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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1248人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：3071個 瀏覽：254554次 帖子：483個

      igbt技術(shù)

      IGBT開關(guān)速度調(diào)節(jié)測試，IGBT模塊一直發(fā)出雜音如何解決？

      IGBT開關(guān)速度調(diào)節(jié)測試，IGBT模塊一直發(fā)出雜音如何解決？

      這種方式已經(jīng)在邏輯IC里盛行?，F(xiàn)在的超高速邏輯電路都采用這種結(jié)構(gòu)，包括電腦中的CPU！我們已享用此原理，卻并不知道。

      2017-05-17 標簽：二極管電阻igbt 8047 0

      各種最經(jīng)典的IGBT電路賞析和保護方案，IGBT靜態(tài)和動態(tài)特性是什么？

      各種最經(jīng)典的IGBT電路賞析和保護方案，IGBT靜態(tài)和動態(tài)特性是什么？

      M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動電路采用雙電源（+15V，-10V）供電，輸出負偏壓為-10V，輸入輸出電平與TTL電平兼容，配有短路/過載保護和...

      2017-05-17 標簽：二極管電阻igbt 5069 0

      基于IGBT的固態(tài)脈沖調(diào)制器設(shè)計與實現(xiàn)，使用電阻控制IGBT開關(guān)的方法剖析

      基于IGBT的固態(tài)脈沖調(diào)制器設(shè)計與實現(xiàn)，使用電阻控制IGBT開關(guān)的方法剖析

      R2C2稱為反肩峰電路。當仿真線向不匹配的負載放電會在脈沖的前沿引起顯著的肩峰。R2C2電路就是為了減小這種肩峰的，其電阻通常選擇和負載阻抗相等，而電容...

      2017-05-17 標簽：單片機mos管igbt 2728 2

      基于IGBT電路的逆變器設(shè)計與分析，IGBT數(shù)字化模塊設(shè)計與考量

      基于IGBT電路的逆變器設(shè)計與分析，IGBT數(shù)字化模塊設(shè)計與考量

      　選擇導(dǎo)通阻抗非常低的mosFET作為開關(guān)器件，構(gòu)成IGBT柵極功率輸出電路，如圖4，同時，采用多個柵極電阻切換的方式，實現(xiàn)不同條件下對IGBT性能的調(diào)...

      2017-05-17 標簽：光纖電壓igbt 5614 0

      逆變電路中IGBT安全操作注意事項，IGBT的主要特性參數(shù)

      逆變電路中IGBT安全操作注意事項，IGBT的主要特性參數(shù)

      對于過壓保護采取的措施為：門極和發(fā)射極之間并聯(lián)反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管Vz3和Vz4；門極和發(fā)射極之間加門極發(fā)射極電阻R6；加阻容吸收電路，由D6、R14和...

      2017-05-17 標簽：電阻電容igbt 8659 1

      國內(nèi)igbt技術(shù)相比國外如何？igbt安全注意事項以及柵極干擾降低的實現(xiàn)

      國內(nèi)igbt技術(shù)相比國外如何？igbt安全注意事項以及柵極干擾降低的實現(xiàn)

      技術(shù)也要與之相適應(yīng)。未來IGBT模塊技術(shù)將圍繞 芯片背面焊接固定 與 正面電極互連 兩方面改進。模塊技術(shù)發(fā)展趨勢：無焊接、 無引線鍵合及無襯板/基板封裝...

      2017-05-16 標簽：新能源igbt晶體管 3883 0

      怎樣防止IGBT線路短路？IGBT模塊化分析與設(shè)計

      怎樣防止IGBT線路短路？IGBT模塊化分析與設(shè)計

      在vdc=1200v下進行了短路試驗，試驗波形如圖6所示?？梢?，在關(guān)斷開通短路電流和通態(tài)短路電流時，vcemax被可靠地箝位在1350v，小于vces（...

      2017-05-16 標簽：電容電機igbt 7219 0

      如何提升igbt讀寫速度，igbt模塊要如何安裝？igbt驅(qū)動板的安裝與調(diào)試

      如何提升igbt讀寫速度，igbt模塊要如何安裝？igbt驅(qū)動板的安裝與調(diào)試

      典型IGBT驅(qū)動板電路原理圖下圖為DA962Dx系列原理圖，參考下圖可設(shè)計出最大可驅(qū)動300A/1700V的IGBT驅(qū)動板，市售全功能版本的IGBT驅(qū)動...

      2017-05-16 標簽：芯片二極管igbt 4810 0

      IGBT在溫度傳感器領(lǐng)域的工作原理與設(shè)計，IGBT是如何做到讓汽車自動點火的

      除柴油機外，所有的內(nèi)燃機中都有一個基本電路（汽車點火系統(tǒng)）。用于點火線圈充電 的開關(guān)元件已經(jīng)歷了很大演變：從單個機械開關(guān)、分電器中的多個斷電器觸點，到安...

