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傳統(tǒng)的升壓PFC僅使用一個(gè)有源開關(guān),通常是650V超結(jié)Si MOSFET。當(dāng)今,大多數(shù)常規(guī)開關(guān)電源都采用升壓PFC,從而充分利用其簡(jiǎn)單性、低成本和可靠性...
【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試】系列之四:寬禁帶材料測(cè)試
隨著電子電力的發(fā)展,功率器件的使用越來(lái)越多,SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。
GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應(yīng)用MOSFET
選用本款HGN093N12S/SL產(chǎn)品, 可以讓客戶提高整機(jī)效率, 并且溫度也隨之下降, 效率提升之外, 整體表現(xiàn)與CP值都能有效提升。
工程師于是感到非常困惑,GaN HEMT可以反向?qū)?,那到底有還是沒(méi)有體二極管?
GaN功率級(jí)設(shè)計(jì)的散熱注意事項(xiàng)
GaN FET 實(shí)現(xiàn)了高頻電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。憑借出色的開關(guān)特性和零反向恢復(fù)損耗,這種輕量級(jí)設(shè)計(jì)具有更高的功率密度和更小的尺寸。
2020-12-10 標(biāo)簽:pcb電路板電源轉(zhuǎn)換器 1895 0
相對(duì)于硅(Si)和碳化硅(SiC),GaN有哪些優(yōu)勢(shì)
最終的器件是額定電壓為650 V的FET,具有4 V的高閾值,小于15mΩ的導(dǎo)通電阻以及類似于單芯片的封裝。
深度解讀激光雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的eToF激光驅(qū)動(dòng)器系列
作者:Maurizio Di Paolo Emilio 高效功率轉(zhuǎn)換(EPC)宣布了用于激光雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的eToF激光驅(qū)動(dòng)器系列。新的氮化鎵(GaN)系...
2021-03-10 標(biāo)簽:GaN光學(xué)傳感器無(wú)人機(jī) 9257 0
作者:Maurizio Di Paolo Emilio 汽車行業(yè)正經(jīng)歷著從內(nèi)燃機(jī)(ICE)到全電動(dòng)未來(lái)的巨變。VisIC Technologies的功率...
2021-03-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器GaN 5512 0
GaN-HEMT器件的動(dòng)態(tài)R DSon值測(cè)量實(shí)驗(yàn)分析
GaN(氮化鎵)器件由于具有諸如高開關(guān)速度,更高的功率密度和效率之類的能力而在設(shè)計(jì)電源轉(zhuǎn)換器時(shí)變得越來(lái)越流行[2],[3],但是GaN器件的一個(gè)缺點(diǎn)是電...
2021-03-22 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器測(cè)量電路GaN 1.2萬(wàn) 0
通過(guò)EPC的GaN EPC2032的電路設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)
GaN晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有較小的尺寸,非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中,我們將使用EPC的Ga...
尋找硅替代物的研究始于上個(gè)世紀(jì)的最后二十年,當(dāng)時(shí)研究人員和大學(xué)已經(jīng)對(duì)幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn),這些材料顯示出替代射頻,發(fā)光,傳感器和功率半導(dǎo)體的現(xiàn)有硅材...
GaN轉(zhuǎn)變充電器設(shè)計(jì)方案詳解
氮化鎵(GaN)開關(guān)技術(shù)使充電器和適配器的小型化取得了進(jìn)步。與使用等效硅器件的電路相比,它允許開發(fā)可在高開關(guān)頻率下工作的轉(zhuǎn)換器。GaN減小了變壓器的尺寸...
2021-04-07 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器電源開關(guān)AC-DC 4215 0
硅制造技術(shù)已經(jīng)足夠成熟,可以大規(guī)模生產(chǎn)直徑達(dá)18英寸的晶片,而GaN晶片仍在6英寸的晶片上制造。GaN制造的基底選擇范圍從硅或藍(lán)寶石基底(便宜但較大的晶...
基于GaN芯片的電源轉(zhuǎn)換方案設(shè)計(jì)
作者:Alex Lidow,Michael de Rooij,Andreas Reiter 氮化鎵(GaN)功率器件已投入生產(chǎn)10多年,除了性能和成本方...
氮化鎵(GaN)開關(guān)技術(shù)使充電器和適配器的小型化取得了重大進(jìn)展。 GaN晶體管的開關(guān)效率很高。 這允許開發(fā)轉(zhuǎn)換器,該轉(zhuǎn)換器可以以比使用等效硅器件的電路更...
碳化硅有哪些優(yōu)勢(shì)?能應(yīng)用在那些方面
電力電子朝向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)材料發(fā)展,雖然硅仍然占據(jù)市場(chǎng)主流,但SiC與GaN器件很快就會(huì)催生新一代更高效的技術(shù)解決方案。
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