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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS管閾值電壓與溝長(zhǎng)和溝寬的關(guān)系
關(guān)于 MOSFET 的 W 和 L 對(duì)其閾值電壓 Vth 的影響,實(shí)際在考慮工藝相關(guān)因素后都是比較復(fù)雜,但是也可以有一些簡(jiǎn)化的分析,這里主要還是分析當(dāng)晶...
MOSFET開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間定義
電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開(kāi)關(guān),G級(jí)電壓要比電源高幾V,才...
在器件設(shè)計(jì)選擇過(guò)程中需要對(duì) MOSFET 的工作過(guò)程損耗進(jìn)行先期計(jì)算(所謂先期計(jì)算是指在沒(méi)能夠測(cè)試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格書(shū)提供的參數(shù)及工作電路...
交流參數(shù)可分為輸出電阻和低頻互導(dǎo)2個(gè)參數(shù),輸出電阻一般在幾十千歐到幾百千歐之間,而低頻互導(dǎo)一般在十分之幾至幾毫西的范圍內(nèi),特殊的可達(dá)100mS,甚至更高。
2019-06-18 標(biāo)簽:MOSFETMOS管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng) 5.4萬(wàn) 0
在電源電路應(yīng)用中,往往首先考慮漏源電壓 VDS 的選擇。在此上的基本原則為 MOSFET 實(shí)際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書(shū)中標(biāo)稱漏...
2019-06-18 標(biāo)簽:MOS管電源電路驅(qū)動(dòng)電壓 1.2萬(wàn) 0
由于MOSFET的功率耗散很大程度上取決于其導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),計(jì)算RDS(ON)看似是一個(gè)很好的著手之處。但MOSFET的導(dǎo)通電阻取決于結(jié)溫T...
除了RDS(ON)之外,在MOS管的選擇過(guò)程中還有幾個(gè)MOS管參數(shù)也對(duì)電源設(shè)計(jì)人員非常重要。許多情況下,設(shè)計(jì)人員應(yīng)該密切關(guān)注數(shù)據(jù)手冊(cè)上的安全工作區(qū)(SO...
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管型號(hào)和增...
2019-06-18 標(biāo)簽:電流MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1.3萬(wàn) 0
搞懂MOS管:MOS管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
由上圖結(jié)構(gòu)我們可以看到 MOS 管類似三極管,也是背靠背的兩個(gè)PN結(jié)!三極管的原理是在偏置的情況下注入電流到很薄的基區(qū)通過(guò)電子-空穴復(fù)合來(lái)控制CE之間的...
DIP封裝結(jié)構(gòu)形式有:多層陶瓷雙列直插式DIP、單層陶瓷雙列直插式DIP、引線框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式、塑料包封結(jié)構(gòu)式、陶瓷低熔玻璃封裝式)等。D...
模擬電路和數(shù)字電路設(shè)計(jì)/制作方面的差別
下一步, 就是要把這些東西變成實(shí)實(shí)在在的電路:小Boss.綜合電路:推薦武器: Design Compiler (DC)數(shù)字電路需要用到Design C...
學(xué)習(xí)并理解LLC:LLC電路是如何實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)的?
與電阻不同,電感和電容都不是純阻性線性器件,電感的感抗XL和電容的容抗Xc都與頻率有關(guān),當(dāng)加在電感和電容上的頻率發(fā)生變化時(shí),它們的感抗XL和容抗Xc會(huì)發(fā)生變化。
電流的確定需從兩個(gè)方面著手:連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式下,MOS管處于穩(wěn)態(tài),此時(shí)電流連續(xù)通過(guò)器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過(guò)器件。...
前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中的推挽電路設(shè)計(jì)
了解自舉電容自舉電容首次充電電路的分析和搭建,分析電路不足并引出電流環(huán)和電壓環(huán);
2019-05-29 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)MOS管推挽電路 7036 0
張飛帶你學(xué)硬件--三極管/MOS管/運(yùn)放/電路設(shè)計(jì)
放專題講解,重點(diǎn)講解了運(yùn)放的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu),幫助深入理解運(yùn)放的工作原理。
詳細(xì)分析MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)及參數(shù)特性的講解
MOSFET從完全關(guān)斷到完全導(dǎo)通經(jīng)過(guò)哪幾個(gè)階段,在此過(guò)程中MOSFET為什么會(huì)發(fā)熱。
電容在MOS管開(kāi)關(guān)中CRSS的作用分析
CRSS也就是反向傳輸電容。這個(gè)電容在MOS管的開(kāi)通和關(guān)的過(guò)程中,它的作用是十分重要的。
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