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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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通常我們的電子產(chǎn)品，為防止用戶將正負(fù)極接反，會對接口做防反接保護(hù)。比如接口做成梯形或者開個(gè)缺口，反了不容易插進(jìn)，但你真的永遠(yuǎn)不知道你的產(chǎn)品用戶是萌妹紙還...
2022-08-26 標(biāo)簽：二極管MOS管反接保護(hù)電路 8016 0
介紹GPIO的定義和GPIO不同模式間的區(qū)別與實(shí)現(xiàn)方式
GPIO全稱General Purpose Input Output 即通用輸入/輸出，其實(shí)GPIO的本質(zhì)就是芯片的一個(gè)引腳，通常在ARM中所有的I/O...
在硬件設(shè)計(jì)中，關(guān)于電路保護(hù)的部分是保證系統(tǒng)可靠性的重要一環(huán)，電路保護(hù)的設(shè)計(jì)具體也包括很多方面，比如：防反設(shè)計(jì)，過流保護(hù)，過壓保護(hù)，欠壓保護(hù)，過熱保護(hù)等，...
如圖，MOS管內(nèi)部有寄生電容Cgs，Cgd，Cds。因?yàn)榧纳娙莸拇嬖?，所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程。
MOS管是電子制造的基本元件，但面對不同封裝、不同特性、不同品牌的MOS管時(shí)，該如何抉擇？有沒有省心、省力的遴選方法？
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V（BR）DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
米勒效應(yīng)是什么？MOS管能避免米勒效應(yīng)嗎？
從t1時(shí)刻開始，MOS進(jìn)入了飽和區(qū)。在飽和有轉(zhuǎn)移特性：Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導(dǎo)，只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后，而此時(shí)又處于...
在我們實(shí)際的應(yīng)用當(dāng)中最流行和最常見的電子器件就是常見的雙極結(jié)晶體管BJT和MOS管。雖然BJT和MOS管是最流行最常見的元器件，但是在一些相對較高電流的...
MOS場效應(yīng)管（以下簡稱MOS管）中間是部分是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體組成的MOS電容結(jié)構(gòu)，是上圖中的中間柵極-絕緣層和n-Si襯底部分的結(jié)構(gòu)。
2022-08-20 標(biāo)簽：集成電路MOSFET場效應(yīng)管 9532 0
MOS管的開關(guān)損耗跟設(shè)計(jì)有直接的關(guān)系，縮短導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間可有效降低開關(guān)損耗；最后，驅(qū)動MOS管的推挽電路很多都已集成在驅(qū)動芯片內(nèi)部，輸出能力很強(qiáng)，通常電...
2022-08-19 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)管MOS管 6195 0
從上圖可以看出沖擊電流很大，達(dá)23.0A，遠(yuǎn)大于滿載工作電流（1A左右），板上電源設(shè)計(jì)指南要求是滿載工作電流的3～5倍，所以需要整改以達(dá)到板上電源要求，...
過快的充電會導(dǎo)致激烈的米勒震蕩，但過慢的充電雖減小了震蕩，但會延長開關(guān)從而增加開關(guān)損耗。Mos開通過程源級和漏級間等效電阻相當(dāng)于從無窮大電阻到阻值很小的...
如何利用STM32F0單片機(jī)PWM + ADC去控制有刷電機(jī)
讀取 ADC 的值，寫入 TIM 的 CCR 寄存器，觀察 PWM 占空比的變化。根據(jù)電機(jī)的特性，還可能需要改變 PWM 的周期。
NCP1400ASN50、NCP1402SN50、CS5171、TPS60110、TPS60111、MAX756、MAX777、MAX731、MAX77...
2022-08-15 標(biāo)簽：電路圖MOS管升壓轉(zhuǎn)換器 7984 0
對于咱們電源工程師來講，我們很多時(shí)候都在看波形，看輸入波形，MOS開關(guān)波形，電流波形，輸出二極管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，我們拿開關(guān)GS波形為...
OC門，又稱集電極開路(漏極開路)與非門門電路，Open Collector(Open Drain)。
從應(yīng)用側(cè)出發(fā)來給大家介紹一下MOS管里面最常見的NMOS
對于這個(gè)高速的PWM波控制場景是致命的。當(dāng)PWM波的周期接近于這個(gè)爬升時(shí)間時(shí)，這個(gè)波形就會失真。一般來說Cgs大小和Rds(on)是成反比的關(guān)系。Rds...
2022-08-12 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管NMOS 3446 0
PMOS管做開關(guān)用，S極作電源輸入，D極作輸出，當(dāng)Vsg大于閾值電壓，MOS管導(dǎo)通，一般MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都很小，毫歐級別，過幾安培的電流，壓降也才毫伏...
1、三個(gè)極怎么判定？2、他們是N溝道還 是P溝道？3、寄生二極管的方向如何判定？
當(dāng)控制電壓由低變高時(shí)，柵極電壓開始時(shí)有一個(gè)3V的臺階，分析認(rèn)為是Q3截止后，3.3偏置電壓經(jīng)過BC結(jié)饋電引起的。
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