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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。主要優(yōu)點是熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大,缺點是擊穿電壓低,工作電流小。
IGBT功率模塊是電壓型控制,輸入阻抗大,驅(qū)動功率小,控制電路簡單,開關(guān)損耗小,通斷速度快,工作頻率高,元件容量大等優(yōu)點。實質(zhì)是個復(fù)合功率器件,它集雙...
IGBT模塊是一種模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,由IGBT(絕緣柵雙極晶體管芯片)和續(xù)流二極管芯片(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋封裝而成。封裝后的IGBT模塊直...
2023-02-22 標(biāo)簽:二極管模塊數(shù)字萬用表 4220 0
IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動,利用最新的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動電路、控制電路和保護電路高度集成在一起的模塊。其類別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功...
IGBT功率半導(dǎo)體的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?
IGBT模塊可以分為低壓(600V以下),中壓(600V-1200V)和壓(1200V-6700V),IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電...
2023-02-22 標(biāo)簽:變頻器IGBT功率半導(dǎo)體 2000 0
在功率器件中,IGBT模塊備受各行業(yè)青睞,甚至還入選了我國重大科技專項重點扶持項目。它兼具MOSFET(絕緣柵型場效應(yīng)管)及BJT(雙極型三極管)兩類器...
2023-02-22 標(biāo)簽:模塊IGBT功率半導(dǎo)體 634 0
功率二極管作為最基本的電力電子器件,在電力電子系統(tǒng)中有著最廣泛的應(yīng)用,其主要結(jié)構(gòu)——PN結(jié)是其他功率半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。深刻理解二極管的工作特性,有助于學(xué)...
IGCT和IGBT之間的主要區(qū)別在于IGCT可以提供更高的效率和更低的損耗,而IGBT可以提供更高的功率密度和更低的噪聲。此外,IGCT可以提供更高的...
在逆變器、電機驅(qū)動器和電池充電器等應(yīng)用中,碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。
重新發(fā)現(xiàn)采用SIC FET的完美開關(guān)
有時有趣的是,事情如何改善或惡化取決于你的觀點。從利用電力的那一天起,就存在完美的開關(guān)——至少 18千沃爾特等世紀(jì)實驗者是這么認為的,他們用黃銅、木材和...
GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊是一種功率半導(dǎo)體器件,它是由多個IGBT芯片、反并聯(lián)二極管、驅(qū)動電路、...
2023-02-20 標(biāo)簽:模塊IGBT功率半導(dǎo)體 6818 0
IGBT的結(jié)構(gòu)簡述 IGBT驅(qū)動電路的作用及基本特點
IGBT,中文名稱絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和...
IGBT-IPM是一種集成電力模塊,它由一個IGBT(可控硅反激開關(guān))和一個IPM(智能功率模塊)組成。它可以用于控制電機、變頻器、變壓器等電力電子...
本文對IGBT芯片的電熱性能進行了廣泛的研究,用于IGBT芯片中的3D封裝結(jié)構(gòu)。在過去的幾年里,半導(dǎo)體技術(shù)取得了長足的進步,特別是在電力電子領(lǐng)域,在研究...
IGBT應(yīng)用中的換流方式 IGBT上下橋短路的原因
IGBT在應(yīng)用中的換流方式主要有三種,即半橋換流、全橋換流和三相換流。
igbt單管和igbt模塊的區(qū)別 igbt工作原理和作用
IGBT單管的封裝形式比較簡單,只有一個IGBT晶體管,一個反向恢復(fù)二極管和一個可選的溫度傳感器,而IGBT模塊的封裝形式比較復(fù)雜
氮化鎵功率器件可以分為三類:MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、IGBT(晶閘管)和JFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。
伺服電機驅(qū)動器在生產(chǎn)應(yīng)用中是廣泛的,而且其系統(tǒng)響應(yīng)速度快,過載倍數(shù)高,小型化和高功率密度的趨勢更是對功率器件提出了更苛刻的要求。因此產(chǎn)品研發(fā)工程師在產(chǎn)品...
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