氮化鎵技術(shù)是什么意思

氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)...

2023-02-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體發(fā)光二極管GaN 4307 0

氮化鎵芯片優(yōu)點(diǎn)

作為第三代半導(dǎo)體的核心材料之一，GaN其主要有三個特性——開關(guān)頻率高、禁帶寬度大、更低的導(dǎo)通電阻。它在充電器上的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在：體積小，重量輕；功率密度...

2023-02-12 標(biāo)簽：電阻半導(dǎo)體GaN 1892 0

氮化鎵外延片的工藝及分類介紹

通常是指的在藍(lán)寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長的GaN。外延片上面一般都已經(jīng)做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。

2023-02-12 標(biāo)簽：LED芯片氮化鎵MOCVD 3847 0

誰發(fā)現(xiàn)了氮化鎵半導(dǎo)體材料？這種材料的特性是什么？

氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...

2023-02-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵MOCVD 1710 0

深度學(xué)習(xí)是如何工作的？如何使用圖像處理來檢測圖像中的缺陷

制造業(yè)中任何公司的主要目標(biāo)都是為客戶生產(chǎn)無缺陷產(chǎn)品。如果在產(chǎn)品開發(fā)過程中出現(xiàn)任何內(nèi)部孔、凹坑、磨損或劃痕（由于多種原因，從生產(chǎn)設(shè)備故障到惡劣的工作條件）...

2023-02-10 標(biāo)簽：編碼器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GaN 1971 0

硅基氮化鎵技術(shù)到底有啥優(yōu)勢？

具體而言，SiC 近年來在很多領(lǐng)域都有應(yīng)用，比如工業(yè)領(lǐng)域。對于 GAN 來說，可使用場景非常廣泛。SiC 產(chǎn)品在高功率市場中有著很好的應(yīng)用，例如 IGB...

2023-02-10 標(biāo)簽：IGBTSiCGaN 910 0

氮化鎵晶體管應(yīng)用領(lǐng)域

基于GaN的轉(zhuǎn)換器在所有情況下都具有更高的效率和更低的工作溫度，最高效率為 96.8%，最低 94.5%。此外，隨著開關(guān)頻率和死區(qū)時間的增加，基于硅的轉(zhuǎn)...

2023-02-08 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 661 0

如何應(yīng)用GaN 提高功率密度和效率？

集成驅(qū)動器可減小解決方案尺寸，實現(xiàn)功率密集型系統(tǒng)。同時，集成降壓/升壓轉(zhuǎn)換器意味著 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非穩(wěn)壓電源下...

2023-02-06 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 881 0

淺談氮化鎵技術(shù)應(yīng)用在了哪些方面

氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，上世紀(jì)90年代就已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用，這些年來氮化鎵已經(jīng)成為了全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn)，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體，其具有更...

2023-02-06 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 1934 0

氮化鎵的重要性以及制備方法

GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電子器件氮化鎵 1859 0

氮化鎵工藝制造流程

氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕以及抗輻射性能等優(yōu)點(diǎn)，從而可以采用氮化鎵制作半導(dǎo)體材料，而得到氮化鎵半導(dǎo)體器件。 目...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 8080 0