講一講LOD效應(yīng)

LOD效應(yīng)也是DSM效應(yīng)的其中一種。DSM Effect即Deep Sub-Micron Effect，包括WPE、LOD、OSE、Hot carrie...

2023-11-03 標(biāo)簽：MOS管電流鏡DSM 4128 0

WPE效應(yīng)的概念 如何讓減小WPE效應(yīng)呢？

如果模擬IC工程師你經(jīng)常用.18um以上的工藝，那么你很可能從來沒有關(guān)注過WPE以及LOD（Length Of Diffusion）效應(yīng)。

2023-11-03 標(biāo)簽：MOS管輸出電壓SCA 7676 0

晶體管level shifter是怎么實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換功能的？

這一篇，總結(jié)一下level shifter的晶體管級(jí)工作原理，就從最傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)講起，詳細(xì)分析這個(gè)level shifter是怎么實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換功能的。

2023-11-03 標(biāo)簽：MOS管電平轉(zhuǎn)換器晶體管 7923 0

穩(wěn)壓二極管電路設(shè)計(jì)

相比于肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管用得相對(duì)較少，我們來舉個(gè)例子。

2023-11-03 標(biāo)簽：二極管電路設(shè)計(jì)穩(wěn)壓二極管 1833 0

關(guān)于MOS管、IGBT米勒平臺(tái)的分析

米勒平臺(tái)的形成與其材料、制造工藝息息相關(guān)，當(dāng)GE之間電壓大于閾值點(diǎn)的時(shí)候，管子的CE電壓開始下降，但是下降的速度十分緩慢

2023-11-03 標(biāo)簽：MOS管IGBT驅(qū)動(dòng)電流 1.0萬 0

一文詳解PowiGaN、硅和SiC性能比較

基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開關(guān)是PI恒壓/恒流準(zhǔn)諧振離線反激式開關(guān)IC產(chǎn)品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術(shù)...

2023-11-02 標(biāo)簽：MOS管氮化鎵GaN 1161 0

C51單片機(jī)的IO口介紹(下)

上一篇文章我們對(duì)C51的IO簡(jiǎn)單的介紹了一下，現(xiàn)在我們來簡(jiǎn)單了解C51的IO的結(jié)構(gòu)

2023-11-02 標(biāo)簽：單片機(jī)MOS管C51單片機(jī) 4253 0

在PDK中是如何定義Vth的呢？

以N管為例（P管類似），當(dāng)Vg逐漸升高，p襯底中的空穴被向下的電場(chǎng)趕離柵區(qū)留下負(fù)離子以鏡像柵上的電荷。

2023-10-31 標(biāo)簽：MOS管晶體管靜態(tài)電流 9004 0

如何對(duì)Spectre下的LC-VCO進(jìn)行仿真驗(yàn)證？

LC-VCO的等效電路如圖1所示，實(shí)際應(yīng)用中L1和L2由帶中間抽頭的對(duì)稱電感組成，抽頭接電流源（圖中i）。

2023-10-30 標(biāo)簽：振蕩器MOS管VCO 3145 0

同步和異步buck電路的對(duì)比

四種組合模式的簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)對(duì)比圖如下圖所示，通過對(duì)比，很清楚地看出同步和異步的差異是否存在續(xù)流二極管。而集成型buck和非集成型的主要差異就是將開關(guān)控制部分...

2023-10-30 標(biāo)簽：二極管MOS管FET 4754 0

模擬IC設(shè)計(jì)原理圖1：邏輯電路是如何通過MOS管實(shí)現(xiàn)的

今天來聊聊我們常用的邏輯電路是如何通過MOS管實(shí)現(xiàn)的。

2023-10-30 標(biāo)簽：邏輯電路IC設(shè)計(jì)MOS管 5644 0

電路保護(hù)中的欠壓/過壓閉鎖實(shí)用巧設(shè)計(jì)

在電子設(shè)備的實(shí)際應(yīng)用中，可能會(huì)遇到輸入電壓不穩(wěn)的情況。

2023-10-30 標(biāo)簽：MOS管比較器電源電壓 6875 0

小電流測(cè)量雜談

這個(gè)文章也是隨筆，最近有相關(guān)需求，小小的學(xué)習(xí)一下。

2023-10-30 標(biāo)簽：CMOS電流MOS管 1131 0

7637電源防護(hù)設(shè)計(jì)(二)

如下圖，該參考設(shè)計(jì)中采用二極管進(jìn)行防反接，再通過一個(gè)穩(wěn)壓二極管進(jìn)行過壓鉗位，達(dá)到過壓保護(hù)的目的。即過壓時(shí)，二極管導(dǎo)通，三極管關(guān)斷，從而關(guān)斷MOS管。MO...

2023-10-28 標(biāo)簽：三極管二極管MOS管 1798 0

7636電源防護(hù)設(shè)計(jì)(一)

采用二極管的方式進(jìn)行極性保護(hù)是最簡(jiǎn)單直接、成本低的辦法。肖特基二極管具有最大100V正向壓降，硅二極管具有最高600V正向壓降，因此在我們這種極性保護(hù)電...

2023-10-28 標(biāo)簽：二極管MOS管肖特基二極管 1443 0

AB類輸出級(jí)中浮動(dòng)電流源偏置問題解惑

M27和M28的跨導(dǎo)是怎么保持相等的？共模輸入變化的時(shí)候，M11和M17的柵壓會(huì)隨著電流改變，這樣M28、M27的源端電位也改變了

2023-10-27 標(biāo)簽：MOS管電流源負(fù)反饋 4826 0

一文詳解偏置電流源電路的對(duì)與錯(cuò)

下面的電流源偏置電路究竟哪個(gè)結(jié)構(gòu)是對(duì)的？幾乎每個(gè)模擬IC課程都會(huì)講這個(gè)例子，可是始終有人搞不清楚。

2023-10-27 標(biāo)簽：MOS管仿真器電流源 3935 0

開關(guān)電源MOS設(shè)計(jì)選型的幾個(gè)基本原則

開啟過程 VDS(off_on)(t) 與 IDS(off_on)(t) 交叉波形如上圖所示。首先須計(jì)算或預(yù)計(jì)得到開啟時(shí)刻前之 VDS(off_end)...

2023-10-27 標(biāo)簽：MOSFET開關(guān)電源MOS管 1848 0

智能功率級(jí)的結(jié)構(gòu)組成和應(yīng)用場(chǎng)景

引言：傳統(tǒng)的供電設(shè)計(jì)，是將開關(guān)MOS管、同步MOS管和驅(qū)動(dòng)IC單獨(dú)放置（外置電源開關(guān)），不僅占據(jù)PCB面積大，寄生效應(yīng)也難以控制，降低了電流的整體轉(zhuǎn)換效...

2023-10-26 標(biāo)簽：芯片電源設(shè)計(jì)MOS管 1893 0

MOS管特性及其幾種常用驅(qū)動(dòng)電路詳解，電子工程師手把手教你

MOS管是一種電壓控制型半導(dǎo)體元件，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。工作原理基于半導(dǎo)體材料的能帶理論，通過調(diào)節(jié)柵極電壓來控制溝道的導(dǎo)通和截止。...

2023-10-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 7357 0