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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1248人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：3068個 瀏覽：254400次 帖子：482個

      igbt技術(shù)

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      場效應管（Field-Effect Transistor，F(xiàn)ET）和絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transisto...

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      可能會出現(xiàn)尖峰和低峰現(xiàn)象。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應用于電力電子領(lǐng)域的半導體器件。它結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和B...

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        光模塊
        +關(guān)注
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      • TMS320F28335
        TMS320F28335
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        ESP8266
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