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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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IGBT 模塊是由 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與 FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的 IGBT 模塊...
2024-03-27 標簽:場效應(yīng)管IGBT晶體管 2254 0
淺析功率半導(dǎo)體IGBT及SiC技術(shù)的相關(guān)知識
電力電子技術(shù)在新能源汽車中應(yīng)用廣泛,是汽車動力總成系統(tǒng)高效、快速、穩(wěn)定、安全能量變換的基礎(chǔ)。
升華感應(yīng)電源采用逆變PWM調(diào)功控制方案
并聯(lián)諧振感應(yīng)加熱電源功率控制方式有三種:整流移相調(diào)壓調(diào)功、直流斬波調(diào)功、逆變PWM調(diào)功。
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳...
IGBT的開關(guān)速度指的是從導(dǎo)通到截止(或反之)所需的時間??焖俚拈_關(guān)速度有助于減少功率損耗和提高效率,但過快的開關(guān)速度可能會增加電壓和電流的瞬態(tài)壓降,導(dǎo)...
探究IGBT開關(guān)過程及其驅(qū)動設(shè)計的關(guān)鍵因素
IGBT在二極管鉗位感性負載條件下的電路如圖1所示,該電路為IGBT常用電路,可作為IGBT開關(guān)特性的測試電路,評估IGBT的開通及關(guān)斷行為。
IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示,IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合,MOSFE...
2024-03-13 標簽:開關(guān)電源MOS管導(dǎo)通電阻 974 0
公共阻抗耦合: 當兩個電路的地電流流過一個公共阻抗時 ,就會發(fā)生公共阻抗耦合 。由于地線是信號回流線 ,一個電路的工作 狀態(tài)必然會影響地線電壓 , 當兩...
2024-03-13 標簽:MOSFET電磁兼容開關(guān)電源 1864 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種高效能的功率半導(dǎo)體元件,在能源轉(zhuǎn)換和控制領(lǐng)域的作用日益凸顯。01作為能量轉(zhuǎn)換與管理的核心,IGBT結(jié)合了MOSFET...
IGBT(Insulated-gate bipolar transistor)是一種高性能功率開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于電力變換和控制領(lǐng)域。它是一種結(jié)合了易于...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種重要的功率電子器件,廣泛應(yīng)用于各種高壓高電流的電力電子設(shè)備中。IGB...
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