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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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電驅(qū)系統(tǒng)工作:在駕駛新能源汽車時,電機(jī)控制器把動力電池放出的直流電(DC)變?yōu)榻涣麟姡ˋC)(這個過程即逆變),讓驅(qū)動電機(jī)工作,電機(jī)將電能轉(zhuǎn)換成機(jī)械能,...
2023-03-29 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT電驅(qū)系統(tǒng) 3307 0
IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動和各類變流器,IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一,短路保護(hù)可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實(shí)現(xiàn)。
2023年電驅(qū)動技術(shù)發(fā)展及未來趨勢如何
扁線電機(jī),即采用扁平銅包線繞組定子的電機(jī)。與普通圓漆包線繞組相比,扁線繞組在相同的體積下,具有能量密度更高,電機(jī)效率更高的特點(diǎn)。
2023-08-02 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動電機(jī)電驅(qū)動 3305 0
MOS 場效應(yīng)晶體管部分載流子累積又使得此復(fù)合結(jié)構(gòu)中 BJT 部分的基極驅(qū)動電流顯著增加,二者協(xié)同工作,從而改善了整個器件的特性。
2023-04-24 標(biāo)簽:IGBTMOS場效應(yīng)晶體管 3296 0
在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常使用,它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似,為什么有些電路中使用MOS管...
針對現(xiàn)階段制約電力電子技術(shù)發(fā)展的散熱問題,以溫度對電力電子器件的影響、電力電子設(shè)備熱設(shè)計(jì)特點(diǎn)、常見散熱技術(shù)、散熱系統(tǒng)優(yōu)化研究和新材料在電力電子散熱研究中...
IGBT結(jié)溫是功率電子器件最重要的參數(shù)之一,器件在運(yùn)行中測量此溫度是非常困難的。一個方法是通過使用IGBT模塊內(nèi)部的NTC(熱敏電阻)近似估計(jì)芯片穩(wěn)定工...
IGBT的VGE的耐壓值為±20V,在IGBT模塊上加出了超出耐壓值的電壓的場合,由于會導(dǎo)致?lián)p壞的危險(xiǎn),因而在柵極-發(fā)射極之間不能超出耐壓值的電壓,這點(diǎn)請注意。
針對汽車 IGBT 模塊的主要失效原理和引線鍵合壽命短板,結(jié)合仿真分析進(jìn)行了功率循環(huán)試驗(yàn)設(shè)計(jì),結(jié)溫差 ΔTj 和流經(jīng)鍵合線的電流 IC 是影響鍵合點(diǎn)壽命...
逆變器在電動汽車和混動汽車中發(fā)揮著重要作用。其主要功能是將車載電池組提供的直流電轉(zhuǎn)換為三相交流電,用于汽車的電機(jī)。此外,在再生制動期間,逆變器將交流電轉(zhuǎn)...
2023-10-24 標(biāo)簽:發(fā)動機(jī)逆變器IGBT 3264 0
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 和二極管是電子設(shè)備中常見的兩種功率開關(guān)器件。它們在許多應(yīng)用中起著關(guān)鍵作...
為什么說IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件?它們有何區(qū)別和聯(lián)系?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場...
作者:Maurizio Di Paolo Emilio 近年來,電力電子半導(dǎo)體市場迅速增長,這主要?dú)w功于用于電動/混合動力汽車(EV / HEV)和電機(jī)...
2021-05-20 標(biāo)簽:穩(wěn)壓器led驅(qū)動器IGBT 3246 0
SVPWM原理推導(dǎo)與Mathcad建??刂茖?shí)現(xiàn)
SVPWM是變流器控制基礎(chǔ),其實(shí)現(xiàn)流程大致為,判斷合成矢量所在扇區(qū),計(jì)算相鄰矢量作用時間,計(jì)算各橋臂導(dǎo)通時間,得到各相PWM占空比,更新相應(yīng)寄存器值。
在現(xiàn)代電動車輛和電力電子領(lǐng)域,電機(jī)控制器扮演著至關(guān)重要的角色,它負(fù)責(zé)控制電機(jī)的運(yùn)行,確保車輛或其他設(shè)備的正常運(yùn)行。而IGBT(Insulated Gat...
工業(yè)、EV、軌道交通用IGBT模塊的選材及封裝工藝對比
由下圖我們可以看到,外殼選材上,工業(yè)用IGBT模塊外殼一般采用通用型PBT材料,EV用IGBT模塊外殼采用增強(qiáng)型PBT材料,軌道交通用IGBT模塊外殼采...
電機(jī)驅(qū)動中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景
通過采用電子馬達(dá)驅(qū)動器或“電壓源逆變器”可實(shí)現(xiàn)對電機(jī)的增強(qiáng)型控制,此類驅(qū)動器通常會產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動器采用...
2021-07-04 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動IGBT柵極 3210 0
車規(guī)模塊系列(四):Cu-Clip互連技術(shù)簡析
在上篇討論TPAK封裝時,我們聊到了Cu-Clip技術(shù),當(dāng)然它可以應(yīng)用在很多模塊封裝形式當(dāng)中
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