晶圓級封裝中的窄間距RDL技術

上篇文章提到用于 IC 封裝的再分布層(RDL)技術Redistribution layer, RDL 的基本概念是將 I/O 焊盤的位置分配到芯片的其...

2023-12-06 標簽：芯片集成電路半導體 1.7萬 0

一文解析IC封裝形式的散熱改善方式及效果

IC的散熱主要有兩個方向，一個是由封裝上表面?zhèn)鞯娇諝庵校硪粋€則是由IC向下傳到PCB板上，再由板傳到空氣中。

2022-07-13 標簽：pcbIC封裝 8386 0

芯片封裝熱阻仿真計算案例

半導體技術按摩爾定理的發(fā)展，集成電路的密度將越來越高，且尺寸越來越小。所有芯片工作時都會發(fā)熱，熱量的累積必導致結(jié)點溫度的升高，隨著結(jié)點溫度提高

2023-05-10 標簽：集成電路IC封裝JEDEC 6575 0

介紹晶圓減薄的原因、尺寸以及4種減薄方法

在封裝前，通常要減薄晶圓，減薄晶圓主要有四種主要方法：機械磨削、化學機械研磨、濕法蝕刻和等離子體干法化學蝕刻。

2024-01-26 標簽：晶圓IC封裝CMP 6179 0

高頻高速PCB覆銅板三大關鍵原材料性能分析

為了追求高頻高速電路具有更好信號完整性（Signal Integrity，縮寫SI），覆銅板要實現(xiàn)（特別在高頻下實現(xiàn)）更低的信號傳輸損耗性能。這需要覆銅...

2023-05-17 標簽：pcbIC封裝覆銅板 5982 0

TSMC-SoIC，InFO，CoWoS之間的關系？

2.5/3D-IC封裝是一種用于半導體封裝的先進芯片堆疊技術，它能夠把邏輯、存儲、模擬、射頻和微機電系統(tǒng) (MEMS)集成到一起，是未來封裝的發(fā)展方向。

2024-03-06 標簽：半導體封裝IC封裝info 5982 0

RDL線寬線距將破亞微米賦能扇出封裝高效能低成本集成

RDL 技術是先進封裝異質(zhì)集成的基礎，廣泛應用扇出封裝、扇出基板上芯片、扇出層疊封裝、硅光子學和 2.5D/3D 集成方法，實現(xiàn)了更小、更快和更高效的芯片設計。

2024-03-01 標簽：傳感器芯片設計IC封裝 5401 0

支持高功率應用的RDL技術解析

如之前的介紹用于 IC 封裝的再分布層(RDL)技術及晶圓級封裝中的窄間距RDL技術及應用]技術通常用于芯片封裝中的信號和電源引腳映射，用于實現(xiàn)芯片與封...

2023-12-06 標簽：半導體IC封裝芯片封裝 4940 1

淺談LTCC的特性和應用總結(jié)

將生片加工成多層基板時，可以在表層和內(nèi)層形成配線圖案，進行三維多層配線。由于用作布線導體的Ag具有低電阻，因此實現(xiàn)了電阻損失小的布線圖案。廣泛用作高頻模...

2023-05-05 標簽：陶瓷IC封裝基板 4800 0

3D封裝結(jié)構與2.5D封裝有何不同？3D IC封裝主流產(chǎn)品介紹

2.5D封裝和3D IC封裝都是新興的半導體封裝技術，它們都可以實現(xiàn)芯片間的高速、高密度互連，從而提高系統(tǒng)的性能和集成度。

2023-08-01 標簽：SoC芯片半導體封裝IC封裝 4721 0

探索高級IC封裝設計的相互關聯(lián)（上）

對于許多應用而言，下一代IC封裝是在縮小整體封裝尺寸的同時實現(xiàn)硅縮放，功能密度和異構集成的最佳途徑。異構異構集成提供了增強設備功能，加快上市時間和提高硅...

2021-04-01 標簽：虛擬現(xiàn)實IC封裝人工智能 4696 0

探索高級IC封裝設計的相互關聯(lián)（下）

精密制造交接 另一個常見的挑戰(zhàn)是在制造之前進行驗證簽核所需的時間。避免這種瓶頸及其相關影響的一種行之有效的方法是實施一種集成且連續(xù)的驗證過程和方法，以使...

2021-04-01 標簽：晶圓edaCAD 4415 0