完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
文章:3071個(gè) 瀏覽:254554次 帖子:483個(gè)
IGBT應(yīng)用電子電路設(shè)計(jì)圖集錦 —電路圖天天讀(189)
IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT和MOS組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,它既有功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng),控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn),又有...
2015-06-25 標(biāo)簽:逆變器IGBT驅(qū)動(dòng)電路 3.8萬(wàn) 0
高頻功率切換損耗低 高速IGBT增強(qiáng)PV變頻器效能
對(duì)需要輸出過(guò)濾器或升壓/降壓抑制的應(yīng)用來(lái)說(shuō),較高的切換頻率可為整個(gè)系統(tǒng)帶來(lái)好處,像太陽(yáng)能變頻器就是同時(shí)兼具兩者的應(yīng)用。太陽(yáng)能變頻器具有最好的效率及功率密...
4.5kV IGBT/二極管芯片組在高壓直流輸電領(lǐng)域的應(yīng)用
制造商已經(jīng)為高壓直流 (HVDC) 應(yīng)用開(kāi)發(fā)出新的 4.5kV 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)/ 二極管芯片組并對(duì)其性能進(jìn)行了優(yōu)化 。
2014-10-28 標(biāo)簽:IGBT英飛凌科技FZ1200R45HL3 4362 0
新650V場(chǎng)截止IGBT給感應(yīng)加熱應(yīng)用領(lǐng)域注入光明前景
IGBT是感應(yīng)加熱系統(tǒng)中的關(guān)鍵功率半導(dǎo)體器件,采用合適的IGBT能夠提供低功率損耗以實(shí)現(xiàn)高效率,同時(shí)具備高可靠性以便電磁爐在壽命期內(nèi)正常工作。
2014-09-05 標(biāo)簽:IGBT感應(yīng)加熱場(chǎng)截止IGBT 2235 0
本文通過(guò)等效電路分析,通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用,并精簡(jiǎn)的指出了IGBT的特點(diǎn)??梢哉f(shuō),IGBT是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān),兼有MOSFET的高輸...
加強(qiáng)功率模組可靠性,功率循環(huán)/量測(cè)系統(tǒng)首當(dāng)其沖
在可預(yù)見(jiàn)的將來(lái),功率電子元件的使用將持續(xù)不斷的增加。任何需要電力變換、轉(zhuǎn)換或控制等功能都須使用各種形式的功率電子元件。##結(jié)構(gòu)函數(shù)的數(shù)學(xué)運(yùn)算相當(dāng)復(fù)雜,但...
本文介紹的是主要要求不可避免地需采用電源并聯(lián)技術(shù),即功率管并聯(lián)或電源裝置的并聯(lián)。對(duì)于 20kA直流電源,若采用功率管IGBT并聯(lián),每個(gè)橋臂則至少需15只...
汽車點(diǎn)火系統(tǒng)中的智能IGBT設(shè)計(jì)案例
用于點(diǎn)火線圈充電的開(kāi)關(guān)元件已經(jīng)歷了很大演變:從單個(gè)機(jī)械開(kāi)關(guān)、分電器中的多個(gè)斷電器觸點(diǎn),到安裝在分電器中或單獨(dú)電子控制模塊中的高壓達(dá)林頓雙極晶體管,再到直...
將電磁感應(yīng)加熱應(yīng)用的IGBT功率損耗降至最低
在此應(yīng)用中IGBT的總功率損耗包含導(dǎo)通損耗、導(dǎo)電損耗、關(guān)閉損耗及二極管損耗。二極管損耗在總功率損耗中所占比例可以忽略不計(jì),而如果使用了零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS...
2013-12-18 標(biāo)簽:IGBT 2368 0
基于PCI-9846H的死區(qū)時(shí)間引起的電壓波形畸變的研究
本文利用基于PCI-9846H的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)完成了對(duì)電機(jī)電量與非電量的采集,試驗(yàn)結(jié)果表明基于PCI-9846H的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)具有高采樣率和高采樣精度,能...
2013-12-10 標(biāo)簽:IGBTA/D轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)采集系統(tǒng) 3118 0
兼顧高耐壓與低Vce(sat)性能的650V場(chǎng)截止溝槽式IGBT受熱捧
絕緣閘雙極電晶體(IGBT)是一種少數(shù)載子功率元件,擁有高輸入阻抗和高雙極電流功能,這些特性使其適用于多種電力電子產(chǎn)品,特別是馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、不斷電系統(tǒng)(U...
2013-08-28 標(biāo)簽:IGBT 2092 0
加速線上工具的功率級(jí)設(shè)計(jì),助力IGBT特性分析功能提升
為讓電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員在最短時(shí)間內(nèi),完成新一代絕緣閘雙極電晶體(IGBT)元件特性評(píng)估作業(yè),功率半導(dǎo)體業(yè)者研發(fā)出更精密的線上設(shè)計(jì)工具,不僅能提供溫度和頻...
2013-08-15 標(biāo)簽:IGBT 1076 0
電動(dòng)車低速過(guò)載工況下IGBT動(dòng)態(tài)溫升分析
介紹了如何用英飛凌IPOSIM仿真工具對(duì)過(guò)載輸出時(shí)IGBT模塊結(jié)溫進(jìn)行仿真,以及不同工況下IGBT瞬時(shí)結(jié)溫的仿真結(jié)果。本文可對(duì)電動(dòng)車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)中IG...
2013-07-23 標(biāo)簽:IGBTEV過(guò)載可靠性瞬態(tài)熱阻 9344 0
淺談大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過(guò)流保護(hù)方案
在工業(yè)應(yīng)用中,一般都是利用這些瞬時(shí)過(guò)電流保護(hù)信號(hào),通過(guò)觸發(fā)器時(shí)序邏輯電路的記憶功能,構(gòu)成記憶鎖定保護(hù)電路,以避免保護(hù)電路在過(guò)流時(shí)的頻繁動(dòng)作,實(shí)現(xiàn)可取的過(guò)...
針對(duì)IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動(dòng)器
對(duì)電能轉(zhuǎn)換而言,可再生能源電子細(xì)分市場(chǎng)是一個(gè)復(fù)雜且多樣化的競(jìng)技場(chǎng)。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中,開(kāi)關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式,功率水平相當(dāng)?shù)停ā?00 W),并...
2013-04-19 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 1603 0
淺談功率半導(dǎo)體的技術(shù)與未來(lái)產(chǎn)業(yè)發(fā)展
經(jīng)過(guò)了很長(zhǎng)一段時(shí)間的發(fā)展,功率半導(dǎo)體在相關(guān)電源電路中的應(yīng)用已經(jīng)不可替代。尤其是在當(dāng)前太陽(yáng)能著力發(fā)展的時(shí)代,功率半導(dǎo)體更是大踏步向前,雖然目前有著氮化鎵與...
2013-02-25 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1.2萬(wàn) 0
在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT,IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動(dòng),控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn),...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |