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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域的核心器件,以其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異性能在諸多領(lǐng)域中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。其工作原理基于絕緣柵結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高輸入阻抗與...
如何計(jì)算MOSFET實(shí)際應(yīng)用中的損耗
功率半導(dǎo)體自20世紀(jì)50年代開始發(fā)展起來,至今形成以二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等為代表的多世代產(chǎn)品體系。新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生拓寬了原有產(chǎn)品和...
在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中,功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件,其性能與成本直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與硅基絕緣柵雙...
2025-04-02 標(biāo)簽:IGBT芯片封裝功率半導(dǎo)體 2567 0
三相600V柵極全橋驅(qū)動(dòng)IC-PT5616/PT5616A介紹
PT5616/PT5616A是全橋驅(qū)動(dòng)IC,在最大阻斷電壓為600V的三相系統(tǒng)中,用于控制功率器件,如MOS晶體管或IGBT。
IGBT驅(qū)動(dòng)器直接并聯(lián)的優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)介紹
IGBT驅(qū)動(dòng)器在并聯(lián)的場合有2種配置方法(LS1,LS2為雜散參數(shù))
2024-04-26 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT電源電壓 2554 0
Cu-Clip技術(shù),它可以應(yīng)用在很多模塊封裝形式當(dāng)中。它的特點(diǎn)有:降低寄生電感和電阻,增加載流能力,相應(yīng)地提高可靠性,以及靈活的形狀設(shè)計(jì)。
IGBT是變頻器的核心部件,自然要分外關(guān)注。 在實(shí)際應(yīng)用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。 IGBT實(shí)物圖+電路符號圖...
隨著科技的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)已成為當(dāng)今電子設(shè)備不可或缺的核心技術(shù)之一。而在眾多半導(dǎo)體器件中,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)以其高效、可靠的特性廣泛應(yīng)用于...
半導(dǎo)體功率器件技術(shù)的整體演進(jìn)情況
從發(fā)展歷程來看,20世紀(jì)50年代,功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng);20世紀(jì)60至70年代,晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展
IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,具...
IGBT以發(fā)射極電壓為基準(zhǔn)電位驅(qū)動(dòng)。開關(guān)動(dòng)作時(shí),上橋臂IGBT的發(fā)射極電位VE在0伏和母線電壓V+之間變化。在AC200V電路中,要開通上橋臂IGBT時(shí)...
2025-07-03 標(biāo)簽:二極管IGBT驅(qū)動(dòng)電路 2534 0
氮化鎵功率器件可以分為三類:MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、IGBT(晶閘管)和JFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。
漏電問題的解決方案 為了避免這個(gè)問題的發(fā)生,在硬件設(shè)計(jì)的時(shí)候,就加入了感應(yīng)電浪涌濾波器電路,并將浪涌濾波器的接地端于變頻器的外殼相連。
未來幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品,設(shè)計(jì)師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。
SiC MOSFET相對于Si MOSFET和IGBT的優(yōu)勢
ROHM 具有電流隔離功能的新型晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器 ( BM6112 ) 非常適合應(yīng)對驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 的獨(dú)特挑戰(zhàn)。它可以驅(qū)動(dòng)高達(dá) 20A 的大...
雙界面散熱結(jié)構(gòu)IGBT的熱測試方法與結(jié)果分析
為解決上述問題,本文創(chuàng)新性地提出雙界面散熱結(jié)構(gòu)的熱測試方法,對傳統(tǒng)雙界面法進(jìn)行優(yōu)化,分別采用兩種不同的導(dǎo)熱界面材料 A 與 B 對結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線進(jìn)行分離。
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