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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOSFET工作在飽和區(qū)時(shí),具有信號(hào)放大功能,柵極的電壓和漏極的電流基于其跨導(dǎo)保持一定的約束關(guān)系,柵極的電壓和漏極的電流的關(guān)系就是MOSFET的傳輸特性。
在嵌入式軟件開發(fā)中,經(jīng)常需要根據(jù)硬件原理圖去進(jìn)行GPIO口配置;如果你硬件知識(shí)一點(diǎn)都不懂,那么在開發(fā)中遇到問(wèn)題,你就很難初步判定是硬件的問(wèn)題,還是軟件配...
MOS管導(dǎo)通時(shí)電流大,斷開時(shí)電流小.我們一般說(shuō)MOS管要慢開快關(guān),這只是一個(gè)定性說(shuō)法,要注意一度的問(wèn)題,不是開通越慢越好,關(guān)斷越快越好.
異步整流的優(yōu)缺點(diǎn) 異步整流在輸出電流變化的情況下,二極管的電壓降相當(dāng)恒定,鍺管的壓降為0.3V,硅管的壓降為0.7V。 由于二極管的電壓降恒定,所以當(dāng)流...
MOS 管的開啟與關(guān)閉 要研究這個(gè)自舉的由來(lái),我們還是先看一下 MOS 的開啟與關(guān)閉。從上文得知,我們首先要分別看一下 NMOS 和 PMOS電源拓?fù)渲?..
場(chǎng)效應(yīng)管FET(Field Effect Transistor),是利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,分為結(jié)型(JFET)和絕緣...
2023-11-17 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 9789 0
基于MOS管和三極管的電源開關(guān)電路設(shè)計(jì)
三極管與MOS管組成的電源開關(guān)電路一定是NPN與PMOS管組合么?
2023-11-17 標(biāo)簽:三極管開關(guān)電路電路設(shè)計(jì) 3221 0
造成輸出電壓過(guò)沖的原因?電源模塊測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試輸出過(guò)沖步驟?
輸出電壓過(guò)沖是一個(gè)常見的電路問(wèn)題,它是指在電路中的電壓超過(guò)了規(guī)定的范圍
詳解IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)/特性/工作原理
IGBT 是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱,是一種三端半導(dǎo)體開關(guān)器件,可用于多種電子設(shè)備中的高效快速開關(guān)。 IGBT 主要用于放大器,用于通過(guò)脈沖寬度調(diào)制 (...
你要是想讀懂這篇文章,請(qǐng)先去了解MOS管的基礎(chǔ)知識(shí),本文是在基礎(chǔ)之上做出的一部分?jǐn)U展,可能有一點(diǎn)點(diǎn)深,請(qǐng)各位同學(xué)注意。
2023-11-15 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)MOS管源極 5319 0
一鍵開關(guān)機(jī)單片機(jī)電路設(shè)計(jì)
一般我們做單片機(jī)電路設(shè)計(jì)的時(shí)候,一般就是上電啟動(dòng),直接用開關(guān)來(lái)做上電。那我們手機(jī),MP3這些設(shè)備一般都是一鍵長(zhǎng)按然后開機(jī)。這樣做可以改善體驗(yàn),關(guān)鍵也不會(huì)誤觸發(fā)。
工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)0-10V輸出電路分析
今天分析一下,工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)0-10V輸出電路,這個(gè)電路是一個(gè)網(wǎng)上的開源的,今天主要分析一下0-10V輸出電路的實(shí)現(xiàn)。
我們?cè)谘邪l(fā)產(chǎn)品時(shí),我們?yōu)榱吮WC產(chǎn)品的可靠性,我們會(huì)設(shè)計(jì)電源防反電路;這是為了防止電源錯(cuò)插,插反導(dǎo)致主板燒毀;為了防止這種情況的發(fā)生,我們?cè)谠搭^增加了這一道程序。
BOOST電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和工作原理
在汽車電子各類控制器中,經(jīng)常會(huì)有BOOST升壓電路的設(shè)計(jì),以保證電壓掉到一定值后仍然能使部分功能運(yùn)行。
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