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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管
JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管,產(chǎn)品型號(hào)為 JHY140N120HA。產(chǎn)品外觀和內(nèi)部電路拓?fù)淙缦聢D所示。
Vce以及Vge鉗位電路設(shè)計(jì)使用注意事項(xiàng)
在IGBT驅(qū)動(dòng)電路中有時(shí)會(huì)用到鉗位電路,其主要目的是為了保護(hù)IGBT器件,避免運(yùn)行參數(shù)超過集電極或者門極的極限參數(shù),今天我們總結(jié)一下Vce以及Vge鉗位...
2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路IGBT器件 2776 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)功率管是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的高效、高性能的功率電子器件。在實(shí)際應(yīng)用中,對(duì)IGBT功率管進(jìn)行好壞檢測是非常重要的,以確...
開關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)和選型注意事項(xiàng) 機(jī)械開關(guān)的類型
開關(guān)在我們?nèi)粘I钪兴究找姂T,其種類繁多,無處不在。開關(guān)有無數(shù)種形式,從微小的按鈕到巨大的控制器,功能多種多樣。這種多樣性受到機(jī)械或電氣操作、手動(dòng)或電子...
淺談大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過流保護(hù)方案
在工業(yè)應(yīng)用中,一般都是利用這些瞬時(shí)過電流保護(hù)信號(hào),通過觸發(fā)器時(shí)序邏輯電路的記憶功能,構(gòu)成記憶鎖定保護(hù)電路,以避免保護(hù)電路在過流時(shí)的頻繁動(dòng)作,實(shí)現(xiàn)可取的過...
功率模塊(Power Module)和IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)在電力電子領(lǐng)域都...
igbt內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理分析
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,具有MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的高輸入阻抗和GTR(大功率晶體管)的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)...
2024-01-10 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 2762 0
自“雙碳”目標(biāo)確定以來,我國能源綠色低碳轉(zhuǎn)型穩(wěn)步推進(jìn),光伏、風(fēng)電、儲(chǔ)能等新能源行業(yè)也迎來了井噴式發(fā)展。下圖是一個(gè)光伏系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖,其中逆變器作為光伏發(fā)電系...
IGBT模塊短路的性能有哪些?寄生導(dǎo)通現(xiàn)象有哪些?
IGBT模塊短路特性強(qiáng)烈地依賴于具體應(yīng)用條件,如溫度、雜散電感、IGBT驅(qū)動(dòng)電路及短路回路阻抗。
SiC驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)要點(diǎn)(變壓器部分)
在設(shè)計(jì)SiC(碳化硅)驅(qū)動(dòng)電源時(shí),需要考慮以下幾個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn):
2024-03-18 標(biāo)簽:IGBTSiC驅(qū)動(dòng)電源 2751 0
伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IGBT怎么選擇?
伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器在生產(chǎn)應(yīng)用中是廣泛的,而且其系統(tǒng)響應(yīng)速度快,過載倍數(shù)高,小型化和高功率密度的趨勢更是對(duì)功率器件提出了更苛刻的要求。因此產(chǎn)品研發(fā)工程師在產(chǎn)品...
2023-02-19 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT伺服電機(jī) 2749 0
基于IGBT的固態(tài)脈沖調(diào)制器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),使用電阻控制IGBT開關(guān)的方法剖析
R2C2稱為反肩峰電路。當(dāng)仿真線向不匹配的負(fù)載放電會(huì)在脈沖的前沿引起顯著的肩峰。R2C2電路就是為了減小這種肩峰的,其電阻通常選擇和負(fù)載阻抗相等,而電容...
電動(dòng)汽車IGBT芯片大電流密度、低損耗優(yōu)化技術(shù)匯總
為滿足電動(dòng)汽車的功率需求,牽引逆變器中一般使用多芯片并聯(lián)的功率模塊。然而,多芯片并聯(lián)會(huì)帶來并聯(lián)芯片間電流分布不均,回路雜散電感增大和散熱效率下降等問題;...
2023-05-06 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器大電流 2724 0
封裝技術(shù)是一種將芯片與承載基板連接固定、引出管腳并將其塑封成整體功率器件或模塊的工藝,主要起到電氣連接、結(jié)構(gòu)支持和保護(hù)、提供散熱途徑等作用[4]。封裝作...
2023-08-24 標(biāo)簽:IGBT功率器件半導(dǎo)體器件 2697 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)吸收電容的原理是一個(gè)復(fù)雜而重要的概念,它涉及到IGBT...
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