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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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變頻器電機(jī)驅(qū)動(dòng)使用什么IGBT?
對(duì)于為何使用FHA40T65A的IGBT代換FGH40N60SFD型號(hào)參數(shù)應(yīng)用于變頻器電機(jī)驅(qū)動(dòng)呢?相信會(huì)有比較多的電子開(kāi)發(fā)工程會(huì)存在疑問(wèn)。
2023-02-19 標(biāo)簽:變頻器電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 1502 0
IGBT能替換FGH40N60SFD型號(hào)應(yīng)用于破壁機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng)嗎?
FHA40T65A是一款場(chǎng)N溝道溝槽柵截止型IGBT,使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通過(guò)優(yōu)化工藝,來(lái)獲得極低的 V...
2023-02-19 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 1557 0
功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān),驅(qū)動(dòng)電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)...
2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管IGBT 2022 0
IGBT的驅(qū)動(dòng)電路在它的應(yīng)用中有著特別重要的作用,IGBT應(yīng)用的關(guān)鍵問(wèn)題之一是驅(qū)動(dòng)電路的合理設(shè)計(jì)。由于IGBT的開(kāi)關(guān)特性和安全工作區(qū)隨柵-射極驅(qū)動(dòng)電路的...
2023-02-16 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路 3400 0
目前IGBT 的電流/電壓等級(jí)已達(dá)1800A/1200V,關(guān)斷時(shí)間已經(jīng)縮短到40ns,工作頻率可達(dá)40kHz,擎住現(xiàn)象得到改善,安全工作區(qū)(SOA)擴(kuò)大...
2023-02-16 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源IGBT功率器件 3767 0
以雙極性方式驅(qū)動(dòng)單極柵極驅(qū)動(dòng)器
如果特定功率器件需要正極和負(fù)柵極驅(qū)動(dòng),電路設(shè)計(jì)人員無(wú)需尋找專(zhuān)門(mén)處理雙極性操作的特殊柵極驅(qū)動(dòng)器。使用這個(gè)簡(jiǎn)單的技巧使單極性柵極驅(qū)動(dòng)器提供雙極性電壓!
2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1192 0
來(lái)幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長(zhǎng)。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品,設(shè)計(jì)師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。
絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是一種三端功率半導(dǎo)體器件,常用作電子開(kāi)關(guān)。憑借出色的開(kāi)關(guān)特性、耐高溫性、輕量級(jí)和成本效益等特征,IGBT 電源模塊逐漸成...
功率半導(dǎo)體的類(lèi)型有多種,其中最常用的是MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT(可控硅晶體管)和SCR(可控整流器)。MOSFET是一種可...
2023-02-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1708 0
隔離驅(qū)動(dòng)IGBT的設(shè)計(jì)技巧
隔離驅(qū)動(dòng)IGBT的意義在于,它可以將低電壓的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為高電壓的控制信號(hào),從而控制IGBT晶體管的開(kāi)關(guān),從而實(shí)現(xiàn)高效的電力控制。
2023-02-15 標(biāo)簽:IGBT控制信號(hào)隔離驅(qū)動(dòng) 1476 0
碳化硅MOSFET和IGBT的區(qū)別與聯(lián)系
碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù),它可以用于控制電流和電壓,以及檢測(cè)電阻、電容、電壓和電流等參數(shù),以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFET技...
IGBT基礎(chǔ)知識(shí):IGBT工作原理/優(yōu)缺點(diǎn)/選型/應(yīng)用
IGBT的柵極-發(fā)射極電壓VGE類(lèi)似于MOSFET的柵極-源極電壓VGS,集電極電流IC類(lèi)似于漏極電流ID,集電極-發(fā)射極電壓VCE類(lèi)似于漏源電壓VDS。
2023-02-14 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管IGBT 9434 0
相對(duì)于LTCC和HTCC,TFC為一種后燒陶瓷基板。采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)將金屬漿料涂覆在陶瓷基片表面,經(jīng)過(guò)干燥、高溫?zé)Y(jié)(700~800℃)后制備。金屬漿料...
淺談各種SiC IGBT器件的制作過(guò)程與相關(guān)性能
通常來(lái)講,全控型半導(dǎo)體器件可以依照其導(dǎo)通狀態(tài)下的載流子類(lèi)型分為單極型半導(dǎo)體器件和雙極型半導(dǎo)體器件,在每一類(lèi)中又可以分為電流控制型和電壓控制型。
2023-02-13 標(biāo)簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體 2439 0
背后功率器件那些事兒:MOSFET、IGBT及碳化硅的應(yīng)用
當(dāng)充電樁向高壓架構(gòu)發(fā)展的趨勢(shì)越來(lái)越明顯,高性能MOSFET的需求也越來(lái)越大,通過(guò)改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)的超級(jí)結(jié)MOSFET應(yīng)運(yùn)而生了。
什么是IGBT?本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?IGBT是“Insulated Gate Bipolar Transistor”的縮寫(xiě),中文名稱(chēng)是“絕緣柵雙極晶體管”。
在討論了48伏特架構(gòu)(“48伏特輕度混合動(dòng)力系統(tǒng)的出現(xiàn)”)并描述了一些主要應(yīng)用(“48伏特起動(dòng)發(fā)電機(jī)”)后,我們需要深入研究這些新系統(tǒng)的電氣要求。在這篇...
2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFETIGBT發(fā)電機(jī) 1206 0
碳化硅MOSFET對(duì)比硅IGBT的優(yōu)勢(shì)
開(kāi)關(guān)器件在運(yùn)行過(guò)程中存在短路風(fēng)險(xiǎn),配置合適的短路保護(hù)電路,可以有效減少開(kāi)關(guān)器件在使用過(guò)程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比,碳化硅MOSFET短...
2023-02-12 標(biāo)簽:MOSFETIGBT開(kāi)關(guān)器件 2790 0
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