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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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具有自關(guān)斷能力的電力半導(dǎo)體器件稱為全控性器件,全控型器件又稱為自關(guān)斷器件,是指通過控制信號既可以控制其導(dǎo)通,又可以控制其關(guān)斷的電力電子器件。
電力電子控制器PID參數(shù)的幾種調(diào)試方法
電力電子轉(zhuǎn)換器(Power Electronics Converter)指的是主要通過開關(guān)器件和其他電路的組合將一種形式的電源轉(zhuǎn)化成另外一種形式的電源。
2023-06-01 標簽:轉(zhuǎn)換器IGBT電源適配器 3081 0
AN-1316:為IGBT電機驅(qū)動器生成多個隔離偏置軌
最先進的電機驅(qū)動器使用基于 3 相絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的逆變器,該逆變器由直流母線電壓供電,通常在 400 V 直流至 800 V 直流范圍...
IGBT中的若干PN結(jié)—PNPN結(jié)構(gòu)介紹
在前文的PNP結(jié)構(gòu)中,我們描述了一種現(xiàn)象,如果IGBT中的兩個BJT都處于工作狀態(tài),那么就會發(fā)生失控,產(chǎn)生latch-up現(xiàn)象。
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(1)
分析IGBT,一般可以采用兩種模型,一種是簡化的“PIN+MOS”模型,一種是更切合實際的“PNP+MOS”模型,前者邏輯分析簡單
由于短路會導(dǎo)致負載電阻降低或短路,使得電流突然增大。IGBT作為開關(guān)管,其額定電流通常有限,該突然增大的電流可能會超過IGBT管的額定電流,導(dǎo)致IGBT...
IGBT技術(shù)發(fā)展歷史 IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理
根據(jù)應(yīng)用場景的電壓不同,IGBT有超低壓、低壓、中壓和高壓等類型,其中新能源汽車、工業(yè)控制、家用電器等使用的IGBT以中壓為主,而軌道交通、新能源發(fā)電和...
2023-04-04 標簽:智能電網(wǎng)IGBT功率半導(dǎo)體 3026 0
在上一篇中,我們建立了諧振電路系統(tǒng)的時域模型和頻域模型,簡單地分析了單管并聯(lián)諧振電路實例中諧振網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用及其實現(xiàn)零電壓(ZVS)開通的機理。
一、IGBT工作原理1.什么是IGBTIGBT:IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT...
2023-12-08 標簽:IGBT晶體管半導(dǎo)體器件 3017 0
什么是“三電系統(tǒng)”和“電驅(qū)系統(tǒng)”? IGBT模塊結(jié)構(gòu)和汽車IGBT模塊應(yīng)用
在駕駛新能源汽車時,電機控制器把動力電池放出的直流電(DC)變?yōu)榻涣麟姡ˋC)(這個過程即逆變),讓驅(qū)動電機工作,電機將電能轉(zhuǎn)換成機械能,再通過傳動系統(tǒng)...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的工作區(qū)主要涉及其在不同工作狀態(tài)下的安全運行區(qū)域,這些區(qū)域定義了IGBT在特定條件下的電壓、電流及功率限制,以確保其穩(wěn)定運...
飛虹半導(dǎo)體IGBT單管在電焊機中的應(yīng)用
IGBT在逆變焊機中能將逆變電路的直流電變成幾十khz的交流電,經(jīng)過主變壓器降壓后,再經(jīng)過整流濾波獲得平穩(wěn)的直流輸出焊接電流,讓電焊機的功能得到極大的提...
通態(tài)損耗Ps。大體來講,通態(tài)損耗等于集電極電流和IGBT管飽和壓降的乘積即:Ps=Ic*Uces。
2022-10-13 標簽:IGBT續(xù)流二極管開關(guān)損耗 3005 0
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