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      標(biāo)簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1248人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：3073個 瀏覽：254689次 帖子：483個

      igbt技術(shù)

      英飛凌推采用iMOTION? IPM IMI111T-026H高效風(fēng)機控制參考板

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      采用iMOTION? IPM IMI111T-026H高效風(fēng)機控制參考板 iMOTION? IPM---一個緊湊的DSO封裝中實現(xiàn)完整的三相逆變器，包括...

      2023-05-15 標(biāo)簽：英飛凌電機控制IGBT 1319 0

      基于AT89C51單片機的變頻調(diào)速控制系統(tǒng)設(shè)計

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      在電氣傳動領(lǐng)域中，隨著自關(guān)斷器件技術(shù)水平的不斷提高，脈寬調(diào)制技術(shù)（簡稱PWM技術(shù)）也日趨成熟。

      2023-05-11 標(biāo)簽：PWM逆變器IGBT 4254 0

      變頻器的工作原理、作用及功能

      　　變頻器是一種電力電子設(shè)備，也稱為變頻調(diào)速器，用于控制交流電動機的轉(zhuǎn)速和運行狀態(tài)。它通過改變電源的頻率和電壓，實現(xiàn)對電機的調(diào)速和控制，從而滿足不同負(fù)載...

      2023-05-11 標(biāo)簽：變頻器電動機IGBT 1.3萬 0

      平面型與溝槽型IGBT特性上有哪些區(qū)別？

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      在現(xiàn)今IGBT表面結(jié)構(gòu)中，平面型和溝槽型可謂是各占半壁江山。很多讀者第一次接觸到這兩個名詞的時候，可能會顧名思義地認(rèn)為，平面型IGBT的電流就是水平流動...

      2023-05-11 標(biāo)簽：二極管功率二極管MOSFET 1687 0

      IGBT、MOSFET的發(fā)展情況解析

      IGBT、MOSFET的發(fā)展情況解析

      公開資料顯示，功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

      2023-05-10 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 537 0

      功率半導(dǎo)體的制造流程 功率分立器件的分類

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      由三個端子組成的器件，可通過控制三端的電流或電壓實現(xiàn)器件的導(dǎo)通或關(guān)斷，包括雙極型（BJT）、場效應(yīng)型如MOSFET 及絕緣柵型如IGBT 等器件。

      2023-05-10 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 2002 0

      大功率半導(dǎo)體技術(shù)現(xiàn)狀及其進展

      大功率半導(dǎo)體技術(shù)現(xiàn)狀及其進展

      功率半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)過 60 余年發(fā)展，器件阻斷能力和通態(tài)損耗的折衷關(guān)系已逐漸逼近硅基材料物理極限，因此寬禁帶材料與器件越來越受到重視，尤其是以碳化硅（Si...

      2023-05-09 標(biāo)簽：晶閘管IGBT功率半導(dǎo)體 4672 0

      H6橋光伏逆變器電路的IGBT單管替換方案

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      FHA75T65A是一款N溝道溝槽柵截止型IGBT，使用Trench Field stop technology 和通過優(yōu)化工藝，來獲得極低的 VCE...

      2023-05-09 標(biāo)簽：IGBT快恢復(fù)二極管光伏逆變器 1820 0

      相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動和電動汽車的能效和性能？

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      隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，競爭日益激烈。由于 EV 的...

      2023-05-09 標(biāo)簽：電動汽車安森美IGBT 9013 0

      變頻器出現(xiàn)漏電問題分析

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      有的現(xiàn)場使用變頻器控制電機會出現(xiàn)漏電問題，漏電電壓有幾十伏到200伏不等，在這里針對此故障的原因進行理論的分析。我們都知道電動機的三相定子繞組流過電流產(chǎn)...

      2023-05-09 標(biāo)簽：濾波器變頻器PWM 2347 0

      一文解析GBT激光退火技術(shù)

      一文解析GBT激光退火技術(shù)

      在垂直方向上，IGBT結(jié)構(gòu)經(jīng)歷了穿通型（pouch through，PT），非穿通型（non pouch through，NPT）和電場截止型（fiel...

