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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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ACPL-P349/W349評估板特性 IGBT或SiC/GaN MOSFET柵極驅(qū)動器配置分析
本手冊概述了 ACPL-P349/W349 評估板的特性以及評估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅(qū)動器所需的配置。需要目視檢查以...
關(guān)于IGBT的內(nèi)部寄生參數(shù),產(chǎn)品設(shè)計時對IGBT的選型所關(guān)注的參數(shù)涉及到的寄生參數(shù)考慮的不是很多,對于其標稱的電壓、電流和損耗等關(guān)注的比較多。當然針對不...
雙脈沖開關(guān)的特性是什么,IGBT開通和關(guān)斷過程描述
在IGBT開關(guān)過程中通常用開通延遲td(on)、關(guān)斷延遲td(off)、上升時間tr和下降時間tf來進行描述。
通過IGBT簡化裸片溫度計算方法優(yōu)化應用系統(tǒng)性能
大多數(shù)半導體組件結(jié)溫的計算過程很多人都知道。通常情況下,外殼或接腳溫度已知。量測裸片的功率耗散,并乘以裸片至封裝的熱阻(用theta或θ表示),以計算外...
使用隔離放大器實現(xiàn)高成本效益的充分IGBT保護方案
絕緣柵雙極晶體管(IGBT, Insulated-Gate Bipolar Transistor)需要充分的保護以避免短路、過載和過電壓等錯誤情況所造成...
利用隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器延長IGBT驅(qū)動電路的使用時長
IGBT是電源中的一個核心部分,其主要特點是開關(guān)速度快,通常應用于逆變器或電機控制系統(tǒng)。一般IGBT的驅(qū)動電路由體積小、效率高的DC/DC轉(zhuǎn)換器組成,因...
2021-03-15 標簽:發(fā)動機轉(zhuǎn)換器igbt 3320 0
大功率IGBT驅(qū)動的技術(shù)特點及發(fā)展趨勢分析
由于igbt具有開關(guān)頻率高、導通功耗小及門極控制方便等特點,在大功率變換系統(tǒng)中得到廣泛的應用。在igbt應用中,除其本身的技術(shù)水平以外,另一個要考慮的重...
IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動為可靠驅(qū)動絕緣柵器件,目前已有很多成熟電路。當驅(qū)動信號與功率器件不需要隔離時,驅(qū)動電路的設(shè)計是比較簡單的,目前也有了許多優(yōu)...
分析和比較驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)和功率回路耦合特性對于并聯(lián)IGBT均流特性的影響
本文作者北京交通大學電氣工程學院穆峰,劉宜鑫,賈靜雯,郝欣,楊勇,黃先進 摘要:隨著電力電子應用越發(fā)趨于高壓與高功率密度,單個模塊已經(jīng)無法滿足其需求,功...
離網(wǎng)逆變器到底是什么?并網(wǎng)逆變器的原理詳細說明
逆變器是眾多設(shè)備中不可缺少的一環(huán),由此可見逆變器的重要性。為增進大家對逆變器的認識,本文將對離網(wǎng)逆變器、并網(wǎng)逆變器進行介紹,并探討離網(wǎng)逆變器、并網(wǎng)逆變器...
如何通過柵極驅(qū)動技術(shù)實現(xiàn)SiC性能的最大化
SiC和其他寬禁帶器件的基本優(yōu)勢源于它們的帶隙,價帶頂部和導帶底部之間的能量差。電子從低能價帶移動到高能導帶使材料導電。
2021-02-20 標簽:電動汽車IGBT電源開關(guān) 2858 0
我們都知道電力電子裝置中換流回路的雜散電感對器件的開關(guān)過程影響非常大,如果前期設(shè)計不注意,后期麻煩事會非常多,例如:器件過壓高、振蕩嚴重,EMI超標等。...
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