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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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今天給兄弟們分享一個(gè)infineon的文檔《使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì),如何避免常見問題和故障模式》,依然是我覺得比較好的。
三極管是一種電流控制體器件,它的主要作用是把微弱信號放大,輸入阻抗低,例如在基極b給一個(gè)很小的電流Ib,在集電極c上得到一個(gè)比較大的電流Ic。它是電流放...
2023-04-13 標(biāo)簽:三極管場效應(yīng)管IGBT 6069 0
逆變器就是變壓器嗎 逆變器可以當(dāng)變壓器使用嗎 陽能逆變器是變壓器嗎
逆變器和變壓器是兩個(gè)不同的電子設(shè)備,雖然逆變器和變壓器都是用于電能轉(zhuǎn)換的,但是它們的工作原理、功能和實(shí)現(xiàn)方式都有很大的區(qū)別。
自 20 世紀(jì) 80 年代發(fā)展至今,IGBT 芯片經(jīng)歷了 7 代技術(shù)及工藝的升級,從平面穿通型(PT)到微溝槽場截止型,IGBT 從芯片面積、工藝線寬、...
碳化硅SIC MOSFET替代傳統(tǒng)MOSFET及IGBT的優(yōu)點(diǎn)
碳化硅MOS優(yōu)點(diǎn):高頻高效,高耐壓,高可靠性??梢詫?shí)現(xiàn)節(jié)能降耗,小體積,低重量,高功率密度。
變頻技術(shù)的應(yīng)用非常廣,例如變頻空調(diào)、變頻熱泵、變頻地暖、變頻傳送帶等利用變頻器技術(shù)的應(yīng)用非常廣泛。雖然變頻技術(shù)的應(yīng)用非常廣,優(yōu)點(diǎn)也非常多,但是,對于變頻...
英飛凌EconoPIM3 IGBT模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)拆解
模塊內(nèi)部左上方還集成了一個(gè)單獨(dú)的IGBT,邊上還有一個(gè)相應(yīng)的小的二極管。用于制動的和由于這個(gè)IGBT的面積小,所以功率電流小,用于制動,也就是制動單元。
為何需要選擇一款igbt來替換FGH60N60SMD型號參數(shù)呢?
這幾年來伴隨可再生能源以及分布式發(fā)電技術(shù)的發(fā)展,在光伏發(fā)電系統(tǒng)中Heric逆變器的應(yīng)用也越來越廣泛。
2023-04-11 標(biāo)簽:逆變器電力系統(tǒng)IGBT 3766 0
FHA60T65A IGBT單管為何是后極逆變電路中的首選元器件呢?
對于后極逆變電路中的Two-level要選擇FHA60T65A型號的IGBT單管來應(yīng)用。尤其是對于單相光伏逆變器的產(chǎn)品,為何?
2023-04-11 標(biāo)簽:UPSIGBT快恢復(fù)二極管 2434 0
未來幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品,設(shè)計(jì)師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。
薩科微slkor半導(dǎo)體的高速低側(cè)柵極驅(qū)動器SL27511介紹
電機(jī)作為工業(yè)生產(chǎn)的一種重要設(shè)備,為了能夠滿足不同應(yīng)用場景需求,對電機(jī)的控制要求也不斷的提高。
上篇我們聊了變頻器主回路的設(shè)計(jì)和計(jì)算,主要的還是主要參數(shù)的計(jì)算以及選型的注意事項(xiàng),今天我們繼續(xù)往下說,聊聊變頻器的輔助電源部分。
2023-04-08 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)變頻器DC-DC 4208 0
IGBT由柵極(G)、發(fā)射(E)和集電極(C)三個(gè)極控制。 如圖1,IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGB...
前面我們也聊到過IGBT的柵極驅(qū)動設(shè)計(jì),雖然今天聊的可能有些重復(fù),但是感覺人到中年,最討厭的就是記憶力不夠用,就當(dāng)回顧和加重記憶吧。
2023-04-06 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動設(shè)計(jì) 3315 0
閂鎖(Lanch-up)效應(yīng),一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象,當(dāng)然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片...
IGBT是高頻開關(guān)器件,芯片內(nèi)部的電流密度大。當(dāng)發(fā)生過流或短路故障時(shí),器件中流過的大于額定值的電流時(shí),極易使器件管芯結(jié)溫升高,導(dǎo)致器件燒壞。今天我們就...
電磁爐主要由主機(jī)電路板、按鍵顯示面板、線圈盤、風(fēng)扇等組成,其核心控制部分是主機(jī)電路板,主機(jī)電路板上主要的元器件有諧振電容、抗干擾電容、濾波電容、扼流線圈...
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳...
2023-04-06 標(biāo)簽:開關(guān)電源變頻器IGBT 2395 0
在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅與氮化鎵無疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。
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