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LMG1025-Q1 具有 5V UVLO 的汽車類 7A/5A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
LMG1025-Q1 是一款單通道低側(cè)增強型 GaN FET 和邏輯電平 MOSFET 驅(qū)動器,適用于高開關頻率汽車應用。窄脈沖寬度能力、快速開關規(guī)格和...
PMP22244:具有 GaN 的 60W USB Type-C? 高密度有源鉗位反激式參考設計
此參考設計是一款適用于 USB Type-C 應用的高密度 60W 115VAC 輸入電源,使用 UCC28782 有源鉗位反激式控制器、LMG2610...
HMC7885 2GHz至6GHz,45dBm功率放大器技術手冊
HMC7885是一款32 W氮化鎵(GaN)、單芯片微波集成電路(MMIC)功率放大器(PA)模塊,工作頻率范圍為2 GHz至6 GHz,提供18引腳密...
氮化鎵融資方面,今年融資數(shù)量最多的反倒是材料細分領域,相關材料企業(yè)有晶湛半導體、進化半導體、鎵仁半導體。其中士蘭明鎵融資規(guī)模最大,達12億人民幣,投資方...
2024-01-10 標簽:智能電網(wǎng)光伏SiC 441 0
TMS320F280034-Q1 汽車級 C2000? 32 位 MCU 120MHz 128KB 閃存數(shù)據(jù)手冊
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列可擴展、超低延遲器件專為提高電力電子效率而設計,包括但不...
HMC1114 10W GaN功率放大器,2.7GHz至3.8GHz技術手冊
HMC1114是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器,在帶寬范圍為2.7 GHz至3.8 GHz時提供10 W功率,PAE超過50 %。 HMC1114提...
BM3G005MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊
本產(chǎn)品是面向工業(yè)設備市場的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,是適用于這些應用場景的最佳產(chǎn)品。BM3G005MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最優(yōu)解決方案。...
2025-03-09 標簽:ICGaN數(shù)據(jù)手冊 435 0
ADPA1105 46 dBm (40W)、0.9GHz至1.6GHz GaN功率放大器技術手冊
ADPA1105是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器,在帶寬范圍為0.9 GHz至1.4 GHz時提供46 dBm (40 W)功率和60%典型功率附加...
技術資料#LMG3526R050 具有集成驅(qū)動器、保護和零電壓檢測報告的 650V 50mΩ GaN FET
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能,針對開關模式電源轉(zhuǎn)換器,使設計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍岣叩叫碌乃健? LMG3...
2025-02-24 標簽:電源轉(zhuǎn)換器電壓檢測GaN 432 0
GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊
GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT,實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導通電阻和高速開關的...
2025-03-07 標簽:GaN數(shù)據(jù)手冊HEMT 431 0
氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比,性能遙遙領先。它支持多種快充協(xié)議,如PD、QC等,能夠智能識別設備所需的充電功率,實現(xiàn)快速充電。無論是蘋果手...
TMS320F28P659DH-Q1 汽車級 C2000 32 位 MCU,600MIPS,2xC28x + 1xCLA + 鎖步技術手冊
TMS320F28P65x (F28P65x) 是 C2000? 實時微控制器系列的一員,該系列可擴展、超低延遲器件專為提高電力電子器件的效率而設計,包...
安森美高效電源方案:基于GaN技術的1KW智能工業(yè)電源
安森美推出了一款基于GaNFETNCP58921與次級控制芯片NCL38046的智能工業(yè)電源解決方案,支持通過Analog與PWM方式調(diào)整輸出功率,最大...
BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊
該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場長期供應的產(chǎn)品。BM3G015MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強型GaN HEMT和S...
2025-03-09 標簽:GaN數(shù)據(jù)手冊HEMT 422 0
用于CRPS應用的采用氮化鎵功率集成電路的帶平面矩陣變壓器的高頻高效LLC模塊
隨著云計算和人工智能的快速發(fā)展,數(shù)據(jù)中心對電源的需求不斷增加,對其功率密度和效率也提出了更高要求。在數(shù)據(jù)中心中, Common Redundant Po...
技術資料#LMG3411R150 具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護的 600V 150mΩ GaN
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,...
2025-02-25 標簽:MOSFET電子系統(tǒng)GaN 420 0
LMG3622EVM-082:LMG3622用于帶 USB Type-C? PD 的 65W準諧振反激式轉(zhuǎn)換器的評估模塊
LMG3622EVM-082 使用具有電流感應仿真功能的 LMG3622 集成 GaN FET 演示了 65W USB Type-C? 供電 (PD) ...
2025-02-24 標簽:反激式轉(zhuǎn)換器GaN電流感應 420 0
BM3G007MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊
該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場長期供應的產(chǎn)品。BM3G007MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強型GaNHEMT和Si...
2025-03-09 標簽:GaN數(shù)據(jù)手冊HEMT 420 0
ADPA1107 45.0 dBm (35W)、4.8GHz到6.0GHz、GaN功率放大器技術手冊
ADPA1107 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器,可在 4.8 GHz 至 6.0 GHz 帶寬范圍內(nèi)實現(xiàn) 45.0 dBm (35 W) 輸...
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