mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

MOS管選型的問題

MOS管選型需考慮溝道類型（NMOS或PMOS）、電壓、電流、熱要求、開關(guān)性能及封裝，同時(shí)需結(jié)合電路設(shè)計(jì)、工作環(huán)境及成本，避免混淆NMOS和PMOS。“...

2025-02-17 標(biāo)簽：MOS管 NMOS PMOS 613 0

飛虹半導(dǎo)體MOS管在無刷電機(jī)控制器的應(yīng)用

據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)了解：2024年，全球BLDC控制器市場規(guī)模達(dá)到28.7億美元，并預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)到45.5億美元，年復(fù)合增長率為8.0%。面對這一相對高...

2025-02-17 標(biāo)簽：MOSFET 控制器 MOS管 594 0

飛虹半導(dǎo)體MOS管在戶外儲能電源的應(yīng)用

2025年是中國企業(yè)出海的又一元年，對于在戶外儲能電源領(lǐng)域，高效能與可靠性是產(chǎn)品的核心需求。廠家如何選擇一款兼顧低損耗、高電流承載能力的MOS管來應(yīng)用是...

2025-02-17 標(biāo)簽：場效應(yīng)管 MOS管儲能電源 531 0

佳訊電子：PD快充中的MOS管選型攻略

在現(xiàn)代快節(jié)奏的生活中，快速充電技術(shù)已成為我們?nèi)粘Ｉ钪胁豢苫蛉钡囊徊糠?。其中，PD快充技術(shù)憑借其高效、安全的特點(diǎn)，逐漸成為了市場上的主流選擇。那么，PD...

2025-02-15 標(biāo)簽：MOS管整流電路 PD快充 947 0

MOS管的OC和OD門是怎么回事

在數(shù)字電路和功率電子中，MOS管（場效應(yīng)晶體管）是一種常見的開關(guān)元件，廣泛應(yīng)用于各種開關(guān)電源、驅(qū)動電路和信號處理電路中。MOS管不僅在電源管理和信號放大...

2025-02-14 標(biāo)簽：MOS管場效應(yīng)晶體管 OD 991 0

MOS管驅(qū)動電路有幾種，看這個(gè)就夠了！

MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動電路。一、電源IC...

2025-02-11 標(biāo)簽：開關(guān)電源 MOS管驅(qū)動電路 774 0

面對MOS管小電流發(fā)熱，該如何解決？

Source、Drain、Gate分別對應(yīng)場效應(yīng)管的三極：源極S、漏極D、柵極G（這里不講柵極GOX擊穿，只針對漏極電壓擊穿）。01MOSFET的擊穿有...

2025-02-11 標(biāo)簽：MOS管雪崩擊穿小電流 412 0

運(yùn)放與MOS管構(gòu)建的恒流電路分析及器件參數(shù)選擇應(yīng)用指南

這里使用的運(yùn)放是 LM358 mos管是2N6755 (Nmos) 想讓其能夠輸出 1A 的恒流（當(dāng)然恒流限定了所帶負(fù)載范圍，下面說）設(shè)計(jì)恒定電流...

2025-02-11 標(biāo)簽：MOS管運(yùn)放 LM358 4105 0

存儲器的分類及其區(qū)別

初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲器分類。按照存儲器的存儲功能劃分，可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。

2025-02-08 標(biāo)簽：DRAM SDRAM 存儲器 2742 0

華大九天Empyrean Polas工具解決功率設(shè)計(jì)難題

華大九天推出的Empyrean Polas工具，憑借其先進(jìn)的3D場求解器提取算法，成功突破了傳統(tǒng)RC參數(shù)提取方法的瓶頸，特別是在處理PMIC設(shè)計(jì)中的電源...

2025-02-08 標(biāo)簽：MOS管功率器件華大九天 1403 0

飛虹半導(dǎo)體MOS管FHP230N06V在高頻開關(guān)電源中的應(yīng)用

都說技術(shù)創(chuàng)新是永無止境的，這一方面在力源海納身上呈現(xiàn)尤為顯著，他們首創(chuàng)在高頻逆變部分采用低內(nèi)阻碳化硅MOS管替代傳統(tǒng)IGBT，以大幅降低該部分損耗的大功...

