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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...
IGBT過流保護(hù)技術(shù)在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場(chǎng)趨勢(shì)是對(duì)更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時(shí)間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶...
2022-07-13 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT晶體管 1593 0
隨著快充市場(chǎng)的飛速發(fā)展和競(jìng)爭(zhēng)加劇,對(duì)整體方案降本的要求更加嚴(yán)苛,為了更好地支持客戶提升競(jìng)爭(zhēng)力與優(yōu)化性價(jià)比,晶豐明源推出了契合市場(chǎng)需求、集成具有IGBT結(jié)...
IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度...
風(fēng)力發(fā)電的逆變?cè)O(shè)備,可以將蓄電池中的DC12V直流電轉(zhuǎn)換為和市電相同AC220V交流電。逆變器主要是由MOS場(chǎng)效應(yīng)管與電源變壓器為核心,通過模擬電路...
IGBT功率放大保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方案
IGBT的損耗功率隨著開關(guān)頻率的增高而增大,大功率運(yùn)行時(shí),損耗功率易急劇增加發(fā)熱,由于IGBT的結(jié)溫不超過125℃,基于IGBT的功率開關(guān)電路不能長期...
變頻器在設(shè)計(jì)上不斷的推陳出新,為了提高功率密度并降低成本,工程師更是絞盡腦汁。IGBT(絕緣柵型雙極性晶體管)在變頻器里屬于關(guān)鍵器件,其選型和損耗直接關(guān)...
2022-06-29 標(biāo)簽:IGBT 1.5萬 0
雙脈沖測(cè)試的基本原理、基本實(shí)驗(yàn)以及波形
一般,我們是通過閱讀器件廠商提供的datasheet來了解一個(gè)器件的參數(shù)特性,但是datasheet中所描述的參數(shù)是在特定的外部參數(shù)條件測(cè)試得來的,因此...
為什么要擔(dān)心柵極驅(qū)動(dòng)器的電源?
在驅(qū)動(dòng)電路電壓軌處于正確值之前,不應(yīng)由 PWM 信號(hào)主動(dòng)驅(qū)動(dòng) IGBT/MOSFET。然而,當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng) DC/DC 上電或斷電時(shí),即使 PWM 信號(hào)處于...
2022-06-16 標(biāo)簽:MOSFETIGBTdcdc轉(zhuǎn)換器 1913 0
BC-IGBT 由結(jié)構(gòu)頂部和底部的柵極組成。東京大學(xué)的研究員 Takuya Saraya 在論文中說:“IGBT 的一個(gè)主要缺點(diǎn)是其開關(guān)頻率相對(duì)較低,因...
2022-06-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 3.3萬 0
IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和各類變流器,IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一,短路保護(hù)可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測(cè)等多種方式實(shí)現(xiàn)。
通用變頻器應(yīng)用在大慣量負(fù)載時(shí),短時(shí)間內(nèi)的減速會(huì)使母線電壓升高,由于成本原因通用變頻器沒有主動(dòng)前端無法將能量回饋電網(wǎng),理論上如果電容容量夠大,可以先存儲(chǔ)能...
2022-06-07 標(biāo)簽:變頻器IGBT制動(dòng)電阻 2.0萬 1
BOS大功率逆變模塊主要由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、開關(guān)電源、散熱器、電解、吸收電容、驅(qū)動(dòng)板、銅板等部件相互連接組成,該模塊組采用IGBT逆變技術(shù)...
IGBT作為一種功率開關(guān),從門級(jí)信號(hào)到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時(shí)間,就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣,過短的開通脈沖可能會(huì)引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。
2022-05-24 標(biāo)簽:二極管數(shù)據(jù)發(fā)生器 3558 0
總結(jié)一下,對(duì)于米勒電流引起的寄生導(dǎo)通,在0V關(guān)斷的情況下,可以使用米勒鉗位來抑制。當(dāng)出現(xiàn)非米勒電流引起的寄生導(dǎo)通時(shí),如果不想減慢開關(guān)速度增加損耗的話,加...
IGBT驅(qū)動(dòng)優(yōu)化的底層邏輯是什么
——驅(qū)動(dòng)優(yōu)化的底層邏輯是什么?
2022-04-29 標(biāo)簽:電流IGBT驅(qū)動(dòng)芯片 3340 0
大家好,今天我們聊一下IGBT模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)。IGBT作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極為廣泛,被譽(yù)...
2022-04-20 標(biāo)簽:模塊IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu) 2.5萬 0
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