mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

MOS管的種類及結(jié)構(gòu)

MOS管，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導(dǎo)體（Semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。

2022-07-15 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體 MOS管 1.0萬 0

單片機(jī)遙控開關(guān)MOS管詳解

說起單片機(jī)MOS管，有些人的腦子里可能是一團(tuán)漿糊，書上說的文字一大堆，今天小億從物聯(lián)網(wǎng)實(shí)用角度來介紹MOS管中最常用的NMOS，

2022-07-12 標(biāo)簽：單片機(jī)MOS管 NMOS 7134 1

基于仿真數(shù)據(jù)的gm/Id模擬集成電路設(shè)計(jì)方案

由于這些參數(shù)曲線與MOS管的柵寬和源漏電壓關(guān)系很小，所以以一定的柵寬和源漏電壓作為仿真條件，對(duì)MOS管柵極電壓進(jìn)行直流參數(shù)掃描。

2022-07-12 標(biāo)簽：集成電路 MOSFET MOS管 3283 0

常用MOS管驅(qū)動(dòng)電路說明

MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電路上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。

2022-07-12 標(biāo)簽：三極管 MOS管驅(qū)動(dòng)電路 5155 0

MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別

在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，...

2022-07-11 標(biāo)簽：MOS管晶體管 IGBT管 3290 0

常用MOS管驅(qū)動(dòng)電路分享

MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。

2022-07-10 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電路電源IC 5598 0

給大家介紹四種簡(jiǎn)單實(shí)用的防反接電路設(shè)計(jì)

單個(gè)二極管串聯(lián)到電源輸入端，防反接電路原理是利用二極管的單向?qū)щ娦?，正向?qū)ǎ聪蚪刂埂．?dāng)不小心反接電源時(shí)，二極管不導(dǎo)通，不會(huì)損壞任何器件。

2022-07-08 標(biāo)簽：二極管整流器 MOS管 2552 0

串聯(lián)電阻為何放置在MOS管端

前一段時(shí)間有個(gè)兄弟問了個(gè)問題，把我問住了，問題是這個(gè)：如上圖，串聯(lián)的電阻R1到底是放在靠近IC端，還是靠近MOS端？（注意，圖中的L1是走線寄生電感，...

2022-07-08 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻 MOS管無刷電機(jī) 2475 0

分享一些單片機(jī)硬件電路的設(shè)計(jì)方案和心得

將不確定的信號(hào)通過一個(gè)電阻鉗位在高電平，維持在不被觸發(fā)的狀態(tài)或是觸發(fā)后回到原狀態(tài)。

2022-07-06 標(biāo)簽：單片機(jī)運(yùn)算放大器 MOS管 8969 1

一文徹底掌握MOS管

基礎(chǔ)知識(shí)中 MOS 部分遲遲未整理，實(shí)際分享的電路中大部分常用電路都用到了MOS管，今天勢(shì)必要來一篇文章，徹底掌握mos管!

2022-07-05 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管 3.2萬 0

三極管和MOS管的異?，F(xiàn)象與根本原因分析

板在環(huán)境試驗(yàn)低溫存儲(chǔ)后（機(jī)框下電，-40°存儲(chǔ)24h，恢復(fù)到常溫25°，在25°條件下保持2h）上電，發(fā)現(xiàn)有4塊單板未正常啟動(dòng)。監(jiān)控單板電源，發(fā)現(xiàn)所有問...

2022-07-04 標(biāo)簽：三極管 MOS管 SOT23 5947 0

為什么MOS管柵極串聯(lián)電阻越小越好

在一周前看到在公眾號(hào)“電機(jī)控制設(shè)計(jì)加油站”的一篇推文，“Why 100Ω？較真的教授發(fā)現(xiàn)簡(jiǎn)單結(jié)論背后不簡(jiǎn)單的問題”，對(duì)MOSFET管柵極為什么放置“一...

2022-07-01 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻 MOS管仿真電路 8644 0

設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路該使用MOS管還是三極管？（文末領(lǐng)BJT和MOSFET對(duì)比資料）

晶體管 BJT 和MOSFET 都適用于放大和開關(guān)應(yīng)用。然而，它們具有顯著不同的特征。 ? 雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 雙極結(jié)型晶體管，通常稱為 BJT...

2022-06-22 標(biāo)簽：三極管 MOSFET MOS管 3088 0

基于語(yǔ)音芯片的汽車?yán)染瘓?bào)器設(shè)計(jì)

貨車等大型車輛作為現(xiàn)今資源運(yùn)輸?shù)闹匾ぞ咧唬谧非筮\(yùn)輸量提高的同時(shí)也帶來了諸多的安全隱患，體積大導(dǎo)致出現(xiàn)了越來越多的視線盲區(qū)，質(zhì)量大導(dǎo)致慣性加大，從而...

2022-06-10 標(biāo)簽：MOS管語(yǔ)音芯片警報(bào)器 1010 0

基于IR2127的電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片

到VB端的電壓小于VS+12V，導(dǎo)致芯片老是檢測(cè)到硬件過流信號(hào)，從而不能正常驅(qū)動(dòng)MOS管，后將VCC電壓提升到13.5V后，驅(qū)動(dòng)芯片才正常。

2022-06-08 標(biāo)簽：二極管 MOS管 6914 1

MOS管和三極管到底有什么區(qū)別

第一個(gè)區(qū)別也就是最重要的一個(gè)區(qū)別就是MOS管是電壓控制的元件，而三極管是電流控制的元件。那么怎么理解這兩句話呢？

2022-06-01 標(biāo)簽：三極管 MOS管 4.3萬 0

MOS管的結(jié)構(gòu)與latchup的形成原因

一般Fabless公司設(shè)計(jì)的芯片在工程批回來之后，都會(huì)做芯片級(jí)的ESD測(cè)試和latchup等測(cè)試，對(duì)很多客戶朋友來說，有可能對(duì)latchup稍微陌生，本...

2022-05-20 標(biāo)簽：ESD MOS管 latchup 5867 0

MOS管引起靜電擊穿的原因及解決方法

其實(shí)MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電，又因在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合難于泄放電荷...

2022-05-16 標(biāo)簽：MOS管靜電擊穿 6928 0

一文詳解MOS管的技術(shù)參數(shù)

在柵源短接，漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發(fā)生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據(jù)溫度的不同，實(shí)際雪崩擊穿電壓可能低于額定VDSS。關(guān)于V(BR)...

2022-04-27 標(biāo)簽：MOSFET MOS管額定電壓 5142 0

限流恒流電路設(shè)計(jì)方案

上圖是一個(gè)限流恒流電路，當(dāng)電流低于閾值時(shí)，輸出電流由負(fù)載決定，當(dāng)負(fù)載加重，輸出電流達(dá)到閾值時(shí)，輸出電流穩(wěn)定在閾值保持恒定，負(fù)載再加重的話，輸出電流也保持...

2022-04-27 標(biāo)簽：電流 MOS管恒流電路 1.3萬 0

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