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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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R4電阻,D1二極管,C6電容是尖峰吸收電路,因?yàn)槭请娮桦娙荻O管組成的電路,簡稱RCD吸收回路。那么為什么要加尖峰吸收回路呢,是因?yàn)橐Wo(hù)MOS管過壓...
本文主要介紹了場效應(yīng)管發(fā)熱嚴(yán)重的原因以及場效應(yīng)管的工作原理。場效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電,用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器...
2018-01-30 標(biāo)簽:場效應(yīng)管mos管 3.3萬 0
在OUT端為高電平期間,A點(diǎn)電位會由于電容Cboot 上的電荷泄漏等原因而下降。這會使得B點(diǎn)電位下降,N4的導(dǎo)通性下降。同時(shí)由于同樣的原因,OUT端電位...
2019-06-19 標(biāo)簽:電路MOS管驅(qū)動電機(jī) 3.3萬 0
在驅(qū)動一些較大電流的負(fù)載時(shí),有時(shí)候由于單個(gè)MOS管的通流能力有限,很多人喜歡把幾個(gè)MOS管并聯(lián)起來,從而實(shí)現(xiàn)更大電流負(fù)載的開關(guān),這種應(yīng)用也比較廣泛了,但...
電阻在MOS管電路中的注意事項(xiàng)及參考選擇方法,泄放電阻和柵極電阻有什么區(qū)別?
MOS管的驅(qū)動對其工作效果起著決定性的作用。設(shè)計(jì)師既要考慮減少開關(guān)損耗,又要求驅(qū)動波形較好即振蕩小、過沖小、EMI小。這兩方面往往是互相矛盾的,需要尋求...
基礎(chǔ)知識中 MOS 部分遲遲未整理,實(shí)際分享的電路中大部分常用電路都用到了MOS管, 今天勢必要來一篇文章,徹底掌握mos管!
2022-07-05 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 3.2萬 0
當(dāng)柵極加有電壓時(shí),若0
2019-04-15
標(biāo)簽:集成電路場效應(yīng)管MOS管
3.1萬
0
在中大功率電源中,現(xiàn)在市面上最流行的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可謂是移相全橋和LLC了,工程師們也最喜歡將這它們放在一塊作比較,這是由于它們的原邊MOS管都可以實(shí)現(xiàn)ZVS...
為什么MOS管要并聯(lián)個(gè)二極管有什么作用?mos管并聯(lián)二極管的作用深度分析
原文來自公眾號硬件工程師看海 加微信[chunhou0820],拉你進(jìn)群 下圖是NMOS的示意圖,從圖中紅色框內(nèi)可以看到, MOS在D、S極之間并聯(lián)了一...
恒流源電路圖講解 基于運(yùn)放和三極管的恒流源電路設(shè)計(jì)
最近,杰克又開始不務(wù)正業(yè),繼續(xù)學(xué)習(xí)起了硬件電路的設(shè)計(jì)。本篇推文主要內(nèi)容包括:運(yùn)放的虛短和虛斷描述、簡單恒流源電路分析。最后通過一個(gè)由三極管/mos管、運(yùn)...
2023-10-01 標(biāo)簽:電路圖運(yùn)算放大器MOS管 3.0萬 2
一文詳解開漏輸出和開集輸出的原理、特點(diǎn)和應(yīng)用
開漏(open-drain)或開集電極(open-collector)輸出引腳由單個(gè)晶體管驅(qū)動,將引腳拉到只有一個(gè)電壓(通常是接地)。當(dāng)輸出設(shè)備關(guān)閉時(shí),...
如上圖MOS管符號,要注意如果剛學(xué)完三極再來看這個(gè)會覺得很別扭,記不住,下面與NMOS原理做介紹,PMOS就剛好是相反的。
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