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PMP23340C2K 采用C2000? MCU且支持GaN的48V至12V 1.1kW 1/8 磚型電源模塊參考設計
此參考設計展示了高性能 GaN 如何為中間總線轉換器實現(xiàn)高效率和小外形尺寸。 *附件:PMP23340C2K 采用C2000? MCU且支持GaN的48...
PMP31349 具有GaN開關的30V至60V輸入、240W 降壓轉換器參考設計
此參考設計是一種可從標稱 48V 電池輸入(30V 至 60V 范圍)生成 12V 穩(wěn)壓輸出的電源。該電路設計為支持 20A 的連續(xù)輸出電流。LM514...
TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級,集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個 ...
LMG3624評估模塊LMG3624EVM-081符合 USB Type-C? PD 標準的 65W 準諧振反激式轉換器
LMG3624EVM-081 采用具有電流檢測仿真功能的 LMG3624 集成式 GaN FET,展示了 65W USB Type-C? 電力輸送 (P...
TI LMG3624 具有集成式驅動器和電流檢測仿真功能的 650V 170m? GaN FET技術文檔
LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝...
TI LMG3624 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V 170mΩ GaN FET
LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝...
TI LMG2610用于有源鉗位反激式轉換器的集成 650V GaN 半橋技術文檔
LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于 開關模式電源應用中 < 75W 的有源鉗位反激式 (ACF) 轉換器。LMG...
過去兩年中,氮化鎵雖然發(fā)展迅速,但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時,不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤,這引發(fā)大家對垂直氮化鎵未來的擔憂。為此,在本文中,...
UCG28826 中文數(shù)據(jù)手冊 具有集成式 GaN (65W) 的自偏置高頻 QR 反激式轉換器
UCG28826 是一款高頻準諧振反激式轉換器,內(nèi)置 170mΩ GaN 高電子遷移率晶體管(HEMT),可將交流電轉換為直流電,適用于高達 65W的電...
利用用于多相偏置解決方案的 GMR10Dx 模塊優(yōu)化工業(yè)電機控制系統(tǒng)中的功率控制器
作者:Ganmar Technologies 2024-12-12 本文探討了開發(fā)可靠安全的多相功率控制器所面臨的設計挑戰(zhàn)和主要考慮因素。文中利用具有浮...
安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)?粉末純度、SiC晶錠一致性
硅通常是半導體技術的基石。然而,硅也有局限性,尤其在電力電子領域,設計人員面臨著越來越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導體。 本文為白皮...
驅動電流分檔功能?是指通過配置不同的分壓電阻值來調(diào)節(jié)驅動電流的檔位,從而優(yōu)化系統(tǒng)的EMI性能和效率。這種功能通常集成在電源管理芯片中,如電源管理芯片U8...
TI的UCG28826無輔助繞組 GaN 反激式轉換器如何解決交流/直流適配器設計難題
人們對更小、更高效電源的需求不斷增長,進而推動著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級快速普及。在交流/直流適配器市場中,制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉...
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