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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì):揭秘門(mén)極電壓選擇的奧秘
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為一種結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)優(yōu)點(diǎn)的功率半導(dǎo)體器件,因其具有低開(kāi)關(guān)損...
在智能交流穩(wěn)壓器(或自動(dòng)穩(wěn)壓器(AVR))的設(shè)計(jì)中嵌入微處理器芯片技術(shù)和電力電子設(shè)備,導(dǎo)致在市電電壓出現(xiàn)顯著和連續(xù)偏差的情況下產(chǎn)生高質(zhì)量、穩(wěn)定的電力供應(yīng)。
2023-07-23 標(biāo)簽:變壓器開(kāi)關(guān)電路轉(zhuǎn)換器 4961 2
功率循環(huán)測(cè)試助力車(chē)用IGBT性能提升
汽車(chē)功率電子組件(例如IGBT)的設(shè)計(jì)必須能負(fù)荷數(shù)千小時(shí)的工作時(shí)間和上百萬(wàn)次的功率循環(huán),同時(shí)得承受高達(dá) 200℃的溫度。因此產(chǎn)品的可靠性特別關(guān)鍵,而同時(shí)...
2016-01-08 標(biāo)簽:汽車(chē)電子IGBT功率循環(huán)測(cè)試 4928 0
硅IGBT與碳化硅MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)
Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類(lèi)型。一般來(lái)說(shuō),MOSFET更適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用,而IGBT更適合高功率應(yīng)用。
2023-10-17 標(biāo)簽:MOSFET逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 4928 0
基于IGBT技術(shù)實(shí)現(xiàn)反并聯(lián)二極管的正確設(shè)計(jì)
二極管的反向恢復(fù)電荷Qrr與正向壓降Vf的關(guān)系曲線可以表示出二極管的特性。這意味著,原則上該曲線上的每一個(gè)點(diǎn)都能實(shí)現(xiàn),如圖1所示。因此,可以設(shè)計(jì)出低Qr...
為了更好了解IGBT,下面我們?cè)賮?lái)看看它的內(nèi)部結(jié)構(gòu):一般,IGBT 有三個(gè)端子:集電極、發(fā)射極和柵極,他們都是附有金屬層。但是,柵極端子上的金屬材料具有...
對(duì)于本文所述的半導(dǎo)體,該值大約是一半的斷態(tài)重復(fù)峰值電壓。這對(duì)100fit(單位時(shí)間間隔內(nèi)的失效次數(shù);1fit=每小時(shí)失效1小時(shí)失-9次,即,器件工作10...
IGBT功率半導(dǎo)體的主要引用領(lǐng)域有哪些?
可控硅:能夠被低功率的控制信號(hào)打開(kāi),但只能由主電路(功率電路)自身來(lái)關(guān)斷而不能被控制信號(hào)關(guān)斷,因此又被稱(chēng)為半可控開(kāi)關(guān)。
2023-02-23 標(biāo)簽:變壓器IGBT功率半導(dǎo)體 4888 0
對(duì)新能源車(chē)來(lái)說(shuō),電池、VCU、BSM、電機(jī)效率都缺乏提升空間,最有提升空間的當(dāng)屬電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分,而電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分最核心的元件IGBT(Insulated G...
2018-07-20 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)IGBT 4876 0
西門(mén)子變頻器常見(jiàn)故障現(xiàn)象分析及處理方法
西門(mén)子變頻器主要分為通用型、工程型和專(zhuān)用型三類(lèi),不斷推出新產(chǎn)品,其產(chǎn)品能夠滿足不同用戶的特殊要求。
空穴”帶正電,電子帶負(fù)電,但摻雜后的半導(dǎo)體本身為電中性。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即絕緣柵雙極型晶體管,是一種先進(jìn)的電力電子器件。IGBT芯片結(jié)合了MOS...
T3Ster結(jié)構(gòu)函數(shù)應(yīng)用-雙界面分離法測(cè)試RθJC(θJC)
半導(dǎo)體器件的結(jié)到殼之間的熱阻RθJC(θJC)是衡量器件從芯片到封裝表面外殼的熱擴(kuò)散能力的參數(shù),是半導(dǎo)體器件最重要的熱性能參數(shù)之一,它必須被標(biāo)注到器件尤...
如何提升igbt讀寫(xiě)速度,igbt模塊要如何安裝?igbt驅(qū)動(dòng)板的安裝與調(diào)試
典型IGBT驅(qū)動(dòng)板電路原理圖下圖為DA962Dx系列原理圖,參考下圖可設(shè)計(jì)出最大可驅(qū)動(dòng)300A/1700V的IGBT驅(qū)動(dòng)板,市售全功能版本的IGBT驅(qū)動(dòng)...
ZVS1和ZVS2各有哪些優(yōu)缺點(diǎn),如何選擇?
工作在容性區(qū)域電流超前于電壓,前級(jí)開(kāi)關(guān)管容易實(shí)現(xiàn)ZCS關(guān)斷,這個(gè)區(qū)域比較適合IGBT。 工作在感性區(qū)域電壓超前于電流,前級(jí)開(kāi)關(guān)管容易實(shí)現(xiàn)ZVS開(kāi)通,這個(gè)...
波老師那個(gè)年代上大學(xué)都是自己攢機(jī)裝電腦,買(mǎi)CPU先問(wèn)主頻多少Hz?后來(lái)買(mǎi)手機(jī)也是,先看幾個(gè)核,再看主頻...所以估計(jì)大家都也差不多,都烙下病根兒了。 可...
IGBT和SiC MOSFET差異 柵極驅(qū)動(dòng)器電路設(shè)計(jì)
也許與此主題相關(guān)的最根本的問(wèn)題是問(wèn)為什么使用并行模塊?將2個(gè)200A模塊并聯(lián)成一個(gè)400A模塊有什么好處,為什么不簡(jiǎn)單地使用400A零件呢?在商業(yè)方面,...
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