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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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Vce以及Vge鉗位電路設(shè)計(jì)使用注意事項(xiàng)
在IGBT驅(qū)動(dòng)電路中有時(shí)會(huì)用到鉗位電路,其主要目的是為了保護(hù)IGBT器件,避免運(yùn)行參數(shù)超過集電極或者門極的極限參數(shù),今天我們總結(jié)一下Vce以及Vge鉗位...
2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路IGBT器件 2773 0
IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件,本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊,對手冊中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說明,用戶可以了解各參數(shù)的背景信息,以便合理...
2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT參數(shù)開關(guān)功率器件 9796 0
IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件,本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊,對手冊中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說明,用戶可以了解各參數(shù)的背景信息,以便合理...
今天作者就幫大家打開這個(gè)黑盒子,詳細(xì)介紹一下IGBT損耗計(jì)算方法同時(shí)一起復(fù)習(xí)一下高等數(shù)學(xué)知識(shí)。
2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT高等數(shù)學(xué)損耗計(jì)算 3332 0
車規(guī)功率半導(dǎo)體被玩家壟斷,2023年看不到供需緩解跡象
功率器件品類眾多,其中車規(guī)功率器件量價(jià)齊升市場規(guī)模已超過1000億元
功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要包含二極管、晶閘管、MOSFET和IGBT等; 其中低頻的二極管、晶閘管主要用于整流,比如晶閘管主要用...
基于大功率三電平IGBT模塊并聯(lián)的參考設(shè)計(jì)
賽米控近期完成了基于成熟大功率三電平IGBT模塊并聯(lián)的功率模組參考設(shè)計(jì)與測試驗(yàn)證。本文將詳細(xì)的介紹這款設(shè)計(jì)。
特別是對于SiC MOSFET,柵極驅(qū)動(dòng)器IC必須將開關(guān)和傳導(dǎo)損耗(包括導(dǎo)通和關(guān)斷能量)降至最低。
功率循環(huán)試驗(yàn)中最重要的是準(zhǔn)確在線測量結(jié)溫,直接影響試驗(yàn)結(jié)果和結(jié)論。比較總結(jié)了各種溫度測量方法的一致性、線性、靈敏度、難度和物理意義。基于通態(tài)特性的電學(xué)參...
2023-02-06 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 2321 0
SiC道變器技術(shù)特性及系統(tǒng)優(yōu)勢
相比IGBT芯片面積減少了50% ,取消了IGBT使用的反并聯(lián)二極管
『集成電路IC』,指采用半導(dǎo)體制備工藝,把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊晶片上,然后封裝好,成為具有一定功能...
2023-02-03 標(biāo)簽:集成電路IGBT功率半導(dǎo)體 823 0
功率半導(dǎo)體的功能主要是對電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換,對電路進(jìn)行控制,改變電子裝置中的電壓和頻率,直流或交流等,均具有處理高電壓,大電流的能力。
2023-02-03 標(biāo)簽:大電流IGBT功率半導(dǎo)體 4059 0
三電系統(tǒng),即動(dòng)力電池(簡稱電池)、驅(qū)動(dòng)電機(jī)(簡稱電機(jī))、電機(jī)控制器(簡稱電控),也被人們成為三大件,加起來約占新能源車總成本的70%以上,是決定整車運(yùn)動(dòng)...
2023-02-02 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT驅(qū)動(dòng)電機(jī) 6559 0
新能源汽車的電驅(qū)系統(tǒng)中的IGBT模塊技術(shù)解讀
要弄明白IGBT模塊,就要先了解新能源汽車的電驅(qū)系統(tǒng),先用一句話概括電驅(qū)系統(tǒng)如何工作:在駕駛新能源汽車時(shí),電機(jī)控制器把動(dòng)力電池放出的直流電(DC)變?yōu)榻?..
2023-02-02 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT電驅(qū)系統(tǒng) 2505 0
IGBT功率半導(dǎo)體的主要引用領(lǐng)域有哪些
功率半導(dǎo)體器件也被稱作電力電子器件或功率器件,它是具有包括變頻、變壓、變流、功率管理等功率管理能力的一種特殊開關(guān)。在計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)電子、新能源、汽車...
2023-02-02 標(biāo)簽:變頻器計(jì)算機(jī)IGBT 1028 0
智能功率模塊(IPM)是一種功率半導(dǎo)體模塊,可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個(gè)封裝中。它包括所需的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能,以及IGBT。這樣,可以通過...
Microchip推出一款全新的綜合性混合動(dòng)力驅(qū)動(dòng)模塊
設(shè)計(jì)多電飛機(jī)(MEA)的飛機(jī)制造商希望將飛行控制系統(tǒng)從液壓轉(zhuǎn)換為電動(dòng),以減輕重量和設(shè)計(jì)復(fù)雜性。
2023-02-02 標(biāo)簽:MOSFET控制系統(tǒng)IGBT 997 0
瑞薩電子推出推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC—RAJ2930004AGM
柵極驅(qū)動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車逆變器的重要組成部分,在逆變器控制MCU,及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。
2023-02-02 標(biāo)簽:逆變器IGBT驅(qū)動(dòng)IC 1393 0
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