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技術資料#LMG3410R070 具有集成驅動器和保護功能的 600V 70mΩ GaN
LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
2025-02-26 標簽:GaN電力電子系統(tǒng)輸出電容 353 0
恒功率電源芯片具有穩(wěn)壓、高效、過載保護等特性,適用于一些功率要求嚴格的應用場景,如充電器、LED驅動器、電動工具等。今天推薦的深圳銀聯(lián)寶帶恒功率集成高壓...
LM5113-Q1系列 用于 GaNFET 的汽車級 1.2A/5A、100V 半橋柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊
LM5113-Q1 旨在以同步降壓、升壓或半橋配置驅動汽車應用中的高壓側和低壓側增強型氮化鎵 (GaN) FET 或硅 MOSFET。該器件具有集成的 ...
GaN器件采用二維電子氣結構,能夠提供更高的電子遷移率和導電性能,因此適用于高頻應用,可以實現(xiàn)更高效的功率轉換。深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的快充電源ic U...
LMG1020 具有 5V UVLO 的 7A/5A 單通道柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊
LMG1020 器件是一款單通道低側驅動器,設計用于在高速應用中驅動 GaN FET 和邏輯電平 MOSFET,包括 LiDAR、飛行時間、面部識別以及...
UCC27444 具有-5V輸入能力的 4A 雙通道低側柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27444 是一款雙通道、高速、低側柵極驅動器,可有效驅動 MOSFET 和 GaN 功率開關。UCC27444-Q1 的典型峰值驅動強度為 4 ...
UCC21540A-Q1 汽車5.7kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅動器,具有5V UVLO和3.3mm通道間距數(shù)據(jù)手冊
UCC21540-Q1 器件是一款隔離式雙通道柵極驅動器,具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)健性。它采用 4 A...
UCC27611 具有 4V UVLO 和 5V 穩(wěn)壓輸出的 4A/6A 單通道柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27611 是一款針對 5V 驅動優(yōu)化的單通道高速柵極驅動器,專門針對增強型 GaN FET 進行尋址。驅動電壓 VREF 由內部線性穩(wěn)壓器精確控...
Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅動器數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅動器是一款100V器件,集成了頂部和底部驅動器級、驅動器邏輯控制和保護功能。該驅動器可配...
耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限,若輸入電壓超過該值(如動態(tài)波動或負載突變),可能引發(fā)擊穿或永久損壞,直接影響器件可靠性、性能表現(xiàn)及系統(tǒng)適配性。高耐壓芯...
UCC5320 3k/5kVrms、2A/2A 單通道隔離柵極驅動器,UVLO 以 GND 或分離輸出為基準數(shù)據(jù)手冊
UCC53x0 是單通道隔離式柵極驅動器系列,設計用于驅動 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET (UCC5350SBD)。...
LMG1205 適用于GaNFET和MOSFET的1.2A、5A、90V、具有 5V UVLO 的半橋柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊
該 LMG1205 設計用于在同步降壓、升壓或半橋配置中驅動高壓側和低壓側增強型氮化鎵 (GaN) FET。該器件具有集成的 100V 自舉二極管以及用...
TPS7H6023-SP 抗輻射 QMLV 22V 半橋 GaN 柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊
TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 柵極驅動器專為高頻、高效率應用而設計。該系列包括 T...
Analog Devices Inc. LTC7892兩相升壓控制器數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices LTC7892兩相升壓控制器可驅動所有N溝道同步氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)功率級,輸出電壓高達100V。高性能...
UCC21231 具有 4A 拉電流和 6A 灌電流的高速雙通道隔離式柵極驅動器數(shù)據(jù)手冊
UCC21231 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅動器系列。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)健性。UCC21231 采用 ...
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