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在實(shí)際的激光雷達(dá)系統(tǒng)中,傳統(tǒng)的硅器件(例如MOSFET)無法為其激光驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)提供必要的性能。為了增強(qiáng)控制,MOSFET的溝道必須很大,這會(huì)導(dǎo)致寄生電容...
GaN將徹底改變數(shù)據(jù)中心電源 數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)是下一個(gè)角逐點(diǎn)
高可靠性,高性能氮化鎵功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供應(yīng)商Transphorm與貝爾集團(tuán)(Bel Group)聯(lián)合宣布Bel的鈦效率電源中使用了六個(gè)Transphorm的...
2021-01-22 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 2258 0
功率GaN出現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng) 基于GaN的RF器件獨(dú)特優(yōu)勢(shì)眾多
Qorvo這種新型高功率放大器MMIC是專為“商業(yè)和軍事雷達(dá),以及電子戰(zhàn)應(yīng)用”而設(shè)計(jì)。
具有保護(hù)功能的GaN器件實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
2020-12-20 標(biāo)簽:開關(guān)電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 3349 0
【泰克電源設(shè)計(jì)與測(cè)試】致工程師系列之四:寬禁帶半導(dǎo)體器件GaN、SiC設(shè)計(jì)優(yōu)化驗(yàn)證
選擇TIVH差分探頭的基本原則是以驅(qū)動(dòng)信號(hào)的上升時(shí)間為依據(jù),儀器系統(tǒng)對(duì)被測(cè)點(diǎn)的影響小于3%。上管信號(hào)測(cè)量考慮因素:帶寬、電壓范圍(共模和差模)、CMRR和連接。
GaN也面臨著挑戰(zhàn)。過去,這些挑戰(zhàn)與制造和提供高質(zhì)量、可靠GaN的能力相關(guān)。然而,隨著整個(gè)行業(yè)制造工藝的改進(jìn)和采用率的增加,挑戰(zhàn)逐漸集中到實(shí)施和系統(tǒng)設(shè)計(jì)上
2020-08-04 標(biāo)簽:德州儀器GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 1403 0
半導(dǎo)體材料Si、SiC和GaN 優(yōu)勢(shì)及瓶頸分析
作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限,而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 標(biāo)簽:SiCGaN半導(dǎo)體器件 1.3萬 0
【泰克電源設(shè)計(jì)與測(cè)試】致工程師系列之三:高效GaN電源設(shè)計(jì)八部曲,泰克系列視頻課堂實(shí)操秘籍
由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低,寬禁帶半導(dǎo)體(SiC 和 GaN)現(xiàn)在配合傳統(tǒng)硅一同用于汽車和 RF 通信等嚴(yán)苛應(yīng)用中。
氮化鎵GaN詳細(xì)對(duì)比分析 納微和英諾賽科氮化鎵GaN產(chǎn)品應(yīng)用
作者:馬坤 (郵箱:kuner0806@163.com) 隨著中國芯GaN產(chǎn)品上市,引起了大家的關(guān)注,PD產(chǎn)品更是多姿多彩;納微GaN產(chǎn)品和英諾賽科Ga...
音頻是一個(gè)復(fù)雜的應(yīng)用,尤其是對(duì)于發(fā)燒友領(lǐng)域各個(gè)層面的需求。最高端的音頻設(shè)備通常都價(jià)格高昂,不同類型的音頻放大器吸引了眾多用戶的追求,他們相信其選擇可以最...
5G行情下氮化鎵(GaN)還存在哪些缺點(diǎn)?是下一個(gè)風(fēng)口?
由于2 月13 日小米在新品發(fā)表會(huì)中,除了推出小米10 系列外,更宣布采用氮化鎵(GaN) 作為原料的充電器,一時(shí)間原本GaN 在射頻領(lǐng)域熱燒的話題,快...
2020-04-14 標(biāo)簽:氮化鎵GaN功率半導(dǎo)體 1.7萬 1
NV612X GaNFast? 功率半導(dǎo)體器件的熱處理
介紹 最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27,集成在6mmx8mm的QFN封裝內(nèi)。這個(gè)封裝增加了一個(gè)大的冷卻片,用于降低封裝的熱...
采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應(yīng)用PCB layout
采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應(yīng)用PCB layout 作者 :馬坤 郵箱:kuner0806@163.com NV611X系列 半橋應(yīng)用電路圖...
面對(duì)5G基站巨大的耗電挑戰(zhàn),GaN是業(yè)界需要的英雄
消費(fèi)者目前已經(jīng)開始體驗(yàn)5G技術(shù)的優(yōu)勢(shì),它不僅能夠憑借超快的下載速度與固網(wǎng)寬帶匹敵,而且將來還可能在蜂窩網(wǎng)絡(luò)服務(wù)區(qū)域內(nèi)支持更高密度的移動(dòng)設(shè)備和互連的物聯(lián)網(wǎng)...
2020-01-09 標(biāo)簽:移動(dòng)通信GaN蜂窩網(wǎng)絡(luò) 3999 0
一款GaN HEMT內(nèi)匹配功率放大器設(shè)計(jì)過程詳解
近年來,寬禁帶材料與微波功率器件發(fā)展非常迅猛。GaN材料作為第三代半導(dǎo)體的典型代表,具有很多優(yōu)異的特性,如禁帶寬度寬、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、熱傳導(dǎo)率高和峰值電子漂...
PI的PowiGaN技術(shù)的使用優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用
Power Integrations(PI)于2019年7月27日發(fā)布了結(jié)合PowiGaN技術(shù)的全新InnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)...
基于Agilent ADS仿真軟件的GaN寬帶功率放大器設(shè)計(jì)
新一代半導(dǎo)體功率器件主要有SiC場(chǎng)效應(yīng)晶體管和GaN高電子遷移率晶體管。有別于第一代的Si雙極型功率晶體管和第二代GaAs場(chǎng)效晶體管,新一代SiC和Ga...
2020-01-25 標(biāo)簽:功率放大器PCB設(shè)計(jì)GaN 4194 0
新一代PowiGaN技術(shù)在LED照明中的應(yīng)用解析
PI CEO Balu Balakrishnan在季報(bào)電話會(huì)議上所說:“基于GaN的InnoSwitch器件具有卓越的高效率,實(shí)現(xiàn)了硅開關(guān)無法達(dá)到的功率...
2019-10-08 標(biāo)簽:led照明led驅(qū)動(dòng)器GaN 1148 0
基于模型的GaN PA設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)
在之前的介紹中,我們了解了關(guān)于I?V 曲線和負(fù)載線路的基礎(chǔ)知識(shí),但還有另一種分析設(shè)備的非線性行為的方法,即查看設(shè)備的I-V 波形--也就是電流和電壓與時(shí)...
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