      2017-05-16 標簽：芯片電阻igbt 7289 0

      IGBT在逆變電路中的測試與仿真，IGBT逆變器緩沖定律

      IGBT在逆變電路中的測試與仿真，IGBT逆變器緩沖定律

      在設(shè)計緩沖電路時，應(yīng)考慮到緩沖二極管內(nèi)部和緩沖電容引線的寄生電感。利用小二級管和小電容并聯(lián)比用單只二極管和單只電容的等效寄生電感小，并盡量采用低感或無感...

      2017-05-16 標簽：電阻電容igbt 6527 0

      igbt串聯(lián)并聯(lián)原理設(shè)計賞析

      igbt串聯(lián)并聯(lián)原理設(shè)計賞析

      將高壓主電源分成若干相等的部分，目前基本上有兩種方法：一是利用電等的部分（分量電源），我們且稱為電容分壓型，比較適用于高頻變換（頻率過低，分壓電容的容量...

      2017-05-16 標簽：變壓器二極管igbt 1.8萬 0

      IGBT在電路設(shè)計中需要遵守的準則，為什么IGBT會在電路中失效？

      IGBT在電路設(shè)計中需要遵守的準則，為什么IGBT會在電路中失效？

      IGBT柵極負偏電壓—UGE直接影響其可靠運行，負偏電壓升高時集電極的浪涌電流明顯下降，對關(guān)斷能耗無顯著的影響?！猆GE與集電極浪涌電流和關(guān)斷能耗Eof...

      2017-05-16 標簽：pcb電容電路設(shè)計 6783 0

      增強型IGBT和充電控制二極管在未來的應(yīng)用

      增強型IGBT和充電控制二極管在未來的應(yīng)用

      對于快速二極管器件，損耗和反向恢復(fù)軟度仍然是匹配新的ET-IGBT性能的關(guān)鍵性能指標。場充電提?。‵CE）概念表明，極端開關(guān)條件下的軟恢復(fù)性能加上低損耗...

      2017-05-14 標簽：二極管電阻igbt 1803 0

      如何鑒定IGBT的真?zhèn)?，IGBT選型須知

      熱限制就是我們脈沖功率，時間比較短，它可能不是一個長期的工作點，可能突然增加，這個時候就涉及到另外一個指標，動態(tài)熱阻，我們叫做熱阻抗。這個波動量會直接影...

      2017-05-14 標簽：萬用表電壓igbt 7271 0

      兩個IGBT比一個IGBT好在哪里？IGBT使用注意事項，IGBT控制電路模塊

      兩個IGBT比一個IGBT好在哪里？IGBT使用注意事項，IGBT控制電路模塊

      IGBT單管和IGBT模塊的控制電路是一樣的，它們的作用和工作原理基本一樣，IGBT模塊可以看成是多個IGBT單管集成的模塊。IGBT模塊封裝技術(shù)拓展了...

      2017-05-14 標簽：萬用表igbt晶體管 1.4萬 0

      igbt封裝，單管IGBT，IPM和IMP的區(qū)別，四種igbt通用測量儀器

      igbt封裝，單管IGBT，IPM和IMP的區(qū)別，四種igbt通用測量儀器

      IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動，各種驅(qū)動保護電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電...

      2017-05-14 標簽：萬用表igbt晶體管 1.4萬 0

      場效應(yīng)管和IGBT的區(qū)別，IGBT所有型號大全

      場效應(yīng)管和IGBT的區(qū)別，IGBT所有型號大全

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      2017-05-14 標簽：電阻場效應(yīng)管igbt 3.8萬 0

      IGBT與MOS管的區(qū)別，IGBT與可控硅的區(qū)別，IGBT驅(qū)動電路設(shè)計

      IGBT與MOS管的區(qū)別，IGBT與可控硅的區(qū)別，IGBT驅(qū)動電路設(shè)計

      多的這個P層因內(nèi)有載流子，有電導(dǎo)調(diào)制作用，可以使IGBT在跟高電壓和電流下，有很低的壓降，因此IGBT可以做到很高電壓（目前最大6500V），但由于載流...

      2017-05-14 標簽：電路設(shè)計晶閘管mos管 5.5萬 0

      IGBT是什么，IGBT工作原理,IGBT的特性是什么

      當集電極被施加一個反向電壓時， J1 就會受到反向偏壓控制，耗盡層則會向N-區(qū)擴展。因過多地降低這個層面的厚度，將無法取得一個有效的阻斷能力，所以，這個...

      2017-05-14 標簽：電阻igbt晶體管 6.9萬 0

      IGBT的工作特性與IGBT的檢測

      IGBT的工作特性與IGBT的檢測

      IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管...

      2017-05-10 標簽：igbt晶體管 5345 1

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
      • 靜電防護
        靜電防護
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。
      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認波特率是115200，但是單片機不能達到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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      tvyt jf_97492079 efans_62931057 jf_36666513 jf_18435973 jf_10998439 故園東方水 jf_11830122 jf_24263545 阿bu jf_64181280 jf_85431462

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