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標(biāo)簽 > mos管

mos管

mos管

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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

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關(guān)于 MOSFET 的 W 和 L 對(duì)其閾值電壓 Vth 的影響,實(shí)際在考慮工藝相關(guān)因素后都是比較復(fù)雜,但是也可以有一些簡(jiǎn)化的分析,這里主要還是分析當(dāng)晶...

2019-06-18 標(biāo)簽:MOSFETMOS管閾值電壓 4.0萬(wàn) 1

MOSFET開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間定義

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2019-06-18 標(biāo)簽:MOSFETMOS管電壓 4.0萬(wàn) 0

MOS管損耗的8個(gè)組成部分

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2019-06-18 標(biāo)簽:電阻MOS管損耗 1.5萬(wàn) 0

MOS管參數(shù)及含義說(shuō)明

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2019-06-18 標(biāo)簽:MOSFETMOS管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng) 5.4萬(wàn) 0

關(guān)于MOS管功率選型分析

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在電源電路應(yīng)用中,往往首先考慮漏源電壓 VDS 的選擇。在此上的基本原則為 MOSFET 實(shí)際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書(shū)中標(biāo)稱漏...

2019-06-18 標(biāo)簽:MOS管電源電路驅(qū)動(dòng)電壓 1.2萬(wàn) 0

MOS管耗散功率的計(jì)算

由于MOSFET的功率耗散很大程度上取決于其導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),計(jì)算RDS(ON)看似是一個(gè)很好的著手之處。但MOSFET的導(dǎo)通電阻取決于結(jié)溫T...

2019-06-18 標(biāo)簽:整流器MOS管 6.8萬(wàn) 0

MOS管功率損耗怎么測(cè)?

除了RDS(ON)之外,在MOS管的選擇過(guò)程中還有幾個(gè)MOS管參數(shù)也對(duì)電源設(shè)計(jì)人員非常重要。許多情況下,設(shè)計(jì)人員應(yīng)該密切關(guān)注數(shù)據(jù)手冊(cè)上的安全工作區(qū)(SO...

2019-06-18 標(biāo)簽:電流MOS管功率損耗 7788 0

MOS管電路工作原理與應(yīng)用

 MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管型號(hào)和增...

2019-06-18 標(biāo)簽:電流MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1.3萬(wàn) 0

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由上圖結(jié)構(gòu)我們可以看到 MOS 管類似三極管,也是背靠背的兩個(gè)PN結(jié)!三極管的原理是在偏置的情況下注入電流到很薄的基區(qū)通過(guò)電子-空穴復(fù)合來(lái)控制CE之間的...

2019-05-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體元器件MOS管 1.9萬(wàn) 0

MOS管封裝分類

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2019-05-07 標(biāo)簽:封裝MOS管晶體管 1.6萬(wàn) 0

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下一步, 就是要把這些東西變成實(shí)實(shí)在在的電路:小Boss.綜合電路:推薦武器: Design Compiler (DC)數(shù)字電路需要用到Design C...

2019-05-05 標(biāo)簽:芯片MOS管數(shù)字電路 1.8萬(wàn) 0

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與電阻不同,電感和電容都不是純阻性線性器件,電感的感抗XL和電容的容抗Xc都與頻率有關(guān),當(dāng)加在電感和電容上的頻率發(fā)生變化時(shí),它們的感抗XL和容抗Xc會(huì)發(fā)生變化。

2019-05-05 標(biāo)簽:電阻MOS管LLC 11.0萬(wàn) 1

7個(gè)步驟來(lái)闡述MOS管的選型要求

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電流的確定需從兩個(gè)方面著手:連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式下,MOS管處于穩(wěn)態(tài),此時(shí)電流連續(xù)通過(guò)器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過(guò)器件。...

2019-05-05 標(biāo)簽:電流元器件MOS管 2.0萬(wàn) 3

前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中的推挽電路設(shè)計(jì)

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了解自舉電容自舉電容首次充電電路的分析和搭建,分析電路不足并引出電流環(huán)和電壓環(huán);

2019-05-29 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)MOS管推挽電路 7036 0

張飛帶你學(xué)硬件--三極管/MOS管/運(yùn)放/電路設(shè)計(jì)

放專題講解,重點(diǎn)講解了運(yùn)放的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu),幫助深入理解運(yùn)放的工作原理。

2019-05-12 標(biāo)簽:三極管MOS管運(yùn)放 1.1萬(wàn) 0

什么叫米勒電容?對(duì)MOSFET有何作用

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什么叫米勒電容?如何作用和影響于MOSFET?

2019-05-12 標(biāo)簽:MOSFETMOS管米勒電容 2.4萬(wàn) 0

詳細(xì)分析MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)及參數(shù)特性的講解

MOSFET從完全關(guān)斷到完全導(dǎo)通經(jīng)過(guò)哪幾個(gè)階段,在此過(guò)程中MOSFET為什么會(huì)發(fā)熱。

2019-05-12 標(biāo)簽:MOSFETMOS管 5829 0

電容在MOS管開(kāi)關(guān)中CRSS的作用分析

CRSS也就是反向傳輸電容。這個(gè)電容在MOS管的開(kāi)通和關(guān)的過(guò)程中,它的作用是十分重要的。

2019-05-11 標(biāo)簽:MOSFET電容MOS管 2.4萬(wàn) 0

淺談MOS管和推挽電路

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MOS管,以及推挽電路。對(duì)于MOS管,它是在電子電路里面最重要的一個(gè)供力器件之一,所以重點(diǎn)講解了一下,希望大家能夠有所收獲,能夠在將來(lái)自己各自領(lǐng)域的工作...

2019-04-22 標(biāo)簽:MOS管推挽電路 3.3萬(wàn) 0

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振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
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開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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