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標(biāo)簽 > mos管

mos管

mos管

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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

MOS管的電路分析和應(yīng)用案例

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放大器:MOS管可以用作放大器,通過調(diào)節(jié)柵極電壓來控制電流增益。這在放大音頻信號(hào)、射頻信號(hào)等方面非常有用。

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MOS管參數(shù)解讀

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極限參數(shù)也叫絕對(duì)最大額定參數(shù),MOS管在使用過程當(dāng)中,任何情況下都不能超過下圖的這些極限參數(shù),否則MOS管有可能損壞。

2023-09-24 標(biāo)簽:元器件MOS管柵極 1.4萬 0

MOS管的基本結(jié)構(gòu) MOS管的二級(jí)效應(yīng)

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本章首先介紹了MOS管的基本結(jié)構(gòu)并推導(dǎo)了其I/V特性,并闡述MOS管的二級(jí)效應(yīng),如體效應(yīng)、溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)和亞閾值傳導(dǎo)等,之后介紹了MOS管的寄生電容,...

2023-10-02 標(biāo)簽:MOS管寄生電容CMOS集成電路 6741 0

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根據(jù)筆者的經(jīng)驗(yàn)在逆變器和變頻器故障失效的維修案例中有相當(dāng)部分的導(dǎo)致模塊失效的原因是模塊的開關(guān)電源損壞導(dǎo)致的,我們知道構(gòu)成開關(guān)電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有很多種,比如...

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防燒電路中的MOS管控制

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目前客戶用的防燒電路中的MOS管一個(gè)主要規(guī)格要求Vth低,當(dāng)前使用的防燒MOS管Vth (Vgs=Vds,Id=250uA)小于1V。

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二極管與MOS管電路怎樣防反接呢?

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以我們平時(shí)最常見的電源供電為例,配置的電壓為5伏特,電流為2安培。在常規(guī)情況下,二極管它是串聯(lián)在電路當(dāng)中,用來保護(hù)后級(jí)電路免受電源反接損壞。

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工作中,我們使用的單片機(jī)常常被用于控制大電流設(shè)備的正常運(yùn)轉(zhuǎn),這樣的例子是嵌入式設(shè)計(jì)中非常的常見技術(shù),因?yàn)橛趩纹瑱C(jī)它屬于是低功耗微處理器,因此其I/O引腳...

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MOS管FHL300N1F2A型號(hào)參數(shù)常用于電池管理系統(tǒng)BMS

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電池管理系統(tǒng)(BMS)可以根據(jù)其應(yīng)用和功能劃分為不同的類型,常見的BMS類型:獨(dú)立式BMS、集成式BMS、高級(jí)BMS、分布式BMS、集中式BMS、模塊化...

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在國內(nèi)倍思、綠聯(lián)、安可數(shù)碼、品勝等都是PD電源的大品牌廠家,對(duì)于小廠家如何能不斷提升自身產(chǎn)品質(zhì)量來跟大品牌廠家進(jìn)行PK呢?

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N溝道增強(qiáng)型MOS管的工作區(qū)間及開通過程分析

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  N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)如圖1所示,P型襯底上制作兩個(gè)高摻雜的N區(qū),引出作為漏極D和源極S,襯底上再制作一塊絕緣層,絕緣層上在制作一層金屬電極,引...

2023-10-01 標(biāo)簽:二極管MOS管N溝道 4713 0

防反接保護(hù)電路圖 防反接保護(hù)電路設(shè)計(jì)

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通常情況下直流電源輸入防反接保護(hù)電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠韺?shí)現(xiàn)防反接保護(hù)。

2023-09-21 標(biāo)簽:二極管電路圖保護(hù)電路 1.6萬 0

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對(duì)于MOS管這樣一個(gè)三端口器件,先不看源極,就看柵極和漏極。

2023-09-21 標(biāo)簽:二極管電阻器MOS管 2308 0

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所以從這個(gè)角度來說,哪個(gè)有源MOS管子可以實(shí)現(xiàn)這樣的阻抗變化,就可以稱為有源電感。

2023-09-21 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器MOS管跟隨器 3775 0

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2023-09-21 標(biāo)簽:MOS管等效電路電阻電容 2958 0

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輸出和接地之間的電位差異電流從輸出通過下部MOS向下移動(dòng)到接地。電感利用存儲(chǔ)磁場(chǎng)中的能量在 ΔVO和 ΔVB之間建立電勢(shì)差,試圖抵抗磁場(chǎng)的變化。

2023-09-21 標(biāo)簽:pcbMOS管晶體管 587 0

南芯方案2023 USB-C大功率充電寶技術(shù)研討

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目前充電寶新國標(biāo)開始實(shí)施發(fā)證、全球旅游市場(chǎng)復(fù)蘇、iPhone切換USB-C口等熱點(diǎn)頻頻,再加上電芯能量密度、放電倍率也獲得突破,充電寶芯片集成度再創(chuàng)新高

2023-09-20 標(biāo)簽:鋰離子電池USB接口MOS管 5087 0

為什么消耗相同電流的情況下有電感的電路帶寬高?

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從之前域域轉(zhuǎn)化系列中,我們可以知道頻域的帶寬高,到時(shí)域上體現(xiàn)就是信號(hào)變化快。

2023-09-20 標(biāo)簽:放大器電感器MOS管 1531 0

高邊驅(qū)動(dòng)和低邊驅(qū)動(dòng)原理解析

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2023-10-01 標(biāo)簽:MOS管Cadence仿真 4305 1

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