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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用!
電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加,并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用,包括電動(dòng)汽車(chē)、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深...
在變頻器維修中,有時(shí)候會(huì)碰到變頻器三相電壓不平衡的問(wèn)題,空載時(shí)不報(bào)警,重載時(shí)變頻器會(huì)有輸出缺項(xiàng)報(bào)警,造成這種問(wèn)題如下。
IGBT模塊參數(shù)詳解 車(chē)用IGBT模塊可靠性
絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor) 是由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(...
2022-11-16 標(biāo)簽:IGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管雙極結(jié)型晶體管 856 0
聊聊二合一加強(qiáng)版的IGBT以及前身半導(dǎo)體器件
從p型和n型半導(dǎo)體,到最基礎(chǔ)的pn結(jié),到pnp/npn的BJT,到pnpn的晶閘管,再到單極性器件MOSFET,再到最終的IGBT,一步步折中優(yōu)化,使I...
如下圖自舉電路僅僅需要一個(gè)15~18V的電源來(lái)給逆變器的驅(qū)動(dòng)級(jí)提供能量,所有半橋底部IGBT都與這個(gè)電源直接相連,半橋上部IGBT的驅(qū)動(dòng)器通過(guò)電阻Rbo...
深度解析七大汽車(chē)芯片產(chǎn)業(yè)等細(xì)分領(lǐng)域機(jī)遇與挑戰(zhàn)
在車(chē)載鏡頭領(lǐng)域,舜宇光學(xué)(02382.HK)龍頭地位穩(wěn)固,其車(chē)載鏡頭出貨量已連續(xù)9年穩(wěn)居世界第一,2020年市占率32%,與第二名份額拉開(kāi)較大差距。
SiC MOSFET相對(duì)于Si MOSFET和IGBT的優(yōu)勢(shì)
ROHM 具有電流隔離功能的新型晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器 ( BM6112 ) 非常適合應(yīng)對(duì)驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 的獨(dú)特挑戰(zhàn)。它可以驅(qū)動(dòng)高達(dá) 20A 的大...
使用三個(gè)單相逆變電路就可以組合成一個(gè)三相逆變電路,而使用到IGBT作為開(kāi)關(guān)器件的三相電壓型橋式逆變電路使用最為廣泛,接下來(lái)我們學(xué)習(xí)該電路工作原理。
IGBT失效場(chǎng)合:來(lái)自系統(tǒng)內(nèi)部,如電力系統(tǒng)分布的雜散電感、電機(jī)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)、負(fù)載突變都會(huì)引起過(guò)電壓和過(guò)電流;來(lái)自系統(tǒng)外部,如電網(wǎng)波動(dòng)、電力線感應(yīng)、浪涌等。...
功率器件模塊封裝結(jié)構(gòu)演進(jìn)趨勢(shì)
IGBT模塊是新一代的功率半導(dǎo)體電子元件模塊,誕生于20世紀(jì)80年代,并在90年代進(jìn)行新一輪的改革升級(jí),通過(guò)新技術(shù)的發(fā)展,現(xiàn)在的IGBT模塊已經(jīng)成為集通...
隔離比較器在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的應(yīng)用
功率半導(dǎo)體供應(yīng)商不斷在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)速度上實(shí)現(xiàn)突破,推出更高的電流等級(jí)、更小的封裝尺寸以及更短的短路耐受時(shí)間的半導(dǎo)體器件。并且隨著寬禁帶半導(dǎo)體器件成本降...
2022-10-14 標(biāo)簽:比較器電機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2884 0
通態(tài)損耗Ps。大體來(lái)講,通態(tài)損耗等于集電極電流和IGBT管飽和壓降的乘積即:Ps=Ic*Uces。
2022-10-13 標(biāo)簽:IGBT續(xù)流二極管開(kāi)關(guān)損耗 3004 0
ZVS1和ZVS2各有哪些優(yōu)缺點(diǎn),如何選擇?
工作在容性區(qū)域電流超前于電壓,前級(jí)開(kāi)關(guān)管容易實(shí)現(xiàn)ZCS關(guān)斷,這個(gè)區(qū)域比較適合IGBT。 工作在感性區(qū)域電壓超前于電流,前級(jí)開(kāi)關(guān)管容易實(shí)現(xiàn)ZVS開(kāi)通,這個(gè)...
作為瑞能功率半導(dǎo)體產(chǎn)品大家庭中的重要成員,快恢復(fù)二極管-FRD以其較低的正向?qū)▔航礦F和反向恢復(fù)電荷QRR,能幫助客戶獲得較高的系統(tǒng)整機(jī)效率,兼具出色...
2022-10-10 標(biāo)簽:IGBT快恢復(fù)二極管瑞能半導(dǎo)體 5369 0
漏電問(wèn)題的解決方案 為了避免這個(gè)問(wèn)題的發(fā)生,在硬件設(shè)計(jì)的時(shí)候,就加入了感應(yīng)電浪涌濾波器電路,并將浪涌濾波器的接地端于變頻器的外殼相連。
IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),所以它是一個(gè)有MOS Gate的BJT晶體管。奇...
2022-10-09 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源變頻器IGBT 4500 0
一文解析純電動(dòng)汽車(chē)“熱泵”技術(shù)
純電動(dòng)汽車(chē)的大功率驅(qū)動(dòng)電機(jī)的功率,高達(dá)100kW以上,以及變頻器內(nèi)部的絕緣柵雙極型場(chǎng)效應(yīng)IGBT管,在運(yùn)行過(guò)程中均會(huì)產(chǎn)生可觀的熱量,需要專門(mén)的液壓系統(tǒng)進(jìn)行冷卻。
2022-10-06 標(biāo)簽:變頻器IGBT驅(qū)動(dòng)電機(jī) 2875 0
柵極驅(qū)動(dòng)中最關(guān)鍵的時(shí)刻是IGBT的開(kāi)啟和關(guān)閉。我們的目標(biāo)是快速執(zhí)行此功能,在IGBT開(kāi)啟時(shí)噪音和振鈴最小。不過(guò),上升/下降時(shí)間過(guò)快可能會(huì)導(dǎo)致不必要的振鈴...
2022-09-29 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 1031 0
為電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供動(dòng)力的功率MOSFET
功率 MOSFET 是最常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體,主要原因是因?yàn)槠鋿艠O驅(qū)動(dòng)需要的功率小、以及快速的切換速度,使其成為電機(jī)驅(qū)動(dòng)時(shí)最常用的功率半導(dǎo)體。本文將為您簡(jiǎn)介...
2022-09-27 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 2080 0
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