電源設(shè)計說明中使用GaN器件進(jìn)行LTspice仿真

多年來，技術(shù)進(jìn)步使得從功率器件獲得高級性能成為可能。氮化鎵 （GaN）不同于硅 （Si）。它是一種類似于晶體的材料，能夠傳導(dǎo)更高的電壓。與硅元件相比，電...

2022-08-05 標(biāo)簽：電源半導(dǎo)體GaN 5930 0

成果展示：具有1.1 kV級高擊穿電壓的GaN基肖特基二極管

為實現(xiàn)具有高擊穿電壓和優(yōu)異正向特性的第三代半導(dǎo)體功率器件，天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊依托先進(jìn)的半導(dǎo)體TCAD仿真平臺，優(yōu)化設(shè)計了一種具有p-NiO...

2022-08-04 標(biāo)簽：二極管功率器件GaN 1595 0

正確使用并聯(lián)氮化鎵晶體管

電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計人員正在尋找提高效率同時增加系統(tǒng)功率密度的方法。 寬帶隙 (WBG) 技術(shù)提供了答案。 由氮化鎵 (GaN) 制成的晶體管作為一種解決方...

2022-08-04 標(biāo)簽：MOSFET晶體管GaN 1947 0

半橋GaN應(yīng)用中的交叉?zhèn)鲗?dǎo)解決方案

為了以整流方式獲得和諧同步的雙向電流控制，在半橋和全橋GaN 應(yīng)用中必須具有互補(bǔ)驅(qū)動信號。為避免交叉?zhèn)鲗?dǎo)，有目的地將死區(qū)時間放置在驅(qū)動信號的高側(cè)和低側(cè)。...

2022-08-04 標(biāo)簽：探頭GaN 3102 0

48V電源系統(tǒng)中的GaN FET應(yīng)用

對于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實現(xiàn)高頻和高效率設(shè)計。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計用...

2022-08-04 標(biāo)簽：控制器FETGaN 1100 0

測量基于GaN的電源中的交叉?zhèn)鲗?dǎo)

這種測量交叉?zhèn)鲗?dǎo)的簡單且經(jīng)濟(jì)高效的方法利用了GaN 晶體管的獨(dú)特特性。

2022-08-04 標(biāo)簽：電源晶體管GaN 1002 0

被GaN扼殺的硅、分立功率器件

四十年來，隨著功率 MOSFET 結(jié)構(gòu)、技術(shù)和電路拓?fù)涞膭?chuàng)新與不斷增長的電力需求保持同步，電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。然而，在新千年中，隨著硅功率 MO...

2022-08-04 標(biāo)簽：MOSFET功率器件GaN 1028 0

Pre-Switch基于AI逆變器可實現(xiàn)電動汽車的高效率

利用其基于人工智能的 DC/AC、AC/DC 軟開關(guān)技術(shù)，Pre-Switch 展示了如何通過在每個開關(guān)位置僅使用三個分立的低成本 35mΩ SiC F...

2022-08-04 標(biāo)簽：電動汽車逆變器AI 1435 0

IGBT 和 GaN、SiC 和硅 FET 的統(tǒng)一視圖和價格-性能分析

在設(shè)計電力電子設(shè)備時，我們需要評估所有業(yè)務(wù)需求和技術(shù)要求，以優(yōu)化設(shè)計周期時間，從而以更低的成本實現(xiàn)更高性能的系統(tǒng)。這是DiscoverEE及其創(chuàng)始人 S...

2022-08-04 標(biāo)簽：IGBT功率SiC 5368 1

GaN實現(xiàn)下一代高頻電路

提高功率密度的關(guān)鍵是提高開關(guān)頻率，以最大限度地減少無源元件，例如變壓器、EMI 濾波器、大容量電容器和輸出電容器，同時保持或提高效率。自 1996 年以...

2022-08-04 標(biāo)簽：電容器GaN高頻電路 1172 0

基于GaN的高功率穩(wěn)壓輸出電源方案

隨著這些基于 DPA 的服務(wù)器和工作站隨著時間的推移變得越來越小，在這些系統(tǒng)中啟用 IBA 方案的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器或磚也必須如此。包括四分之一...

2022-08-03 標(biāo)簽：fpga微處理器GaN 1368 0

用于電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的GaN器件

今天，永磁電機(jī)，也稱為直流無刷電機(jī)，應(yīng)用廣泛，與其他電機(jī)相比，可提供更高的每立方英寸扭矩能力和更高的動態(tài)性能。迄今為止，硅基功率器件一直在逆變器電子產(chǎn)品...

2022-08-03 標(biāo)簽：逆變器GaN直流無刷電機(jī) 2634 0

GaN和SiC晶體管的區(qū)別

幾十年來，硅一直主導(dǎo)著晶體管世界，但這種情況正在逐漸發(fā)生變化。已經(jīng)開發(fā)出由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體，并具有獨(dú)特的優(yōu)勢和卓越的特性。例如，化合物半...

2022-08-03 標(biāo)簽：晶體管SiCGaN 2036 0

一種基于GaN的BTP PFC電路和LLC諧振轉(zhuǎn)換器的實現(xiàn)

駐留在數(shù)據(jù)中心的大量服務(wù)器(每臺服務(wù)器都配備中央處理單元 (CPU)、圖形處理單元 (GPU) 和存儲大量數(shù)據(jù)的內(nèi)存)需要越來越多的功率。更小、更輕、更...

2022-08-03 標(biāo)簽：PFCGaN諧振轉(zhuǎn)換器 2724 0

氮化鎵 (GaN) 技術(shù)：屬性、優(yōu)點(diǎn)、不同制造工藝及最新進(jìn)展

本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術(shù) ：其屬性、優(yōu)點(diǎn)、不同制造工藝以及最新進(jìn)展。這種更深入的探討有助于我們了解 ：為什么 GaN 能夠在當(dāng)今這個技術(shù)驅(qū)...

2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 2.0萬 0

采用GaN的多相MHZ轉(zhuǎn)換器

氮化鎵 (GaN)器件可實現(xiàn)航空航天、交通運(yùn)輸和醫(yī)療應(yīng)用所需的高頻、高密度電源。在布置印刷電路板 (PCB)時必須考慮某些設(shè)計規(guī)則和組件。例如，多層布局...

2022-07-29 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器DCGaN 749 0

適用于高達(dá)220W的USB PD 3.1 適配器的新型高壓GaN解決方案

擴(kuò)大新型 InnoSwitch4-CZ 和 ClampZero IC 的功率范圍，使充電器/適配器設(shè)計人員能夠輕松超過 23 W/in。3用于單輸出或多...

2022-07-29 標(biāo)簽：控制器適配器GaN 1023 0

GaN-on-Si功率技術(shù):器件和應(yīng)用

在過去幾年中，氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應(yīng)用的半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅硬且穩(wěn)定的寬帶隙 (WB...

2022-07-29 標(biāo)簽：升壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 1718 0

用于1kW以上電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的集成電路GaN逆變器

自問世以來，氮化鎵技術(shù)開啟了電力電子領(lǐng)域的新紀(jì)元。GaN 技術(shù)的三個最重要的參數(shù)是更高的帶隙、臨界場和電子遷移率。當(dāng)這些參數(shù)結(jié)合起來時，由于 GaN 晶...

2022-07-29 標(biāo)簽：逆變器電機(jī)驅(qū)動GaN 2477 0

GaN和SiC功率器件的最佳用例

碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場中全面推進(jìn)。在許多情況下...

2022-07-29 標(biāo)簽：充電器功率器件SiC 1549 0