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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3073個 瀏覽：254692次 帖子：483個

      igbt技術

      碳化硅MOSFET相對于IGBT的優(yōu)勢

      IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）用于許多不同類型的電源應用，包括可再生能源、航空航天、汽車和運輸、測試和測量以...

      2023-05-24 標簽：MOSFETIGBT晶體管 2173 0

      飛虹半導體單相組串式光伏逆變器的應用

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      2023-05-24 標簽：IGBT光伏逆變器 394 0

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      為了在電動汽車市場取得成功，公司需要擴大續(xù)航里程并降低物料清單 （BOM） 成本，以有效地與根深蒂固的內燃機 （ICE） 競爭。為了實現(xiàn)更大的續(xù)航里程，...

      2023-05-24 標簽：電動汽車IGBT電池 933 0

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      碳化硅 （SiC） 是一種成熟的器件技術，在 900 V 至 1，200 V 以上的高壓、高開關頻率應用中，與硅 （Si） 技術（包括硅超結 （SJ） ...

      2023-05-24 標簽：IGBT晶體管碳化硅 1739 0

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      PWM是脈寬調制，在電力電子中，最常用的就是整流和逆變。這就需要用到整流橋和逆變橋。對三相電來說，就需要三個橋臂。 以兩電平為例，每個橋臂上有兩個電力電...

      2023-05-24 標簽：dspIGBT電子器件 1483 0

      三菱電機開始提供X系列HV100封裝半橋HVIGBT模塊

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      根據(jù)三菱電機截至2023年4月25日的研究，與4.5kV額定電壓和10.2kVrms絕緣耐壓的HV100封裝半橋Si HVIGBT模塊對比得出

      2023-05-23 標簽：IGBT三菱電機變流器 841 0

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      提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導通壓降及電流在線檢測電路，設計了兼具結溫監(jiān)測功能的驅動電路，并提出了- -種結溫反推方法，提升了結...

      2023-05-23 標簽：MOSFETIGBT功率器件 667 0

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      理想比導通電阻的一個關系式，其中WD是滿足所需擊穿電壓BV的漂移區(qū)的厚度，q是電子電荷，ND是漂移區(qū)的摻雜濃度，μn是電子遷移率，εn是半導體介電常數(shù)，...

      2023-05-23 標簽：MOSFETIGBT肖特基二極管 1993 0

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      碳化硅（SiC）MOSFET 的使用促使了多個應用的高效率電力輸送，比如電動車快速充電、電源、可再生能源以及電網基礎設施。

      2023-05-22 標簽：MOSFETIGBTSiC 2286 0

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      2023-05-22 標簽：IGBT晶體管SiC 790 0

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      IGBT的應用領域非常廣，如工業(yè)領域中的變頻器，家用電器領域的變頻空調、洗衣機、冰箱，軌道交通領域的高鐵、地鐵、輕軌，軍工航天領域的飛機、艦艇以及新能源...

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      2023-05-22 標簽：線圈保護電路IGBT 1.4萬 0

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