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      文章：1934個(gè) 瀏覽：76884次 帖子：160個(gè)

      gan技術(shù)

      GaN HEMT外延材料表征技術(shù)研究進(jìn)展

      氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率 等優(yōu)異的物理特性，是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。...

      2023-02-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 2476 0

      氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要

      NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“GaN”） 功率開(kāi)關(guān)。只...

      2023-02-20 標(biāo)簽：pcb驅(qū)動(dòng)器晶體管 975 0

      使用多個(gè)電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容

      使用多個(gè)電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容

      本文介紹了使用多個(gè)電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容。它分為四部分：雙電流探頭法原理、測(cè)量結(jié)果、三電流探頭法原理和測(cè)量結(jié)果。

      2023-02-19 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體器件 933 0

      GaN IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)分析

      數(shù)字 GaN 是使用 GaN IC 實(shí)現(xiàn)卓越性能的一個(gè)很有前途的選擇。這是一種顛覆性的數(shù)字控制方法。模擬信號(hào)塊不再“轉(zhuǎn)換”為數(shù)字信號(hào)塊。

      2023-02-19 標(biāo)簽：MOSFET晶體管數(shù)字控制 749 0

      SiC FET改進(jìn)和應(yīng)用程序挑戰(zhàn)

      SiC FET改進(jìn)和應(yīng)用程序挑戰(zhàn)

      從人類(lèi)的角度來(lái)看，幾代人過(guò)得很慢，在人們的記憶中，從“嬰兒潮一代”到X到千禧一代（Y？）和Z，現(xiàn)在奇怪的是“A”。我想他們只是用完了字母。然而，在半導(dǎo)體...

      2023-02-17 標(biāo)簽：FETSiCGaN 418 0

      氮化鎵技術(shù)是誰(shuí)突破的技術(shù)

      氮化鎵技術(shù)是誰(shuí)突破的技術(shù) 作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件，氮化鎵應(yīng)用范圍非常廣泛，氮化鎵在數(shù)據(jù)中心，新能源汽車(chē)等領(lǐng)域都有運(yùn)用。那么這么牛的氮化鎵技...

      2023-02-16 標(biāo)簽：晶體氮化鎵GaN 5102 0

      什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)體系分解

      什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)體系分解

      小編在這里給大家分享一下什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)？什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)體系？ 以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體，具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、...

      2023-02-16 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 2645 0

      氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用

      氮化鎵（GaN）是一種具有半導(dǎo)體特性的化合物，是由氮和鎵組成的一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，與碳化硅（SiC）并稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。GaN具有更寬的“帶...

      2023-02-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體化合物GaN 1866 0

      氮化鎵材料具有哪些優(yōu)勢(shì)

      　　以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體即寬帶隙半導(dǎo)體，具有高頻、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)異性能，滿(mǎn)足了節(jié)能減排等國(guó)家重大戰(zhàn)略需求，智...

      2023-02-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 6660 0

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      2023-02-15 標(biāo)簽：MOSFET逆變器GaN 773 0

      AlN鈍化器件電流崩塌分析

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      本研究采用PEALD沉積AlN材料作柵絕緣層的同時(shí)，利用其作為器件表面鈍化層材料，本節(jié)即采用脈沖測(cè)試方法研究了PEALD沉積AlN鈍化器件的電流崩塌特性...

      2023-02-14 標(biāo)簽：微波GaNHEMT 1757 0

      AlN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件制作

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      絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結(jié)構(gòu)如圖1所示， AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)采用MOCVD技術(shù)在2英寸c面藍(lán)寶石襯底上外延得到，由下往上依次為180nm高溫A...

      2023-02-14 標(biāo)簽：歐姆GaNHEMT 4298 0

      AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件直流特性

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      關(guān)態(tài)漏電是制約HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用絕緣柵HEMT器件結(jié)構(gòu)可以有效減小器件關(guān)態(tài)漏電。圖1給出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-...

      2023-02-14 標(biāo)簽：晶體管GaNHEMT 5858 0

      氮化鎵屬于無(wú)機(jī)非金屬材料嗎

      　　20世紀(jì)40年代后，傳統(tǒng)的鋁硅酸鹽材料被選為無(wú)機(jī)非金屬材料，與有機(jī)聚合物材料和金屬材料并列為三大材料之一。無(wú)機(jī)非金屬材料是由一些原始氮化合物和鹵素?zé)?..

      2023-02-13 標(biāo)簽：氮化鎵GaN 4928 0

      GaN的襯底類(lèi)型及在5G通信中的應(yīng)用

      　　氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，在上世紀(jì)90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用，多年來(lái)氮化鎵已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn)，被稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體，它具有更...

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      采用GaN技術(shù)的充電器的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)

      　　氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，在上世紀(jì)90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用，多年來(lái)氮化鎵已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn)，被稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體，它具有更...

      2023-02-13 標(biāo)簽：放大器充電器晶體管 5527 0

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      由于界面固定電荷沒(méi)有充放電效應(yīng)，所以利用回滯曲線(xiàn)或變頻方法無(wú)法提供界面固定電荷信息，平帶電壓VFB漂移是常用的用于計(jì)算界面固定電荷的方法。本文首先結(jié)合能...

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      2023-02-12 標(biāo)簽：晶圓GaN半導(dǎo)體器件 607 0

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        藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來(lái)?yè)碛懈斓膫鬏斔俣?，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開(kāi)發(fā)人員稱(chēng)，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
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