2025-01-22 標(biāo)簽：開關(guān)電源場效應(yīng)管 MOS管 700 0

飛虹半導(dǎo)體MOS管FHP230N06V在不間斷電源中的應(yīng)用

不間斷電源在很多工廠的生產(chǎn)線上都是非常重要的存在，依靠不間斷電源可以確保產(chǎn)線的安全，避免損失。因此不間斷電源廠家如何讓其產(chǎn)品性能更優(yōu)才可以確保市場對其產(chǎn)...

2025-01-22 標(biāo)簽：場效應(yīng)管 MOS管不間斷電源 610 0

MOS管在開關(guān)電源中的核心作用

金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱MOSFET)是現(xiàn)...

2025-01-20 標(biāo)簽：開關(guān)電源 MOS管晶體管 1250 0

LC震蕩器相位噪聲的分析與仿真

使用巨霖PowerExpert搭建一個(gè)交叉耦合震蕩器結(jié)構(gòu)示意圖，其中電感兩側(cè)的電阻和電容作為電感的等效模型，并不真實(shí)存在。原理是LC tank并聯(lián)一個(gè)等...

2025-01-20 標(biāo)簽：MOS管電感相位噪聲 1236 0

MOS管特征頻率與過驅(qū)動電壓的關(guān)系

本文簡單介紹了MOS管特征頻率與過驅(qū)動電壓的概念以及二者的關(guān)系。

2025-01-20 標(biāo)簽：放大器 MOS管晶體管 1356 0

飛虹半導(dǎo)體MOS管FHP160N06V在工頻逆變器的應(yīng)用

對于工頻逆變器的出口，會受到當(dāng)?shù)仉妰r(jià)的影響，比如泰國、越南等國家的電價(jià)都在上升，同時(shí)鼓勵居民對于光伏的利用。因此2025年這兩個(gè)國家對于工頻逆變器的出口...

2025-01-20 標(biāo)簽：場效應(yīng)管 MOS管逆變器 887 0

飛虹半導(dǎo)體MOS管FHP160N06V在車載高頻逆變器的應(yīng)用

近日，美國政府再次針對芯片等先進(jìn)領(lǐng)域進(jìn)行限制，說明全球化的時(shí)代在不斷收窄。企業(yè)必須要考慮如何將關(guān)鍵的生產(chǎn)器件放在安全且能用得放心的產(chǎn)品上。尤其國內(nèi)企業(yè)現(xiàn)...

2025-01-20 標(biāo)簽：場效應(yīng)管 MOS管逆變器 526 0

開關(guān)電源芯片U8623產(chǎn)品介紹

超結(jié)硅功率MOS在開關(guān)電源芯片U8623中對降低EMI（電磁干擾）干擾、增強(qiáng)EMS（電磁抗擾度）抗干擾能力起到了重要作用。

2025-01-17 標(biāo)簽：開關(guān)電源 MOS管電源芯片 814 0

MOS管及本征增益簡介

MOS,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管英文名稱的縮寫，是一種獨(dú)特的半導(dǎo)體器件，它通過電場效應(yīng)來控制輸出回路的電流，這一特性使其得名。

2025-01-14 標(biāo)簽：放大器半導(dǎo)體 MOS管 1202 0

飛虹半導(dǎo)體MOS管FHP230N06V在電機(jī)驅(qū)動控制器中的應(yīng)用

在24-36V的BLDC電機(jī)驅(qū)動控制器中，MOS管作為核心功率開關(guān)元件，負(fù)責(zé)高效能量轉(zhuǎn)換、精準(zhǔn)電流控制和系統(tǒng)保護(hù)。因此在電路設(shè)計(jì)中選擇一款好的MOS管是...

2025-01-13 標(biāo)簽：控制器場效應(yīng)管 MOS管 880 0

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