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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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瞬態(tài)過(guò)電流IGBT在運(yùn)行過(guò)程中所承受的大幅值過(guò)電流除短路、直通等故障外,還有續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流、緩沖電容器的放電電流及噪聲干擾造成的尖峰電流。這種...
IGBT失效場(chǎng)合:來(lái)自系統(tǒng)內(nèi)部,如電力系統(tǒng)分布的雜散電感、電機(jī)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)、負(fù)載突變都會(huì)引起過(guò)電壓和過(guò)電流;來(lái)自系統(tǒng)外部,如電網(wǎng)波動(dòng)、電力線感應(yīng)、浪涌等。...
變頻器的風(fēng)扇不轉(zhuǎn)了到底會(huì)不會(huì)影響變頻器?
會(huì)嚴(yán)重影響變頻器的正常工作。變頻器內(nèi)部的核心器件都是(IGBT)電力半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元器件,正常工作時(shí),它們都會(huì)產(chǎn)生大量熱能,如果沒(méi)有風(fēng)扇強(qiáng)制散熱,它的感溫頭...
IGBT的柵極電壓影響著集電極輸出電流IC的大小,電路中如果用閾值電壓VGE(th)不同的IGBT組成并聯(lián)電路,即使柵極電壓相同,流過(guò)各支路的電流也會(huì)有...
2019-08-21 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 7014 0
ADuM4135柵極驅(qū)動(dòng)器與APTGT75A120 IGBT的結(jié)合使用
絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)高效型解決方案,如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用。
2019-08-16 標(biāo)簽:adiIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 2601 0
教你選擇隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的正確“姿勢(shì)”
在功率電子(例如驅(qū)動(dòng)技術(shù))中,IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開(kāi)關(guān)。
2019-08-07 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 4656 0
SCR的開(kāi)關(guān)時(shí)間較長(zhǎng),所以頻率不能太高,一般在3-5KHZ左右;IGBT的開(kāi)關(guān)頻率較高。IGBT模塊可達(dá)30KHZ左右,IGBT單管開(kāi)關(guān)頻率更高,達(dá)50...
變頻器是利用電力半導(dǎo)體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)和微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,高壓大功率變頻調(diào)速裝置不斷地成熟...
驅(qū)動(dòng)信號(hào)仍然采用處理脈寬調(diào)制器輸出信號(hào)的形式。使得兩路驅(qū)動(dòng)信號(hào)的相位錯(cuò)開(kāi)(有死區(qū)),以防止兩個(gè)開(kāi)關(guān)管同時(shí)導(dǎo)通而產(chǎn)生過(guò)大電流損壞開(kāi)關(guān)管。驅(qū)動(dòng)信號(hào)的中點(diǎn)同樣...
逆變器核心開(kāi)關(guān)器件IGBT的應(yīng)用特點(diǎn)、可靠性
本文研究了逆變器核心開(kāi)關(guān)器件IGBT主要參數(shù)的選擇, 分析三相逆變電路拓?fù)浼肮β势骷蘒GBT的應(yīng)用特點(diǎn),根據(jù)其特點(diǎn)選擇合適額定電壓,額定電流和開(kāi)關(guān)參數(shù)。...
常見(jiàn)的MOSFET以及IGBT絕緣柵極隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)解析
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu),直流電不能通過(guò),因而低頻的表態(tài)驅(qū)動(dòng)功率接近于零。但是柵極和源極之...
2019-07-03 標(biāo)簽:MOSFETIGBT隔離驅(qū)動(dòng) 4982 0
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...
2019-07-02 標(biāo)簽:電力電子器件IGBT功率半導(dǎo)體器件 1.4萬(wàn) 0
IGBT基本結(jié)構(gòu)和原理_IGBT設(shè)計(jì)關(guān)鍵因素
因?yàn)樽罱ぷ髦斜容^多的涉及到IGBT,所以今天我們來(lái)聊一聊IGBT的設(shè)計(jì)的相關(guān)要點(diǎn),當(dāng)然只是從我們比較關(guān)心的幾點(diǎn)出發(fā),概括性地來(lái)說(shuō)一說(shuō)。而沒(méi)有深入到物理...
IGBT晶體管采用這兩種常見(jiàn)晶體管的最佳部分,即MOSFET的高輸入阻抗和高開(kāi)關(guān)速度利用雙極晶體管的低飽和電壓,將它們組合在一起,產(chǎn)生另一種類型的晶體管...
把半橋電路的兩個(gè)橋臂諧振電容改成兩個(gè)IGBT,線圈串聯(lián)一個(gè)揩振電容就構(gòu)成全橋電路,IGBT1和IGBT4以及IGBT2和IGBT3交替工作,從而獲得比較...
閂鎖(Lanch-up)效應(yīng),一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象,當(dāng)然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片...
2019-05-28 標(biāo)簽:IGBT閂鎖效應(yīng) 1.8萬(wàn) 0
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)如何成功可靠地實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場(chǎng)趨勢(shì)是對(duì)更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)時(shí)間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶...
2019-05-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 4650 0
ROHM新推基于AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的四款車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”
ROHM新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
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