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F29H850TU C2000? 64 位 MCU,帶 C29x 200MHz 三核技術(shù)手冊(cè)
F29H85x 和 F29P58x 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,旨在提高電力電子器件的效率,包括但不限于:...
TMS320F28P559SJ-Q1 實(shí)時(shí)微控制器技術(shù)手冊(cè)
TMS320F28P55x (F28P55x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,旨在提高電力電子器件的效率,包...
TMS320F28P550SG C2000? 32 位 MCU技術(shù)手冊(cè)
TMS320F28P55x (F28P55x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件旨在提高電力電子器件的效率,包括但不...
F29H859TU-Q1 汽車級(jí) C2000? 64 位 MCU數(shù)據(jù)手冊(cè)
F29H85x 和 F29P58x 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,旨在提高電力電子器件的效率,包括但不限于:...
30W氮化鎵電源ic U8608集成E-GaN和驅(qū)動(dòng)電流分檔功能,通過(guò)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電流檔位,可以減少電磁干擾(EMI),優(yōu)化系統(tǒng)的整體性能和待機(jī)功耗。具體來(lái)...
UCC28780 1MHz 高頻有源鉗位反激式控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC28780 是一款高頻有源鉗位反激式控制器,可實(shí)現(xiàn)高密度 AC-DC 電源,符合嚴(yán)格的全球能效標(biāo)準(zhǔn),如 DoE VI 級(jí)和歐盟 CoC V5 Ti...
HMC7149 10W GaN MMIC功率放大器,6-18GHz技術(shù)手冊(cè)
HMC7149是一款10W氮化鎵(GaN) MMIC功率放大器,工作頻率范圍為6至18 GHz。 通常情況下,該放大器提供20 dB的小信號(hào)增益、+40...
深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準(zhǔn)諧振模式,顯著降低磁性元件體積,同時(shí)通過(guò)?同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部...
HMC1087F10 8W GaN法蘭貼裝MMIC功率放大器技術(shù)手冊(cè)
HMC1087F10是一款8W氮化鎵(GaN) MMIC功率放大器,工作頻率范圍為2至20 GHz,采用10引腳法蘭貼裝封裝。 該放大器通常提供11 d...
HMC1086F10 25W GaN MMIC功率放大器技術(shù)手冊(cè)
HMC1086F10是一款25W氮化鎵(GaN) MMIC功率放大器,工作頻率范圍為2至6 GHz,采用10引腳法蘭貼裝封裝。 該放大器通常提供23 d...
一些集成GaN FET的芯片能夠根據(jù)輸入電壓和負(fù)載的變化自動(dòng)調(diào)整工作模式,這種自適應(yīng)調(diào)整可以使芯片在不同的工作條件下都能實(shí)現(xiàn)恒功率輸出,同時(shí)保持較高的效...
HMC1086 25W GaN MMIC功率放大器技術(shù)手冊(cè)
HMC1086是一款25W氮化鎵(GaN)功率放大器MMIC,工作范圍為2至6 GHz。該放大器通常提供22 dB小信號(hào)增益,+44.5 dBm飽和輸出...
TPS7H5020 SEP 能夠驅(qū)動(dòng) MOSFET 或 GaN FET 的耐輻射 1MHz PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS7H502x 是一款抗輻射性保證、電流模式、單端 PWM 控制器,具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器,可用于基于硅和氮化鎵 (GaN) 功率半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。T...
2025-03-19 標(biāo)簽:PWM控制器GaN功率半導(dǎo)體 472 0
GaN、超級(jí)SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別
如果想要說(shuō)明白GaN、超級(jí)SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別,首先要做的是搞清楚這三種功率器件的特性,然后再根據(jù)材料特性分析具體應(yīng)用。
GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
2025-03-13 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路功率器件 1.5萬(wàn) 0
GaN E-HEMTs的PCB布局經(jīng)驗(yàn)總結(jié)
GaN E-HEMTs的PCB布局經(jīng)驗(yàn)總結(jié)
2025-03-13 標(biāo)簽:GaNPCB布局Pcb layout 563 0
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