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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1248人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：3068個 瀏覽：254402次 帖子：482個

      igbt技術(shù)

      IGBT上下橋關(guān)斷尖峰不一樣是何原因？

      IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為一種功率半導(dǎo)體器件，在電力電子領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。在IGBT的開關(guān)過程中，上下橋臂的關(guān)斷尖峰現(xiàn)象是影響器件性能和可靠性的重要因素。

      2024-05-29 標簽：IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 1.6萬 0

      為什么使用 S 參數(shù)進行功率模塊優(yōu)化更有優(yōu)勢？

      為什么使用 S 參數(shù)進行功率模塊優(yōu)化更有優(yōu)勢？

      ? 功率模塊是一種采用絕緣柵雙極性晶體管 (IGBT) 或金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管作為開關(guān)元件的高功率開關(guān)電路，廣泛應(yīng)用于電動汽車、可再生能源、光伏...

      2024-05-29 標簽：IGBT功率模塊S參數(shù) 1397 0

      典型IGBT短路保護電路的工作原理簡析

      典型IGBT短路保護電路的工作原理簡析

      圖5-14所示是采用IGBT過流時UCE增大的原理構(gòu)成的保護電路，該電路采用IGBT專用驅(qū)動器EXB841。

      2024-05-24 標簽：驅(qū)動器比較器IGBT 2.2萬 0

      什么是IGBT芯片？它有哪些用途？

      IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即絕緣柵雙極型晶體管，是一種先進的電力電子器件。IGBT芯片結(jié)合了MOS...

      2024-05-23 標簽：芯片IGBT晶體管 4677 0

      600V/15A三相全橋驅(qū)動智能功率模塊-DPM15C60DG1概述

      600V/15A三相全橋驅(qū)動智能功率模塊-DPM15C60DG1概述

      DPM15C60 是一款三相 IGBT 逆變器模塊，內(nèi)置 IGBT 及其柵驅(qū)動芯片，可用于無刷直流電機、永磁無刷電機等的驅(qū)動。

      2024-05-22 標簽：逆變器IGBT電磁干擾 1519 0

      淺析IGBT并聯(lián)技術(shù)-并聯(lián)方法分類

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      IGBT并聯(lián)可以分為“硬并聯(lián)”及“橋臂并聯(lián)”2大類。

      2024-05-17 標簽：驅(qū)動器IGBTbuck電路 2.2萬 0

      IGBT與MOS管的區(qū)別

      在電力電子領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是兩種非常重要的功率半導(dǎo)體器件。它們各自具有獨特的工作原理、結(jié)構(gòu)...

      2024-05-12 標簽：MOS管IGBT晶體管 4273 0

      IGBT組成的H橋功率單元和級聯(lián)拓撲結(jié)構(gòu)有什么不同？

      IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種電力電子設(shè)備中常用的高效能開關(guān)器件，它結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極晶體管的低導(dǎo)通壓降特點。

      2024-05-12 標簽：MOSFETIGBT晶體管 3812 0

      H橋的工作原理 H橋的控制方式有哪些

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      H橋是一種用于控制電機方向和速度的電力電子電路。它由四個開關(guān)器件（可以是晶體管、MOSFET、IGBT等）組成，其布局類似于字母“H”，因此得名。

      2024-05-11 標簽：MOSFETIGBT晶體管 6340 0

      影響靜態(tài)均流的因素 IGBT芯片溫度對均流的影響

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      并聯(lián)IGBT的直流母線側(cè)連接點的電阻分量，因此需要盡量對稱；

      2024-05-10 標簽：二極管IGBT雜散電感 2029 0

      Vector與CSM助力核心技術(shù)創(chuàng)新，提升汽車終端用戶體驗

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      無論是“碳達峰，碳中和”的國家愿景，還是“到2025年，純電乘用車新車平均電耗降至12.0千瓦時/百公里，到2035年，純電汽車成為新銷售車輛的主流，公...

      2024-05-10 標簽：傳感器燃料電池新能源汽車 1714 0

      基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計

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      功率模塊從硅IGBT技術(shù)過渡到基于SiC MOSFET技術(shù)是不可避免的。然而，從硅IGBT時代留下來的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術(shù)的商業(yè)化，因為它們...

      2024-05-08 標簽：MOSFETIGBT功率模塊 1466 0

      淺析電源功率模組完整的設(shè)計和驗證流程

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      電動汽車、新能源、光伏、風(fēng)電等領(lǐng)域廣泛使用高功率開關(guān)電源功率模組。IGBT和MOSFET是模組中常用器件。

      2024-05-07 標簽：電動汽車IGBT電磁兼容性 1495 0

      功率系統(tǒng)中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數(shù)自動測試與計算新方案

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      柵極參數(shù)設(shè)計是通過理論計算或建模仿真，模擬器件的開關(guān)狀態(tài)，掌握其動態(tài)特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等，其核心還是理論計算。

      2024-04-29 標簽：MOSFETIGBTemc 1767 0

      比亞迪e5高壓電控總成內(nèi)IGBT模塊技術(shù)分析

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      用9 V電池作為電源接至G11觸發(fā)上橋臂中的1號IGBT，用萬用表的二極管擋測量上橋臂“+”與“～”之間的導(dǎo)通性，顯示導(dǎo)通，壓降為0.379 V。

      2024-04-28 標簽：二極管原理圖萬用表 1680 0

      門極驅(qū)動正壓對功率半導(dǎo)體性能的影響

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      對于半導(dǎo)體功率器件來說，門極電壓的取值對器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過門極負壓對器件開關(guān)特性的影響，而今天我們來一起看看門極正電壓對器件的影響。文章將會...

      2024-05-11 標簽：MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 658 0

      IGBT驅(qū)動器直接并聯(lián)的優(yōu)點和技術(shù)介紹

      IGBT驅(qū)動器直接并聯(lián)的優(yōu)點和技術(shù)介紹

      IGBT驅(qū)動器在并聯(lián)的場合有2種配置方法（LS1，LS2為雜散參數(shù)）

      2024-04-26 標簽：驅(qū)動器IGBT電源電壓 2529 0

      IGBT并聯(lián)技術(shù)驅(qū)動配置的優(yōu)化策略與實踐

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      1. 每個IGBT有獨立的驅(qū)動器； 2. IGBT的連接形式接近于硬并聯(lián)，兩橋臂交流輸出端通過銅排直接相連； 3. 可能存在發(fā)射極環(huán)流，但不同的IGBT...

      2024-04-26 標簽：驅(qū)動器IGBT電流探頭 2158 0

      功率循環(huán)對IGBT壽命有何影響？如何準確估算功率器件的壽命呢？

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      運行過程中產(chǎn)生的高結(jié)溫和高溫度梯度會引起機械應(yīng)力，尤其是在具有不同熱膨脹系數(shù)的材料之間的接觸面上，這可能導(dǎo)致這些器件性能退化甚至完全失效。

      2024-04-24 標簽：二極管IGBT功率器件 1641 0

      比亞迪高壓電控總成IGBT模塊檢測指南

      比亞迪高壓電控總成IGBT模塊檢測指南

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        IOT
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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        海思
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      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
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