現(xiàn)有GAN存在哪些關(guān)鍵屬性缺失？

生物統(tǒng)計學(xué)家Alexia Jolicoeur-Martineau發(fā)表了一篇令人矚目的論文，她指出現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)GAN（SGAN）訓(xùn)練生成器時，不僅應(yīng)該提高偽...

2018-07-07 標(biāo)簽：GAN 5523 0

IGBT 和 GaN、SiC 和硅 FET 的統(tǒng)一視圖和價格-性能分析

在設(shè)計電力電子設(shè)備時，我們需要評估所有業(yè)務(wù)需求和技術(shù)要求，以優(yōu)化設(shè)計周期時間，從而以更低的成本實現(xiàn)更高性能的系統(tǒng)。這是DiscoverEE及其創(chuàng)始人 S...

2022-08-04 標(biāo)簽：IGBT功率SiC 5364 1

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應(yīng)用差異在哪里？

SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG 設(shè)備顯示出以下優(yōu)點：

2023-10-09 標(biāo)簽：晶體管SiC氮化鎵 5220 1

GaN和SiC器件或?qū)⒊蔀楣β兽D(zhuǎn)換應(yīng)用中的新型解決方案

基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。

2018-10-04 標(biāo)簽：IGBTGaN 5201 0

什么是GaN氮化鎵？Si、GaN、SiC應(yīng)用對比

由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主...

2023-04-25 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 5180 0

40W兩級高效無頻閃GaN方案OB3674P+OB8652V介紹

隨著辦公照明和商業(yè)照明市場日趨成熟，高PF、低諧波、低成本、無頻閃、高光效等需求已成為用戶的首選。為了滿足用戶高效節(jié)能、高可靠性和電源驅(qū)動小型化的要求，...

2023-06-30 標(biāo)簽：PFCBoostGaN 5178 0

半導(dǎo)體制造裝置之SiC涂層石墨基座介紹

SiC涂層的制備方法主要有凝膠-溶膠法、包埋法、刷涂法、等離子噴涂法、化學(xué)氣相反應(yīng)法(CVR)和化學(xué)氣相沉積法(CVD)。

2023-05-11 標(biāo)簽：SiCGaN碳化硅 5176 0

如何采用不同封裝技術(shù)構(gòu)建高性能GaN設(shè)備

使用GaN FET構(gòu)建高速系統(tǒng)并非易事。開關(guān)電場可占據(jù)封裝上方和周圍的空間，因此組裝使用GaN FET用于無線系統(tǒng)的系統(tǒng)對于整體性能至關(guān)重要。本文著眼于...

2019-03-11 標(biāo)簽：封裝無線gan 5169 0

生成對抗網(wǎng)絡(luò)GAN，正在成為新的“深度學(xué)習(xí)”

生成對抗網(wǎng)絡(luò)由一個生成網(wǎng)絡(luò)（Generator）與一個判別網(wǎng)絡(luò)（Discriminator）組成。生成網(wǎng)絡(luò)從潛在空間（latent space）中隨機采...

2018-06-11 標(biāo)簽：GAN深度學(xué)習(xí)強化學(xué)習(xí) 5158 0

激光芯片的封裝方式

激光器芯片根據(jù)材料體系有GaN基藍(lán)光系列、砷化鎵、磷化銦等組合起來的三元或者四元體系。每一種體系由于其最優(yōu)的外延基板不同，P、N面打金線方向不同，有正負(fù)...

2023-10-19 標(biāo)簽：芯片激光器封裝 5157 0