阻31mR 低結(jié)電容650pF? 封裝:貼片(SOP-8) 低開啟電壓1.8V...
2021-01-11 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管MOS 5899 0
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