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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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淺談高度集成的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——ACPL-337J
ACPL-337J是一款先進(jìn)的高度集成的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器,旨在隔離,驅(qū)動(dòng),保護(hù)和反饋IGBT的工作狀態(tài)。 它具有軌到軌輸出,可以提供4A的最大電流,能...
淺談MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器理論及其應(yīng)用
本應(yīng)用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器理論及其應(yīng)用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術(shù),驅(qū)動(dòng)器的類型,隔離技術(shù)以及MOSFET / IGB...
2021-05-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 3726 0
在這種情況下,不再容易忽略需要重新加載的內(nèi)部電容,而這些電容在小型MOSFET的控制中幾乎不起任何作用。
2021-05-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器光纖IGBT 3005 0
絕緣柵雙極晶體管知識(shí):IGBT對比功率MOSFET和BJT的優(yōu)勢
由于電導(dǎo)率調(diào)制,它具有非常低的導(dǎo)通狀態(tài)電壓降,并具有出色的導(dǎo)通狀態(tài)電流密度。因此,較小的芯片尺寸是可能的,并且可以降低成本。
2021-05-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器開關(guān)電源PWM 5580 0
淺談汽車PTC模塊中用低側(cè)驅(qū)動(dòng)器IC的作用分析
分立式電路的一個(gè)顯著缺點(diǎn)是它不提供保護(hù),而柵極驅(qū)動(dòng)器IC集成了對于確??深A(yù)測和穩(wěn)定的柵極驅(qū)動(dòng)非常重要的功能。
2021-05-31 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電源開關(guān) 5120 0
本應(yīng)用筆記介紹了為反向阻斷功能而開發(fā)的新型 IGBT。應(yīng)用筆記介紹了新型 IGBT 的應(yīng)用及其電氣特性。 抽象的 開發(fā)了一種新的 IGBT,具有反向阻斷...
2021-06-01 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器逆變器 3569 1
650V場截止IGBT 現(xiàn)代廚房技術(shù)分析
現(xiàn)代廚房技術(shù)現(xiàn)在涉及感應(yīng)烹飪,以提供更簡單的方法和更快的食物準(zhǔn)備。由于不同制造商品牌在市場上競爭,秘訣在于感應(yīng)加熱器可產(chǎn)生更多功率輸出,從而縮短烹飪時(shí)間...
電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的功率轉(zhuǎn)換器框圖分析
絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 需要全面保護(hù),以避免因短路、過載和過壓等條件造成損壞和故障。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽能和風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)等應(yīng)用中,保護(hù)是確保電源轉(zhuǎn)換...
2021-06-14 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器IGBT交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 3514 0
基于IGBT / MOSFET 的柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)方案
本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT...
2021-06-14 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 4672 0
IGBT,電力電子的CPU!小小功率半導(dǎo)體器件,卻在很多電力電子相關(guān)的領(lǐng)域發(fā)揮著巨大的作用。近年來,IGBT發(fā)展迅猛,英飛凌以及日本廠商不斷針對各類應(yīng)用...
2020-10-27 標(biāo)簽:IGBT 2.5萬 0
上半年COVID-19疫情的爆發(fā),給IT設(shè)備領(lǐng)域創(chuàng)造了新的行業(yè)熱點(diǎn),但對交通出行行業(yè)造成了重創(chuàng)。從中國汽車工業(yè)協(xié)會(huì)(CAAM)的數(shù)據(jù)來看,今年一季度,乘...
2020-10-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器IGBT 8756 0
基于Lifetime控制技術(shù)的超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS
ROHM獨(dú)有的超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS,運(yùn)用ROHM獨(dú)創(chuàng)的Lifetime控制技術(shù)優(yōu)勢,實(shí)現(xiàn)了極快*的反向恢復(fù)時(shí)間(trr),非常有助于...
2021-01-07 標(biāo)簽:逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 3744 0
基于IGBT模塊和驅(qū)動(dòng)器IC的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器設(shè)計(jì)方案
電機(jī)和逆變器的使用在工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、電動(dòng)汽車、太陽能、白色家電和電動(dòng)工具等應(yīng)用中日漸增長。隨著這種增長是對提高效率、降低成本、縮小封裝和簡化整體設(shè)計(jì)...
2020-12-28 標(biāo)簽:逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 8001 0
IGBT和SiC MOSFET差異 柵極驅(qū)動(dòng)器電路設(shè)計(jì)
也許與此主題相關(guān)的最根本的問題是問為什么使用并行模塊?將2個(gè)200A模塊并聯(lián)成一個(gè)400A模塊有什么好處,為什么不簡單地使用400A零件呢?在商業(yè)方面,...
IGBT電動(dòng)汽車空調(diào)有哪些關(guān)鍵技術(shù)
ROHM的RGS系列是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)、且具有1200V和650V寬耐壓范圍的IGBT產(chǎn)品。該系列具有更低的傳導(dǎo)損耗,有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的效率并...
2020-10-02 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT 3143 0
我們都知道,電源設(shè)計(jì)開發(fā)當(dāng)然算是個(gè)技術(shù)活兒,也是累活兒,工作繁雜挑戰(zhàn)諸多。電源設(shè)計(jì)工程師根據(jù)任務(wù)書選擇合適的器件和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),設(shè)計(jì)符合功能的原型版,電源設(shè)...
2020-10-06 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)IGBTEMC 1608 0
ITECH半導(dǎo)體測試方案解析,從容應(yīng)對全球功率半導(dǎo)體市場風(fēng)起云涌
功率模塊供應(yīng)商會(huì)搭建不同的產(chǎn)品解決方案,并進(jìn)行轉(zhuǎn)換效率,溫升等指標(biāo)驗(yàn)證,向下游的客戶(生產(chǎn)電機(jī)控制器,UPS,光伏逆變器制造商…)提供參考案例并證明其性...
2020-08-17 標(biāo)簽:IGBT功率模塊功率半導(dǎo)體 1164 0
IGBT –電動(dòng)汽車空調(diào)的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)
與使用內(nèi)燃機(jī)的傳統(tǒng)汽車相比,電動(dòng)汽車的能效要高得多,但這也帶來一個(gè)問題:來自電機(jī)的廢熱不再足以滿足車內(nèi)的取暖需求。
2020-08-04 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器IGBT 1689 0
基于IGBT技術(shù)實(shí)現(xiàn)反并聯(lián)二極管的正確設(shè)計(jì)
二極管的反向恢復(fù)電荷Qrr與正向壓降Vf的關(guān)系曲線可以表示出二極管的特性。這意味著,原則上該曲線上的每一個(gè)點(diǎn)都能實(shí)現(xiàn),如圖1所示。因此,可以設(shè)計(jì)出低Qr...
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