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用一個(gè)Hercules LaunchPad開發(fā)套件控制GaN功率級
與LMG5200評估模塊 (EVM) 一同提供的還有一塊驅(qū)動(dòng)GaN集成電路 (IC) 的電路。你需要將其斷開,并且連接你的LaunchPad開發(fā)套件。
氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器,能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵(以下簡稱“GaN”) 功率開關(guān)。只...
2023-02-20 標(biāo)簽:pcb驅(qū)動(dòng)器晶體管 975 0
利用封裝、IC和GaN技術(shù)提升電機(jī)驅(qū)動(dòng)性能
利用封裝、IC和GaN技術(shù)提升電機(jī)驅(qū)動(dòng)性能
2023-11-23 標(biāo)簽:IC封裝電機(jī)驅(qū)動(dòng) 967 0
芯元基實(shí)現(xiàn)高效純紅光量子點(diǎn)芯片技術(shù)分析
芯元基的量子點(diǎn)MIP技術(shù),在GaN晶圓的每個(gè)子像素的側(cè)壁均做有金屬電極結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)除了有利于像素的共陰極設(shè)計(jì)外,也可以更好的解決獨(dú)立子像素間的光串?dāng)_問...
使用電源管理模塊有效控制GaN功率放大器的電源開關(guān)
眾所周知,因?yàn)?GaN PA 需要使用特定的偏置時(shí)序,所以在某些設(shè)計(jì)中,GaN 功率放大器的上電和下電可能會(huì)具有挑戰(zhàn)性。如果處理不當(dāng),可能會(huì)導(dǎo)致組件損壞...
氮化鎵是在高頻應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行的無可爭議的技術(shù),例如 X 波段 (8–12 GHz) 的應(yīng)用。SiC器件上的GaN可以為這些應(yīng)用提供急需的高溫可靠性和...
GaN基Micro LED領(lǐng)域南京大學(xué)取得新突破
GaN基Micro LED與其驅(qū)動(dòng)(如HEMT、MOSFET等)的同質(zhì)集成能充分發(fā)揮出GaN材料的優(yōu)勢,獲得更快開關(guān)速度、更高耐溫耐壓能力以及更高效率的...
如何利用 GaN 功率器件實(shí)現(xiàn)出色的中等功率電機(jī)變頻器
作者:Bill Schweber 對更高效利用能源的推動(dòng)、更嚴(yán)格的法規(guī)要求以及低溫運(yùn)行的技術(shù)優(yōu)勢,所有這些都為近來降低電機(jī)功耗的舉措提供了支持。雖然硅 ...
2024-05-05 標(biāo)簽:變頻器電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件 956 0
定制化合物半導(dǎo)體并將其集成到外國襯底上的能力可以帶來卓越或新穎的功能,并對電子、光電子、自旋電子學(xué)、生物傳感和光伏的各個(gè)領(lǐng)域產(chǎn)生潛在影響。這篇綜述簡要描...
太陽能有助于降低發(fā)電相關(guān)成本。這個(gè)行業(yè)最熱門的話題之一就是電源轉(zhuǎn)換效率。為了提高0.1%的效率,太陽能逆變器制造商往往需要投入大量的時(shí)間。考慮到更高的效...
就像生活中的現(xiàn)實(shí)一樣,當(dāng)老年人離開年輕人的舞臺時(shí),Silicon 正在鞠躬。氮化鎵 (GaN) 的出現(xiàn)和采用已成功地逐步淘汰了舊的可靠硅。四十多年來,隨...
最新成果展示:AlInN/GaN DBR模型數(shù)據(jù)庫的開發(fā)與應(yīng)用
由于AlN和GaN之間存在較大的晶格失配和熱膨脹失配,導(dǎo)致很難獲得高質(zhì)量的AlN/GaN布拉格反射鏡(Distributed Bragg Reflect...
2023-06-07 標(biāo)簽:激光器數(shù)據(jù)庫GaN 938 0
生成對抗網(wǎng)絡(luò)在過去一年仍是研究重點(diǎn),我們不僅看到可以生成高分辨率(1024×1024)圖像的模型,還可以看到那些以假亂真的生成圖像。此外,我們還很興奮能...
2023-03-17 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GaN 936 0
使用多個(gè)電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容
本文介紹了使用多個(gè)電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容。它分為四部分:雙電流探頭法原理、測量結(jié)果、三電流探頭法原理和測量結(jié)果。
2023-02-19 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體器件 932 0
利用C2000實(shí)時(shí)MCU提高GaN數(shù)字電源設(shè)計(jì)實(shí)用性
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換...
基于GaN交錯(cuò)式臨界導(dǎo)通模式圖騰柱功率因數(shù)校正的新型數(shù)字控制策略
論文《A Novel Digital Control Strategy for GaN-based Interleaving CrM Totem-pol...
具體而言,SiC 近年來在很多領(lǐng)域都有應(yīng)用,比如工業(yè)領(lǐng)域。對于 GAN 來說,可使用場景非常廣泛。SiC 產(chǎn)品在高功率市場中有著很好的應(yīng)用,例如 IGB...
采用集成智能GaN IC設(shè)計(jì)電動(dòng)汽車輔助電源
電動(dòng)汽車中的輔助電源,也被稱為輔助電源模塊(APM),是車輛不可或缺的組成部分。其主要功能是將動(dòng)力電池中的電能高效地傳輸給低壓電氣負(fù)載和12V蓄電池。隨...
2024-07-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電源GaN 904 0
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