      2023-05-06 標(biāo)簽：集成電路IGBT晶體管 4158 0

      如何選擇優(yōu)質(zhì)的IGBT單管協(xié)助Heric后極逆變電路的優(yōu)化呢？

      如何選擇優(yōu)質(zhì)的IGBT單管協(xié)助Heric后極逆變電路的優(yōu)化呢？

      單相組串式逆變器里面會有Heric后極逆變是需要使用IGBT單管的，目前我們看到單相組串式逆變器正朝采用多層次拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的逆變器發(fā)展方向。

      2023-05-06 標(biāo)簽：逆變器IGBT快恢復(fù)二極管 1533 0

      電動汽車IGBT芯片大電流密度、低損耗優(yōu)化技術(shù)匯總

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      為滿足電動汽車的功率需求，牽引逆變器中一般使用多芯片并聯(lián)的功率模塊。然而，多芯片并聯(lián)會帶來并聯(lián)芯片間電流分布不均，回路雜散電感增大和散熱效率下降等問題；...

      2023-05-06 標(biāo)簽：電動汽車逆變器大電流 2726 0

      5000W光伏逆變器該如何選擇替代的IGBT？

      5000W光伏逆變器該如何選擇替代的IGBT？

      5000W的光伏逆變器會有DC-AC逆變電路、PFC電路等電路，其中DC-AC逆變電路需要使用4個IGBT，PFC電路需要使用2個IGBT。

      2023-05-06 標(biāo)簽：逆變器IGBTPFC 2043 0

      一文解析功率半導(dǎo)體的制造流程

      一文解析功率半導(dǎo)體的制造流程

      按照器件結(jié)構(gòu)，分為二極管、功率晶體管、晶閘管等，其中功率晶體管分為雙極性結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物場效應(yīng)晶體管（MO...

      2023-05-06 標(biāo)簽：IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 6478 0

      碳化硅（SiC）技術(shù)取代舊的硅FET和IGBT

      所有類型的電動汽車（EV）的高功率、高電壓要求，包括電動公交車和其他電子交通電源系統(tǒng)，需要更高的碳化硅（SiC）技術(shù)來取代舊的硅FET和IGBT。安全高...

      2023-05-06 標(biāo)簽：電動汽車IGBTSiC 2887 0

      通過熱敏電阻，如何計算IGBT結(jié)溫？

      通過熱敏電阻，如何計算IGBT結(jié)溫？

      IGBT模塊中通常都會在陶瓷基板（DBC）上設(shè)有熱敏電阻（NTC或PTC，由于NTC較為常用，以下統(tǒng)稱NTC）用于溫度檢測。在實際應(yīng)用中，工程師最直接也...

      2023-05-05 標(biāo)簽：熱敏電阻NTC變頻器 3922 0

      IGBT可靠性與壽命評估研究

      IGBT可靠性與壽命評估研究

      IGBT 作為新能源汽車電機控制器的核心部件，直接決定了電動汽車的安全性和可靠性。本文主要介 紹采用熱敏感電參數(shù)法提取 IGBT 結(jié)溫，并結(jié)合 CLTC...

      2023-05-05 標(biāo)簽：控制器cpuIGBT 2319 0

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      功率器件封裝結(jié)構(gòu)散熱設(shè)計原則

      針對功率器件的封裝結(jié)構(gòu)，國內(nèi)外研究機構(gòu)和 企業(yè)在結(jié)構(gòu)設(shè)計方面進行了大量的理論研究和開 發(fā)實踐，多種結(jié)構(gòu)封裝設(shè)計理念被國內(nèi)外研究機構(gòu)提出并研究，一些結(jié)構(gòu)設(shè)...

      2023-05-04 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 1872 0

      工業(yè)、EV、軌道交通用IGBT模塊的選材及封裝工藝對比

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      由下圖我們可以看到，外殼選材上，工業(yè)用IGBT模塊外殼一般采用通用型PBT材料，EV用IGBT模塊外殼采用增強型PBT材料，軌道交通用IGBT模塊外殼采...

      2023-05-04 標(biāo)簽：模塊IGBT功率密度 3229 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        +關(guān)注
      • STM32F103C8T6
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        STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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        +關(guān)注
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        光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號轉(zhuǎn)換成光信號，通過光纖傳送后，接收端再把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。
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        光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
      • 靜電防護
        靜電防護
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。
      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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      tvyt jf_97492079 efans_62931057 jf_36666513 jf_18435973 jf_10998439 故園東方水 jf_11830122 jf_24263545 阿bu jf_64181280 jf_85431462

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