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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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全部技術資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) IGBT選型

igbt技術

IGBT典型過流保護電路設計分享

所謂集中過電流保護，就是檢測逆變橋輸入直流母線上的電流，當該電流值超過設定的閾值時，封鎖所有橋臂IGBT的驅動信號。

2024-02-23 標簽：IGBT 光電耦合器過流保護電路 3.7萬 0

IGBT場效應管的工作原理 IGBT場效應管的選擇方法

IGBT，即絕緣柵雙極晶體管，是一種高效能的半導體器件，它結合了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和雙極結型晶體管（BJT）的特性。

2024-02-22 標簽：MOSFET IGBT 電源電壓 3.7萬 0

IGBT模塊理論研究：IGBT三相逆變電路分析

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2024-02-22 標簽：IGBT SPWM 三相逆變 4574 0

IGBT器件的結構和工作原理

2024-02-21 標簽：MOSFET 半導體 IGBT 2219 0

MOSFET和IGBT區(qū)別及高導熱絕緣氮化硼材料在MOSFET的應用

引言：EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產(chǎn)業(yè)鏈市場！EV中的電機控制系統(tǒng)、引擎控制系統(tǒng)、車身控制系統(tǒng)均需使用大量的半導體功率器件，它的普及...

2024-02-19 標簽：MOSFET IGBT 氮化硼 1747 0

IGBT內(nèi)部結構過熱和過流的區(qū)別

IGBT在結構上類似于MOSFET，其不同點在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板（漏極）上增加了一個 P+基板（IGBT 的集電極），形成P...

2024-02-19 標簽：MOSFET IGBT NPN晶體管 4.9萬 0

IGBT過流故障和短路故障的區(qū)別

在電力電子技術領域，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種被廣泛應用的半導體開關器件。它結合了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的輸入阻抗高和雙極...

2024-02-18 標簽：MOSFET 半導體 IGBT 5.1萬 1

IGBT中的短路耐受時間是什么

短路耐受時間是指IGBT在短路條件下能夠持續(xù)導通而不發(fā)生故障的時間。這個參數(shù)對于系統(tǒng)保護策略的設計至關重要，因為它決定了系統(tǒng)在檢測到短路并采取措施（如關...

2024-02-06 標簽：電流 IGBT 晶體管 3108 0

igbt的工作原理圖詳解

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種結合了MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和BJT（雙極型晶體管）特性的高效能半導體器件。它特別適用于需要高...

2024-02-06 標簽：半導體 IGBT 晶體管 3772 0

IGBT的結構組成特點是什么

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種半導體器件，具有柵極、集電極和發(fā)射極三個引腳。其工作原理與MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）相似，但同時具...

2024-02-06 標簽：半導體 IGBT 晶體管 1800 0

IGBT是什么 IGBT電路圖符號

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管，Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種半導體器件，結合了金屬氧化物半導體場效應晶體管（...

2024-02-06 標簽：半導體 IGBT 晶體管 1643 0

故障電流限制器的作用及原理

FCL的基本工作原理是通過快速改變電路的阻抗來限制故障電流。它通常由電力電子器件（如IGBT、MOSFET等）及其控制電路組成。

2024-02-06 標簽：MOSFET IGBT 發(fā)電機 2046 0

是什么原因造成IGBT擊穿短路？

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）擊穿短路的原因是一個復雜且多元的問題，涉及多個因素相互作用。以下是對IGBT擊穿短路原因的詳細分析，旨在達到1000字的要求。

2024-02-06 標簽：IGBT 晶體管電源電壓 8906 0

IGBT短路時電流為什么那么大？

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應用于電力電子領域的半導體器件，因其高效率和快速開關特性而受到青睞。

2024-02-06 標簽：半導體 IGBT 晶體管 1860 0

igbt屬于什么器件　igbt模塊的作用和功能

　IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種半導體功率器件。它結合了MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和雙極型晶體管的特性。

2024-02-06 標簽：二極管 MOSFET IGBT 9764 0

IGBT的動態(tài)特性及開通過程

導通時，當柵極電壓高于閾值電壓，電流開始通過IGBT。飽和電壓下降速度表示在IC（集電極電流）上升到特定值時，VCE（集電極-發(fā)射極電壓）下降的速度。

2024-02-06 標簽：IGBT 晶體管集電極 3683 0

IGBT的結構和工作原理 igbt和mos管的區(qū)別

絕緣層位于IGBT的N區(qū)表面，通常使用氧化硅（SiO2）等絕緣材料，用于隔離控制電極（柵極）與功率電極（P區(qū)和N+區(qū)）。

2024-02-06 標簽：二極管 MOSFET MOS管 2855 0

IGBT負載短路下的幾種后果

由于短路會導致負載電阻降低或短路，使得電流突然增大。IGBT作為開關管，其額定電流通常有限，該突然增大的電流可能會超過IGBT管的額定電流，導致IGBT...

2024-02-06 標簽：驅動器 IGBT 電解電容 2991 0

基于EXB841的IGBT推挽驅動電路原理

14、15接驅動信號，一般14腳接脈沖形成部分的地，15腳接輸入信號的正端，15端的輸入電流一般應該小于20mA，故在15腳前加限流電阻。

2024-02-06 標簽：IGBT EXB841 驅動電路 3121 0

變頻器制動電阻的作用原理

一般情況下，由于各廠家的設計理念不同，直流側的電容在設計上可能存在差異。當變頻器中所使用的濾波電容電容量足夠大，在工作時，能夠吸收較多的能量，使用工況不...

2024-02-03 標簽：濾波電容變頻器 IGBT 2711 0

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