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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比,IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二...
以雙極性方式驅(qū)動(dòng)單極柵極驅(qū)動(dòng)器
當(dāng)驅(qū)動(dòng)中高功率MOSFET和IGBT時(shí),當(dāng)功率器件兩端出現(xiàn)高電壓變化率時(shí),存在米勒效應(yīng)引起的導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)。電流通過柵極至漏極或柵極至集電極電容注入功率器件的...
2023-02-01 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1773 0
在電子電路中,MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常使用,它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似,為什么有些電路中使用MOS管...
為了理解IGBT進(jìn)入退飽和的過程機(jī)理,我們有必要簡(jiǎn)單比較下MOSFET和IGBT結(jié)構(gòu)上的區(qū)別:簡(jiǎn)單來看,IGBT在MOSFET的基本結(jié)構(gòu)上增加了一個(gè)P+...
我認(rèn)為的電動(dòng)車三電系統(tǒng)的發(fā)展趨勢(shì)
選電動(dòng)車,我主要看三電:電池,電機(jī),電控。因?yàn)檫@三樣是構(gòu)成車的主要成本,也是關(guān)鍵。
變頻器低電壓主要是指中間直流回路的低電壓,一般能引起中間直流回路的低電壓的原因來自兩個(gè)方面。
2023-01-14 標(biāo)簽:變頻器電動(dòng)機(jī)低電壓 2320 0
有什么IGBT是可以替代FGH40N60SFD這款型號(hào)呢?
為什么要找替代的IGBT?因?yàn)槊鎸?duì)世界的不穩(wěn)定因素,國(guó)內(nèi)如果有好的電子元器件替代的話,為什么不選擇呢?這樣才能更好保障自己的產(chǎn)品穩(wěn)定性。
UPS工頻逆變器常見使用在IT設(shè)備、數(shù)據(jù)中心、商業(yè)設(shè)施、信息通訊、工業(yè)、交通電源系統(tǒng)等領(lǐng)域。
畢竟選擇一款650V、40A的IGBT,還能替代仙童FGH40N60SFD型號(hào)參數(shù)的國(guó)產(chǎn)IGBT還是值得考慮的。
IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,具...
變頻器的制動(dòng)單元和逆變部分的續(xù)流二極管不是矛盾了嗎?
通過制動(dòng)單元外接制動(dòng)電阻,該方式配合母線電壓檢測(cè)。當(dāng)電機(jī)迅速停機(jī)時(shí),電機(jī)繞組上的能量會(huì)通過逆變側(cè)的反并聯(lián)二極管倒灌入母線電容,此時(shí)母線電壓升高;當(dāng)高于設(shè)...
為什么要標(biāo)準(zhǔn)化模塊化電驅(qū)呢?如何做好電驅(qū)動(dòng)的標(biāo)準(zhǔn)化模塊化?
電機(jī)的結(jié)構(gòu),主要是轉(zhuǎn)子和定子。轉(zhuǎn)子是線圈,就是感應(yīng)電機(jī);轉(zhuǎn)子是永磁體,就是永磁同步電機(jī)。
FHA40T65A是一款場(chǎng)N溝道溝槽柵截止型IGBT,使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通過優(yōu)化工藝,來獲得極低的 V...
IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的,由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮,因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對(duì)CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGB...
淺談SiC道變器技術(shù)特性及系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)
相比IGBT芯片面積減少了50% ,取消了IGBT使用的反并聯(lián)二極管。 逆變器效率主要與功率器件的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗相關(guān),而SiC逆 變器在這兩點(diǎn)均...
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的IGBT過流和短路保護(hù)
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器可以在相對(duì)惡劣的環(huán)境中運(yùn)行,其中可能發(fā)生高溫、交流線路瞬變、機(jī)械過載、接線錯(cuò)誤和其他突發(fā)事件。其中一些事件可能導(dǎo)致電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源電路中流動(dòng)較...
2023-01-08 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器電機(jī)IGBT 4479 0
雙界面散熱結(jié)構(gòu)IGBT的熱測(cè)試方法與結(jié)果分析
為解決上述問題,本文創(chuàng)新性地提出雙界面散熱結(jié)構(gòu)的熱測(cè)試方法,對(duì)傳統(tǒng)雙界面法進(jìn)行優(yōu)化,分別采用兩種不同的導(dǎo)熱界面材料 A 與 B 對(duì)結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線進(jìn)行分離。
IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,俗稱電力電子裝置的“CPU”,作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。
本文以單相橋式逆變電路為例簡(jiǎn)單說明一下逆變電路工作原理。 S1~S4是橋式電路的4個(gè)臂,由電子器件晶閘管或IGBT及輔助電路組成。
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