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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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基于IGBT器件的三相逆變器驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與分析
電 力 電 子 變 換 技 術(shù) 的 發(fā) 展 , 使 得 各 種 各 樣 的 電 力 電 子 器 件 得 到 了 迅 速 的 發(fā) 展 。 20世 紀(jì) 80...
2020-07-16 標(biāo)簽:逆變器igbt驅(qū)動(dòng)電路 3684 0
焊機(jī)的基本知識(shí)、電路拓?fù)渑cIGBT選擇的建議
焊機(jī)作為比較傳統(tǒng)的行業(yè),但是任何一個(gè)行業(yè)不可能是停滯不前的。俗話說:原地踏步就等于退步。所以,隨著電子元器件的發(fā)展,各個(gè)行業(yè)也都在不停地迭代更新,推出新...
小白常犯的錯(cuò)誤:IGBT的頻率的高底取決于散熱和電流
首先,開關(guān)頻率是指IGBT在一秒鐘內(nèi)開關(guān)次數(shù)。而在確定的母線電壓和導(dǎo)通電流下,IGBT每次開關(guān)都會(huì)產(chǎn)生一定的損耗,開通損耗是Eon,關(guān)斷損耗是Eoff,...
實(shí)際上,三相380伏輸入的IGBT的耐壓值是1200伏,往往要求工作在800伏以內(nèi),考慮到電壓如果升高,都會(huì)有個(gè)慣性問題,也就是你馬上讓制動(dòng)電阻工作了,...
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)幾個(gè)方面的不同
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短...
基于MOSFET和IGBT器件在電機(jī)控制應(yīng)用中的選擇
長(zhǎng)期以來,發(fā)動(dòng)機(jī)控制一直處于研究和開發(fā)活動(dòng)的前沿,其目標(biāo)是在兩個(gè)層面上找到有效和高效的微電子解決方案,一個(gè)是計(jì)算軟件,另一個(gè)是可以在微電子層次集成的電力...
2020-01-30 標(biāo)簽:mosfet電動(dòng)機(jī)igbt 4361 0
PMA等離子釬焊機(jī)的工作原理及應(yīng)用特點(diǎn)
原理:在陰極和噴嘴的內(nèi)壁之間產(chǎn)生電弧,輸入氣體后,氣體被陰極和噴嘴之間的電弧加熱并造成全部或部分電離,然后由噴嘴噴出形成等離子火焰,外部火焰溫度高達(dá)15...
如何為IGBT提供合適柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器
在開關(guān)期間,晶體管會(huì)處于同時(shí)施加了高電壓和高電流的狀態(tài)。根據(jù)歐姆定律,這將導(dǎo)致一定的損耗,具體取決于這些狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間(參見圖2)。目標(biāo)是要最大程度地減...
2019-10-10 標(biāo)簽:IGBT總線柵極驅(qū)動(dòng)器 1874 0
IGBT集-射極之間的瞬時(shí)過壓會(huì)對(duì)IGBT造成損壞,筆者采用箝位式吸收電路對(duì)瞬時(shí)過電壓進(jìn)行抑制。
2019-09-30 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路 1.1萬 0
IGBT動(dòng)態(tài)雪崩產(chǎn)生機(jī)制_IGBT動(dòng)態(tài)雪崩的抑制方法
在動(dòng)態(tài)關(guān)斷過程中,器件內(nèi)部所發(fā)生的由電流控制的受自由載流子濃度影響的碰撞電離現(xiàn)象。
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 1.7萬 0
功率晶體管的電壓/電流都選得足夠大,除了注意自己的人身安全,一般不用擔(dān)心功率晶體管會(huì)損壞。但是在實(shí)際產(chǎn)品實(shí)驗(yàn)中,功率晶體管技術(shù)規(guī)格的裕量不可能選得這么大...
IGBT絕緣柵雙極型晶體管模塊是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和電力晶體管(GTR)相結(jié)合的產(chǎn)物。
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 5.4萬 0
在IGBT的應(yīng)用中,當(dāng)外部負(fù)載發(fā)生故障,或者柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)出現(xiàn)異常,或者某個(gè)IGBT或二極管突然失效,均可能引起IGBT短路,表現(xiàn)為橋臂內(nèi)短路、相同短路及...
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 2.9萬 0
IGBT集-射極之間的瞬時(shí)過壓會(huì)對(duì)IGBT造成損壞,筆者采用箝位式吸收電路對(duì)瞬時(shí)過電壓進(jìn)行抑制。
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 6813 0
三款大功率IGBT驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用
Infineon公司是出界上著名的半導(dǎo)體生產(chǎn)商,其生產(chǎn)的“EUPEC”IGHT在世界范圍內(nèi)占有很大部分份額。其配套生產(chǎn)的EiceDriver系列IGBT...
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 2.0萬 0
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用舉例
IGBT的驅(qū)動(dòng)電路必須具備兩種功能:一是實(shí)現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動(dòng)IGBT柵極的電位隔離;二是提供合適的柵極驅(qū)動(dòng)脈沖。實(shí)現(xiàn)電位隔離可以采用脈沖變壓器、微分變壓...
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 1.7萬 0
多階段驅(qū)動(dòng)方法就是將IGBT開通關(guān)斷過程分段控制,對(duì)不同的階段采取不同的控制方法,這樣就可以盡量減小因?yàn)榭刂贫斐傻拈_關(guān)延時(shí)和開關(guān)損耗,從而在實(shí)現(xiàn)相同控...
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 7690 0
和改電阻法不同的是,改電壓法是在控制階段改變驅(qū)動(dòng)電壓來控制電壓電流過沖。改驅(qū)動(dòng)電壓的方法大概有兩種,一種是通過電阻分壓實(shí)現(xiàn)改驅(qū)動(dòng)電壓,另外一種是在控制芯...
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 1.3萬 0
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