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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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這個(gè)主要是Drain加反偏電壓后,使得Drain/Bulk的PN結(jié)耗盡區(qū)延展,當(dāng)耗盡區(qū)碰到Source的時(shí)候,那源漏之間就不需要開啟就形成了 通路,所以...
關(guān)于同步整流芯片參數(shù)適配的經(jīng)驗(yàn)
更換同步整流控制IC后啟機(jī)效率明顯降低,首先從同步整流工作異常開始著手測(cè)量。如圖1所示,在同步整流驅(qū)動(dòng)波形測(cè)量的同時(shí)用熱成像儀測(cè)量同步整流MOS管的溫度...
2024-04-26 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管熱成像儀 1688 0
在實(shí)際應(yīng)用中,G極一般串聯(lián)一個(gè)電阻,防止MOS管被擊穿,也可以加上穩(wěn)壓二極管,并聯(lián)在分壓電阻上的電容,有一個(gè)軟啟動(dòng)的作用。
2024-04-22 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓二極管MOS管 2708 0
鋰離子電池是一種二次電池(充電電池),它主要依靠鋰離子在正極和負(fù)極之間移動(dòng)來(lái)工作。在充放電過(guò)程中,Li+在兩個(gè)電極之間往返嵌入和脫嵌,充電時(shí),Li+從正...
整流電路是將交流電轉(zhuǎn)換成單向脈動(dòng)性直流電,這就是交流電的整流過(guò)程,整流電路主要由整流二極管組成。經(jīng)過(guò)整流電路之后的電壓已經(jīng)不是交流電壓,而是一種含有直流...
MOS管的話題雖說(shuō)是老生常談,但這份資料幾年前就有人給我分享過(guò),這是網(wǎng)上評(píng)價(jià)非常高的一篇關(guān)于MOS管電路工作原理的講解,從管腳的識(shí)別,到極性的分辨,再到...
電路設(shè)計(jì)時(shí),不同的子系統(tǒng)之間無(wú)可避免的需要數(shù)字信號(hào)傳遞,不同的系統(tǒng)之間或者設(shè)備之間,數(shù)字接口電平經(jīng)常不一致,故需要用到電平轉(zhuǎn)換電路;
一文詳解開漏輸出和開集輸出的原理、特點(diǎn)和應(yīng)用
開漏(open-drain)或開集電極(open-collector)輸出引腳由單個(gè)晶體管驅(qū)動(dòng),將引腳拉到只有一個(gè)電壓(通常是接地)。當(dāng)輸出設(shè)備關(guān)閉時(shí),...
熟悉電子電路設(shè)計(jì)的朋友一定都知道,在電源整體設(shè)計(jì)中存在一些發(fā)熱非常嚴(yán)重的器件,如整流橋、MOS管、快恢復(fù)二極管這些器件。
MOS管主副電源自動(dòng)切換的電路設(shè)計(jì)
當(dāng)VUSB斷開后,PMOS的G端的電壓(5V)由電阻R1下拉到GND,此時(shí)PMOS導(dǎo)通,VCC由VBAT(為鋰電池)供電。
功率MOS管的驅(qū)動(dòng)電路中會(huì)分布各種電感,例如圖中的L,它們與MOSFET的Cgd, Cge會(huì)形成諧振電路:對(duì)開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)中的高頻諧波分量產(chǎn)生諧振,進(jìn)而引...
2024-04-16 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻電阻MOSFET 896 0
PFC頻繁炸機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路原理分析
用FAN73711浮驅(qū)芯片,在起機(jī)時(shí)沒有發(fā)現(xiàn)異常的高電平現(xiàn)象,基本能夠正常工作,但是在更加惡劣的工作狀態(tài)下會(huì)發(fā)生炸機(jī),比如在源跳變時(shí)會(huì)發(fā)生PFC炸機(jī)。
2024-04-15 標(biāo)簽:pcbMOS管驅(qū)動(dòng)電路 3529 0
當(dāng)VGS小于一定的電壓值,DS極就會(huì)導(dǎo)通,適合用于S極接正電源的情況(高端驅(qū)動(dòng))。雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動(dòng),但由于其導(dǎo)通電阻大、價(jià)格貴、替換...
光電三極管是一種半導(dǎo)體器件,能夠感應(yīng)光水平并根據(jù)其接收的光水平來(lái)改變?cè)诎l(fā)射極和集電極之間流動(dòng)的電流。顧名思義,光電三極管是一種晶體管,可以感應(yīng)光并改變晶...
2024-04-10 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管晶體管 2654 0
IGBT/三極管/MOS管這三種元器件之間有什么區(qū)別?
三極管的結(jié)構(gòu)是給一塊純硅進(jìn)行三層摻雜,其中較窄區(qū)域高濃度N型摻雜,含有大量自由電子,中間極窄區(qū)域普通濃度P型摻雜,含有少數(shù)空穴,上邊較寬區(qū)域普通濃度N型...
2024-04-09 標(biāo)簽:三極管MOS管發(fā)射機(jī) 1.9萬(wàn) 0
MOS管功能特性與實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景解析
那這兩張圖是完全等價(jià)的,我們可以看到MOS管是有三個(gè)端口,也就是有三個(gè)引腳,分別是GATE、DRAIN和SOURCE。至于為啥這么叫并不重要,只要記住他...
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