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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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以空調(diào)壓縮機(jī)為例:國內(nèi)規(guī)定的電壓220V,頻率50Hz的電流經(jīng)整流濾波后得到310V左右的直流電,此直流電經(jīng)過逆變后,就可以得到用以控制壓縮機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)的變頻...
一種針對小功率電機(jī)驅(qū)動的全新壓注模表面貼裝型智能功率模塊
為了將盡可能多的分立元器件集成到IPM封裝中,我們采用了將IGBT和FWD集成為單個芯片中的RC-IGBT芯片,以確保有足夠的空間用于其他芯片/器件的封...
GaN和SiC器件或?qū)⒊蔀楣β兽D(zhuǎn)換應(yīng)用中的新型解決方案
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升,超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
大功率IGBT在新能源汽車領(lǐng)域的的研發(fā)情況如何?
GBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)...
淺析IGBT以及MOSFET器件的隔離驅(qū)動技術(shù)
由于不間斷電源的興起,IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng),因此在關(guān)斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格,需要負(fù)壓驅(qū)動進(jìn)行輔助。
對新能源車來說,電池、VCU、BSM、電機(jī)效率都缺乏提升空間,最有提升空間的當(dāng)屬電機(jī)驅(qū)動部分,而電機(jī)驅(qū)動部分最核心的元件IGBT(Insulated G...
Littelfuse專為電機(jī)控制和逆變器設(shè)計(jì)的IGBT模塊,有何特點(diǎn)
Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),已擴(kuò)充其專為電機(jī)控制和逆變器應(yīng)用設(shè)計(jì)的IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。 IGBT功率模塊提供廣泛的包裝...
采用2SD315AI-33模塊實(shí)現(xiàn)高性能的IGBT驅(qū)動保護(hù)電路的設(shè)計(jì)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型功率管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管...
空調(diào)電路逆變器點(diǎn)圖設(shè)計(jì)及圖示
本文研究設(shè)計(jì)了一種新的硬件方案,基于廣泛采用的IGBT模塊和磁隔離驅(qū)動IC實(shí)現(xiàn),通過IGBT模塊內(nèi)置NTC以及隔離型驅(qū)動IC的技術(shù)優(yōu)勢,提供給系統(tǒng)更準(zhǔn)確...
詳細(xì)解析五種PFC的開關(guān)管驅(qū)動方案
什么是PFC? PFC(Power Factor Correction)-功率因數(shù)校正,功率因數(shù),簡單的說就是有功功率和視在功率的比值,這里的視在功率被...
本文主要介紹了多款igbt驅(qū)動電路及原理說明,另外還介紹了GBT驅(qū)動電路的常見形式。
利用英飛凌IGBT單管設(shè)計(jì)手提式焊機(jī)
D2PAK封裝雜散電感小, 開關(guān)損耗小,價格便宜,表貼安裝于IMS材料上,熱阻低,易于自動化焊接生產(chǎn),可靠性高,非常適合做小巧,輕便,低價,高可靠性的單...
功率器件的可靠性是指在規(guī)定條件下,器件完成規(guī)定功能的能力,通常用使用壽命表示。由于半導(dǎo)體器件主要是用來實(shí)現(xiàn)電流的切換,會產(chǎn)生較大的功率損耗,因此,電力電...
開關(guān)IGBT T1時,主電流將從續(xù)流二極管D1換向到IGBT。由于二極管電流衰減產(chǎn)生的電流變化率diC2 /dt在LσE2上產(chǎn)生感應(yīng)電壓,并使T2的發(fā)射...
電動商用車對IGBT模塊有什么要求?IGBT在電動商用車的應(yīng)用特點(diǎn)概述
英飛凌公司高級經(jīng)理陳子穎在高工電動車·電動物流車產(chǎn)業(yè)峰會上,發(fā)表了《電動商用車IGBT模塊的關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用要求》的精彩演講,詳細(xì)闡述了IGBT的標(biāo)準(zhǔn)體系...
IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域_IGBT國內(nèi)外市場規(guī)模
受益于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等各種利好措施,IGBT市場將引來爆發(fā)點(diǎn)。
2018-07-28 標(biāo)簽:IGBT 3.3萬 0
車載功率半導(dǎo)體概述!汽車級大功率IGBT發(fā)展趨勢
MOSFET 的優(yōu)點(diǎn)是較高的開關(guān)頻率,可以工作在百 kHz 到 MHz 之間;缺點(diǎn)是耐壓低,在高電壓、大電流應(yīng)用中損耗非常大,因而限制了其應(yīng)用。IGBT...
2018-07-26 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT功率半導(dǎo)體 1.2萬 0
而國內(nèi)在電機(jī)、電控領(lǐng)域的自主化程度仍遠(yuǎn)落后于動力電池領(lǐng)域的研發(fā)和生產(chǎn)。如IGBT芯片等仍不具備完全自主生產(chǎn)能力,具備系統(tǒng)完整知識產(chǎn)權(quán)的整車企業(yè)和零部件企...
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