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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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為您的設(shè)計(jì)選擇最佳選項(xiàng):碳化硅MOSFET相對(duì)于IGBT的優(yōu)勢(shì)!
GBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)用于許多不同類型的電源應(yīng)用,包括可再生能源、航空航天、汽車和運(yùn)輸、測(cè)試和測(cè)量以及...
DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡(jiǎn)稱,由三菱電機(jī)于1997年正式推向市場(chǎng),迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。本講座主要介紹DIPIP...
2023-02-12 標(biāo)簽:pcbIGBTPCB設(shè)計(jì) 2872 0
工業(yè)縫紉機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT怎么選擇?
工業(yè)縫紉機(jī)在生活、生產(chǎn)應(yīng)用是非常廣泛的,而電機(jī)驅(qū)動(dòng)是工業(yè)縫紉機(jī)系統(tǒng)的中樞大腦。在產(chǎn)品研發(fā)中考慮設(shè)計(jì)以及電子元器件的優(yōu)化來(lái)提升產(chǎn)品性能是非常重要的。
2023-02-12 標(biāo)簽:UPS電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 1008 0
由于變頻器(VFD)輸出電壓不平衡的特點(diǎn)是電機(jī)抖動(dòng)和轉(zhuǎn)速不穩(wěn)定。一般來(lái)說(shuō),沒(méi)有經(jīng)驗(yàn)很難確定哪個(gè)驅(qū)動(dòng)器有問(wèn)題。此時(shí)可啟動(dòng)VFD的2hz,用萬(wàn)用表DC電壓范...
變頻器(VFD)在運(yùn)行時(shí)突然發(fā)出爆炸聲,同時(shí)外部保險(xiǎn)絲燒斷,拆機(jī)時(shí)發(fā)現(xiàn)VFD的igbt模塊損壞。測(cè)試相關(guān)板卡后發(fā)現(xiàn)igbt觸發(fā)電路損壞,其他板卡正常。在...
根據(jù)電路拓?fù)浜凸ぷ鳁l件,兩個(gè)芯片之間的功率損耗可能會(huì)有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導(dǎo)通損耗和開關(guān)(開通和關(guān)斷)損耗,而二極管損耗包括導(dǎo)通和關(guān)斷損...
如何測(cè)量功耗并計(jì)算二極管和IGBT芯片的溫升
與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比,IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來(lái)確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二...
具體而言,SiC 近年來(lái)在很多領(lǐng)域都有應(yīng)用,比如工業(yè)領(lǐng)域。對(duì)于 GAN 來(lái)說(shuō),可使用場(chǎng)景非常廣泛。SiC 產(chǎn)品在高功率市場(chǎng)中有著很好的應(yīng)用,例如 IGB...
搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC...
同時(shí)具備MOSFET和IGBT優(yōu)勢(shì)的Hybrid MOS
本文介紹ROHM命名為“Hybrid MOS”的、同時(shí)具備MOSFET和IGBT兩者優(yōu)勢(shì)的MOSFET。產(chǎn)品位于下圖最下方紅色框內(nèi)。
上一篇介紹了近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位,以及近年來(lái)的高耐壓Si-MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSF...
MOS晶體管是MOSFET,中文全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,稱為金氧半場(chǎng)效應(yīng)晶體管(gold oxygen half field effe...
功率半導(dǎo)體是電能轉(zhuǎn)換的載體,22 年全球功率器件市場(chǎng)約為281億美元,2022- 25年CAGR 8.2%。功率半導(dǎo)體是功率器件與電源管理IC的集合...
狀態(tài)故障:DC過(guò)電壓/長(zhǎng)電壓、DC過(guò)電流、交流過(guò)電流、速度偏差過(guò)大、接地故障、不均衡。
ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速開關(guān)型)”共21種機(jī)型,該系列產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的低...
RGS系列:支持AEC-Q101的車載用1200V耐壓IGBT
ROHM新開發(fā)的“RGS系列”是滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號(hào),傳導(dǎo)損耗非常低,非常有助于應(yīng)用的...
2023-02-09 標(biāo)簽:IGBT 1029 0
通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開關(guān)損耗-傳統(tǒng)的MOSFET驅(qū)動(dòng)方法
MOSFET和IGBT等電源開關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關(guān)器件產(chǎn)生的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗,但不同的應(yīng)用其降低損耗的...
2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1409 0
多種功率半導(dǎo)體在不同領(lǐng)域具有的優(yōu)勢(shì)
功率半導(dǎo)體器件是電力電子電路的重要組成部分,理想的功率半導(dǎo)體器件應(yīng)具有良好的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性,在截止?fàn)顟B(tài)下能夠承受高電壓和小泄漏電流。在接通狀態(tài)下,可...
2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1266 0
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-什么是柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌?
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。
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