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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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三相600V柵極全橋驅(qū)動(dòng)IC-PT5616/PT5616A介紹
PT5616/PT5616A是全橋驅(qū)動(dòng)IC,在最大阻斷電壓為600V的三相系統(tǒng)中,用于控制功率器件,如MOS晶體管或IGBT。
國(guó)產(chǎn)IGBT產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域
國(guó)產(chǎn)IGBT的使用已經(jīng)非常成熟了,伴隨著半導(dǎo)體領(lǐng)域的大力發(fā)展,目前國(guó)內(nèi)涌現(xiàn)越來(lái)越多的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體企業(yè),飛虹半導(dǎo)體就是其中之一。目前飛虹半導(dǎo)體首發(fā)FHA40...
工控的IGBT市場(chǎng)規(guī)模在近年來(lái)逐步增大,尤其是隨著我國(guó)變頻器、電焊機(jī)市場(chǎng)穩(wěn)步增長(zhǎng),工業(yè)機(jī)器人市場(chǎng)加速發(fā)展,對(duì)應(yīng)的工控 IGBT 市場(chǎng)也將穩(wěn)步增長(zhǎng)。
【導(dǎo)讀】與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比,IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來(lái)確定芯片溫度。 這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時(shí)包含 IG...
快恢復(fù)二極管FRD器件的應(yīng)用領(lǐng)域
隨著電力電子技術(shù)正向著輕型化、微型化、智能化、節(jié)能化發(fā)展,各種控制電路和不間斷電源、開關(guān)電源的應(yīng)用不斷擴(kuò)大。做為直接影響這些電路設(shè)計(jì)合理性和運(yùn)行可靠性的...
2023-02-24 標(biāo)簽:二極管開關(guān)電源晶閘管 1504 0
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開關(guān)損耗進(jìn)行介紹,開關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
對(duì)于變頻器的維修,總的來(lái)說(shuō),首先要對(duì)其工作原理有較透徹的理解,對(duì)每個(gè)電路的性能指標(biāo)、工作點(diǎn)及器件的性能、好壞都能有一個(gè)正確的判別,才能真正地修好每一臺(tái)設(shè)...
從 20 世紀(jì) 80 年代 IGBT 被首次提出至今,IGBT 器件不斷朝著更低的正向?qū)▔航?、更小的開關(guān)損 耗方向發(fā)展;但是,鑒于 IGBT 器件的各...
2023-02-24 標(biāo)簽:電路IGBT半導(dǎo)體器件 4653 0
本文首先介紹了 IGBT 技術(shù)的研究現(xiàn)狀,并對(duì) IGBT 不同結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)和電學(xué)特性做了簡(jiǎn)要闡述;最 后列舉了一些最新的研究成果,并探討了 IGBT 的 ...
2023-02-24 標(biāo)簽:emiIGBT半導(dǎo)體器件 5784 0
納芯微全新推出光耦兼容的智能隔離單管驅(qū)動(dòng)器NSi68515
納芯微單通道智能隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器NSi68515,專為驅(qū)動(dòng)高達(dá)2121V直流母線電壓下的SiC MOSFET,IGBT而設(shè)計(jì)
2023-02-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1898 0
IGBT功率半導(dǎo)體的主要引用領(lǐng)域有哪些?
可控硅:能夠被低功率的控制信號(hào)打開,但只能由主電路(功率電路)自身來(lái)關(guān)斷而不能被控制信號(hào)關(guān)斷,因此又被稱為半可控開關(guān)。
2023-02-23 標(biāo)簽:變壓器IGBT功率半導(dǎo)體 4886 0
當(dāng)出現(xiàn)短路時(shí)IGBT的Vce快速上升,過(guò)高的dVce/dt會(huì)通過(guò)米勒電容給IGBT門極充電,若不進(jìn)行保護(hù)會(huì)使得門極電壓過(guò)高而損壞IGBT,門極鉗位電路主...
當(dāng)驅(qū)動(dòng)光耦的輸出能力無(wú)法滿足IGBT門極驅(qū)動(dòng)電流的要求時(shí),要選擇使用推挽驅(qū)動(dòng)。
2023-02-23 標(biāo)簽:三極管電路設(shè)計(jì)IGBT 3489 0
IGBT的低Vd(或低Id)范圍(在本例中是Vd到1V左右的范圍),在IGBT中是可忽略不計(jì)的范圍。這在高電壓大電流應(yīng)用中不會(huì)構(gòu)成問(wèn)題,但當(dāng)用電設(shè)備的電...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管...
2023-02-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 8588 0
簡(jiǎn)單講,是一個(gè)非通即斷的開關(guān),IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn),如驅(qū)動(dòng)...
為了更好了解IGBT,下面我們?cè)賮?lái)看看它的內(nèi)部結(jié)構(gòu):一般,IGBT 有三個(gè)端子:集電極、發(fā)射極和柵極,他們都是附有金屬層。但是,柵極端子上的金屬材料具有...
IGBT工作原理與MOSFET的關(guān)聯(lián)
IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高...
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